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公开(公告)号:TWI529782B
公开(公告)日:2016-04-11
申请号:TW102146354
申请日:2013-12-16
Inventor: 陳孟谷 , CHEN, MENG KU , 林宏達 , LIN, HUNG TA , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
IPC: H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0692
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公开(公告)号:TW201430911A
公开(公告)日:2014-08-01
申请号:TW102146354
申请日:2013-12-16
Inventor: 陳孟谷 , CHEN, MENG KU , 林宏達 , LIN, HUNG TA , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
IPC: H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0692
Abstract: 一種在半導體基板上形成雙階表面的方法包括:透過用在金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)製程之蝕刻製程,在半導體基板的一區域上形成粗糙表面。此方法更包括:透過用在金屬-有機化學氣相沉積製程之退火製程,在半導體基板的該區域上形成雙階表面。
Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体基板上形成双阶表面的方法包括:透过用在金属-有机化学气相沉积(MOCVD)制程之蚀刻制程,在半导体基板的一区域上形成粗糙表面。此方法更包括:透过用在金属-有机化学气相沉积制程之退火制程,在半导体基板的该区域上形成双阶表面。
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公开(公告)号:TW201724311A
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW105133194
申请日:2016-10-14
Inventor: 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 朱芳蘭 , CHU, FANG-LAN , 林宏達 , LIN, HONG-DA , 張谷寧 , CHANG, KU-NING , 連瑞宗 , LIEN, JUI-TSUNG , 王羽榛 , WANG, YU CHEN
IPC: H01L21/66 , H01L21/8247
CPC classification number: G01R31/2644 , H01L21/32133 , H01L21/76877 , H01L22/34 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L28/00 , H01L29/42344 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L2223/54406 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
Abstract: 一種積體晶片具有半導體基板、測試線字母以及一或多個虛擬結構。測試線字母配置於半導體基板上方。測試線字母包括自半導體基板向外突出的呈字母-數字字符的形狀的正向凸紋。一或多個虛擬結構經配置於半導體基板上方。一或多個虛擬結構接近於測試線字母的邊界。
Abstract in simplified Chinese: 一种积体芯片具有半导体基板、测试线字母以及一或多个虚拟结构。测试线字母配置于半导体基板上方。测试线字母包括自半导体基板向外突出的呈字母-数字字符的形状的正向凸纹。一或多个虚拟结构经配置于半导体基板上方。一或多个虚拟结构接近于测试线字母的边界。
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公开(公告)号:TWI431778B
公开(公告)日:2014-03-21
申请号:TW100106853
申请日:2011-03-02
Inventor: 林宏達 , LIN, HUNG TA , 傅竹韻 , FU, CHU YUN , 黃信燁 , HUANG, SHIN YEH , 楊淑婷 , YANG, SHU TINE , 陳宏銘 , CHEN, HUNG MING
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/02293 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7855
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公开(公告)号:TWI405354B
公开(公告)日:2013-08-11
申请号:TW098100447
申请日:2009-01-08
Inventor: 余振華 , YU, CHEN HUA , 林宏達 , LIN, HUNG TA , 陳鼎元 , CHEN, DING YUAN , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 余佳霖 , YU, CHIA LIN
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/12
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公开(公告)号:TWI381557B
公开(公告)日:2013-01-01
申请号:TW098129011
申请日:2009-08-28
Inventor: 余振華 , YU, CHEN HUA , 余佳霖 , YU, CHIA LIN , 陳鼎元 , CHEN, DING YUAN , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 林宏達 , LIN, HUNG TA
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/223 , H01L21/26506 , H01L33/025
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公开(公告)号:TWI543295B
公开(公告)日:2016-07-21
申请号:TW102145800
申请日:2013-12-12
Inventor: 林宏達 , LIN, HUNG TA , 陳孟谷 , CHEN, MENG KU , 張惠政 , CHANG, HUI CHENG
IPC: H01L21/76 , H01L21/8232
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
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公开(公告)号:TW201547017A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:TW103146485
申请日:2014-12-31
Inventor: 王立廷 , WANG, LI TING , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 林正堂 , LIN, CHENG TUNG , 林宏達 , LIN, HUNG TA , 張惠政 , CHANG, HUICHENG
CPC classification number: H01L29/66522 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/365 , H01L29/78
Abstract: 本揭露關於具有一δ摻雜薄板層(delta doped sheet layer)於一電晶體之源極/汲極區內以減少接觸電阻的一種半導體裝置,與一相關方法。在一些實施例中,設置一介電層於電晶體之上。設置一溝槽穿過介電層至源極/汲極區,且設置一導電接觸於溝槽中。源極/汲極區包括一δ摻雜薄板層,其具有高於源極/汲極區之其餘部分的一摻雜濃度。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露关于具有一δ掺杂薄板层(delta doped sheet layer)于一晶体管之源极/汲极区内以减少接触电阻的一种半导体设备,与一相关方法。在一些实施例中,设置一介电层于晶体管之上。设置一沟槽穿过介电层至源极/汲极区,且设置一导电接触于沟槽中。源极/汲极区包括一δ掺杂薄板层,其具有高于源极/汲极区之其余部分的一掺杂浓度。
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公开(公告)号:TWI484657B
公开(公告)日:2015-05-11
申请号:TW098115303
申请日:2009-05-08
Inventor: 余振華 , YU, CHEN HUA , 林宏達 , LIN, HUNG TA , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 陳鼎元 , CHEN, DING YUAN , 余佳霖 , YU, CHIA LIN
IPC: H01L33/00
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公开(公告)号:TWI469187B
公开(公告)日:2015-01-11
申请号:TW098126909
申请日:2009-08-11
Inventor: 余振華 , YU, CHEN HUA , 余佳霖 , YU, CHIA LIN , 陳鼎元 , CHEN, DING YUAN , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 林宏達 , LIN, HUNG TA
IPC: H01L21/205 , C23C16/30 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007
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