公开(公告)号：TWI529782B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW102146354

申请日：2013-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳孟谷 ,  CHEN, MENG KU ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0692

公开(公告)号：TW201430911A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102146354

申请日：2013-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳孟谷 ,  CHEN, MENG KU ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0692

Abstract: 一種在半導體基板上形成雙階表面的方法包括：透過用在金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)製程之蝕刻製程，在半導體基板的一區域上形成粗糙表面。此方法更包括：透過用在金屬-有機化學氣相沉積製程之退火製程，在半導體基板的該區域上形成雙階表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体基板上形成双阶表面的方法包括：透过用在金属-有机化学气相沉积(MOCVD)制程之蚀刻制程，在半导体基板的一区域上形成粗糙表面。此方法更包括：透过用在金属-有机化学气相沉积制程之退火制程，在半导体基板的该区域上形成双阶表面。

公开(公告)号：TW201724311A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105133194

申请日：2016-10-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  朱芳蘭 ,  CHU, FANG-LAN ,  林宏達 ,  LIN, HONG-DA ,  張谷寧 ,  CHANG, KU-NING ,  連瑞宗 ,  LIEN, JUI-TSUNG ,  王羽榛 ,  WANG, YU CHEN

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G01R31/2644 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/34 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L28/00 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446

Abstract: 一種積體晶片具有半導體基板、測試線字母以及一或多個虛擬結構。測試線字母配置於半導體基板上方。測試線字母包括自半導體基板向外突出的呈字母-數字字符的形狀的正向凸紋。一或多個虛擬結構經配置於半導體基板上方。一或多個虛擬結構接近於測試線字母的邊界。

Abstract in simplified Chinese: 一种积体芯片具有半导体基板、测试线字母以及一或多个虚拟结构。测试线字母配置于半导体基板上方。测试线字母包括自半导体基板向外突出的呈字母-数字字符的形状的正向凸纹。一或多个虚拟结构经配置于半导体基板上方。一或多个虚拟结构接近于测试线字母的边界。

公开(公告)号：TWI431778B

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：TW100106853

申请日：2011-03-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  傅竹韻 ,  FU, CHU YUN ,  黃信燁 ,  HUANG, SHIN YEH ,  楊淑婷 ,  YANG, SHU TINE ,  陳宏銘 ,  CHEN, HUNG MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

公开(公告)号：TWI405354B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW098100447

申请日：2009-01-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

公开(公告)号：TWI381557B

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW098129011

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  H01L33/025

公开(公告)号：TWI543295B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW102145800

申请日：2013-12-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  陳孟谷 ,  CHEN, MENG KU ,  張惠政 ,  CHANG, HUI CHENG

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201547017A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW103146485

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王立廷 ,  WANG, LI TING ,  蔡騰群 ,  TSAI, TENG CHUN ,  林正堂 ,  LIN, CHENG TUNG ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66522 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露關於具有一δ摻雜薄板層(delta doped sheet layer)於一電晶體之源極/汲極區內以減少接觸電阻的一種半導體裝置，與一相關方法。在一些實施例中，設置一介電層於電晶體之上。設置一溝槽穿過介電層至源極/汲極區，且設置一導電接觸於溝槽中。源極/汲極區包括一δ摻雜薄板層，其具有高於源極/汲極區之其餘部分的一摻雜濃度。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露关于具有一δ掺杂薄板层(delta doped sheet layer)于一晶体管之源极/汲极区内以减少接触电阻的一种半导体设备，与一相关方法。在一些实施例中，设置一介电层于晶体管之上。设置一沟槽穿过介电层至源极/汲极区，且设置一导电接触于沟槽中。源极/汲极区包括一δ掺杂薄板层，其具有高于源极/汲极区之其余部分的一掺杂浓度。

公开(公告)号：TWI484657B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW098115303

申请日：2009-05-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

公开(公告)号：TWI469187B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW098126909

申请日：2009-08-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  余佳霖 ,  YU, CHIA LIN ,  陳鼎元 ,  CHEN, DING YUAN ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  林宏達 ,  LIN, HUNG TA

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007