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    半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
    4.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
    半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

    公开(公告)号：TW201010052A

    公开(公告)日：2010-03-01

    申请号：TW098127817

    申请日：2009-08-19

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

    Inventor： 賴素貞 ,  吳明園 ,  鄭光茗 ,  莊學理 ,  葉炅翰 ,  張宏迪 ,  郭正誠 ,  吳建宏 ,  李宗吉

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

    Abstract: 一種半導體裝置，包括：一半導體基底，具有一第一部分與一第二部分；多數個電晶體，形成於該基底的該第一部分中，每個該電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有一高介電常數介電及一金屬閘極；一裝置，形成於該基底的第二部分中，該裝置藉由一隔離區域隔離；以及一研磨停止物，形成於鄰接該隔離區域，且具有一表面其實質上水平於該第一區域中的該電晶體的該閘極結構的一表面。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个晶体管，形成于该基底的该第一部分中，每个该晶体管具有一闸极结构，该闸极结构具有一高介电常数介电及一金属闸极；一设备，形成于该基底的第二部分中，该设备借由一隔离区域隔离；以及一研磨停止物，形成于邻接该隔离区域，且具有一表面其实质上水平于该第一区域中的该晶体管的该闸极结构的一表面。

    電晶體、絕緣層上覆矽裝置及其製造方法 TRANSISTORS, SILICON ON INSULATOR(SOI) DEVICES AND MANUFACTURING METHODS THEREOF
    6.
    发明专利
    電晶體、絕緣層上覆矽裝置及其製造方法 TRANSISTORS, SILICON ON INSULATOR(SOI) DEVICES AND MANUFACTURING METHODS THEREOF 有权
    晶体管、绝缘层上覆硅设备及其制造方法 TRANSISTORS, SILICON ON INSULATOR(SOI) DEVICES AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

    公开(公告)号：TWI328857B

    公开(公告)日：2010-08-11

    申请号：TW096105054

    申请日：2007-02-12

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

    Inventor： 鄭鈞隆 ,  鄭光茗 ,  鍾昇鎮 ,  李宗吉 ,  莊學理

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/78636

    Abstract: 本發明提供了一種絕緣層上覆矽裝置，包括：一第一絕緣層，位於一基底上；複數個分隔之半導體島，位於該第一絕緣層上；一第二絕緣層覆蓋該第一絕緣層，環繞該些半導體島並突出之；至少一開口，設置於該第二絕緣層之一部內，鄰近該些半導體島中之一對半導體島；一第一介電層，分別位於該對半導體島之一部上；一導電層，分別位於該第一介電層上與為該開口所露出之該第二絕緣層上；以及一對源極/汲極區，對應地設置於未為該閘介電層所覆蓋之該些半導體島之一部中。本發明另外提供了一種絕緣層上覆矽裝置之製造方法以及一種電晶體。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种绝缘层上覆硅设备，包括：一第一绝缘层，位于一基底上；复数个分隔之半导体岛，位于该第一绝缘层上；一第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，环绕该些半导体岛并突出之；至少一开口，设置于该第二绝缘层之一部内，邻近该些半导体岛中之一对半导体岛；一第一介电层，分别位于该对半导体岛之一部上；一导电层，分别位于该第一介电层上与为该开口所露出之该第二绝缘层上；以及一对源极/汲极区，对应地设置于未为该闸介电层所覆盖之该些半导体岛之一部中。本发明另外提供了一种绝缘层上覆硅设备之制造方法以及一种晶体管。

    半導體元件及其製法 INTERGATING A CAPACITOR IN A METAL GATE LAST PROCESS
    7.
    发明专利
    半導體元件及其製法 INTERGATING A CAPACITOR IN A METAL GATE LAST PROCESS 审中-公开
    半导体组件及其制法 INTERGATING A CAPACITOR IN A METAL GATE LAST PROCESS

    公开(公告)号：TW201021195A

    公开(公告)日：2010-06-01

    申请号：TW098122521

    申请日：2009-07-03

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

    Inventor： 莊學理 ,  李宗吉 ,  鄭光茗 ,  鍾昇鎮 ,  梁孟松

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/11 ,  H01L29/94

    Abstract: 本發明提供一種半導體元件，包括：一具有一第一區域與一第二區域之半導體基材：複數個具有複數個金屬閘極之電晶體，形成於第一區域；以及至少一電容，形成於第二區域。電容包括：一具有至少一停止結構之上電極，其中停止結構與上電極為不同材料；一下電極；以及一介電層，形成於上電極與下電極之間。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件，包括：一具有一第一区域与一第二区域之半导体基材：复数个具有复数个金属闸极之晶体管，形成于第一区域；以及至少一电容，形成于第二区域。电容包括：一具有至少一停止结构之上电极，其中停止结构与上电极为不同材料；一下电极；以及一介电层，形成于上电极与下电极之间。

    半導體裝置及其製作方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置及其製作方法 审中-公开
    半导体设备及其制作方法

    公开(公告)号：TW201839817A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106134235

    申请日：2017-10-03

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  范家聲 ,  FAN, CHIA SHENG

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/033 ,  H01L21/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

    Abstract: 本揭露提供一種金屬閘極結構和包含形成第一鰭片與第二鰭片於基材上之相關方法。在各種實施例中，第一鰭片具有第一閘極區域，且第二鰭片具有第二閘極區域。作為一例子，金屬閘極線係形成於第一閘極區域和第二閘極區域上。在一些實施例中，金屬閘極線從第一鰭片延伸至第二鰭片，且金屬閘極線包含犧牲金屬部分。在各種例子中，進行線切割製程，以將金屬閘極線分割為第一金屬閘極線和第二金屬閘極線。在一些實施例中，於線切割製程中，犧牲金屬部分避免了介電層之橫向蝕刻。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种金属闸极结构和包含形成第一鳍片与第二鳍片于基材上之相关方法。在各种实施例中，第一鳍片具有第一闸极区域，且第二鳍片具有第二闸极区域。作为一例子，金属闸极线系形成于第一闸极区域和第二闸极区域上。在一些实施例中，金属闸极线从第一鳍片延伸至第二鳍片，且金属闸极线包含牺牲金属部分。在各种例子中，进行线切割制程，以将金属闸极线分割为第一金属闸极线和第二金属闸极线。在一些实施例中，于线切割制程中，牺牲金属部分避免了介电层之横向蚀刻。

    半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201818548A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW106112644

    申请日：2017-04-14

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  張永豐 ,  CHANG, YUNG FENG

    IPC: H01L29/78 ,  H01L23/60 ,  H01L21/335

    Abstract: 一種半導體裝置及其製造方法。一芯軸被形成在包括一第一區域和一第二區域的一主動區域上。第一區域與第二區域分別被保留用於一鰭狀場效電晶體的一源極與一汲極的形成。形成於第二區域上方的芯軸的一部分被分解成一第一區段以及藉由一間隙而與第一區段分開的一第二區段。間隔物被形成在芯軸的相對側上。使用間隔物定義鰭片。鰭片自主動區域向上突出。對應於間隙的第二區域的一部分沒有鰭片形成在其上。源極被磊晶成長在第一區域中的鰭片上。汲極的至少一部分磊晶成長在第二區域不具鰭片的部分上。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其制造方法。一芯轴被形成在包括一第一区域和一第二区域的一主动区域上。第一区域与第二区域分别被保留用于一鳍状场效应管的一源极与一汲极的形成。形成于第二区域上方的芯轴的一部分被分解成一第一区段以及借由一间隙而与第一区段分开的一第二区段。间隔物被形成在芯轴的相对侧上。使用间隔物定义鳍片。鳍片自主动区域向上突出。对应于间隙的第二区域的一部分没有鳍片形成在其上。源极被磊晶成长在第一区域中的鳍片上。汲极的至少一部分磊晶成长在第二区域不具鳍片的部分上。

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