公开(公告)号：TWI393244B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098127817

申请日：2009-08-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  吳明園 ,  WU, MING YUAN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  張宏迪 ,  CHANG, HONG DYI ,  郭正誠 ,  KUO, CHENG CHENG ,  吳建宏 ,  WU, CHIEN HUNG ,  李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

公开(公告)号：TW201010052A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098127817

申请日：2009-08-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴素貞 ,  吳明園 ,  鄭光茗 ,  莊學理 ,  葉炅翰 ,  張宏迪 ,  郭正誠 ,  吳建宏 ,  李宗吉

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

Abstract: 一種半導體裝置，包括：一半導體基底，具有一第一部分與一第二部分；多數個電晶體，形成於該基底的該第一部分中，每個該電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有一高介電常數介電及一金屬閘極；一裝置，形成於該基底的第二部分中，該裝置藉由一隔離區域隔離；以及一研磨停止物，形成於鄰接該隔離區域，且具有一表面其實質上水平於該第一區域中的該電晶體的該閘極結構的一表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个晶体管，形成于该基底的该第一部分中，每个该晶体管具有一闸极结构，该闸极结构具有一高介电常数介电及一金属闸极；一设备，形成于该基底的第二部分中，该设备借由一隔离区域隔离；以及一研磨停止物，形成于邻接该隔离区域，且具有一表面其实质上水平于该第一区域中的该晶体管的该闸极结构的一表面。