公开(公告)号：TW201727903A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105125713

申请日：2016-08-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 胡嘉欣 ,  HU, CHIA HSIN ,  林峪群 ,  LIN, YU CHIUN ,  鍾怡萱 ,  CHUNG, YI HSUAN ,  謝仲朋 ,  HSIEH, CHUNG PENG ,  楊忠傑 ,  YANG, CHUNG CHIEH ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN

IPC: H01L29/45

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L28/24

Abstract: 半導體裝置包含設置於基底上的虛設鰭狀結構，設置於一部分虛設鰭狀結構上的虛設閘極結構，虛設閘極結構嵌入於其中的第一層間介電層，設置於第一層間介電層上的第二層間介電層，以及由導電材料形成且嵌入於第二層間介電層的電阻導線。在平面圖中，電阻導線與虛設閘極結構重疊。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设闸极结构，虚设闸极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设闸极结构重叠。

公开(公告)号：TWI540701B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW102114963

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/511 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI524434B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102147883

申请日：2013-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃昱方 ,  HUANG, YU FANG ,  謝奇勳 ,  HSIEH, CHI HSUN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

公开(公告)号：TWI509804B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW100135847

申请日：2011-10-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  宋明相 ,  SONG, MING SHIANG ,  陳國基 ,  CHEN, KUO JI ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TWI503991B

公开(公告)日：2015-10-11

申请号：TW102137076

申请日：2013-10-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TW201415641A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：TW102137076

申请日：2013-10-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明一實施例提供p型場效電晶體結構的形成方法，包括形成遮罩層於半導體基板上，且遮罩層具有開口露出半導體基板的半導體區；經由遮罩層的開口對半導體基板進行n型摻質的離子佈植，以形成n型井於半導體區中；以及經由遮罩層的開口對半導體基板進行鍺通道佈植，以形成鍺通道佈植區於n型井中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供p型场效应管结构的形成方法，包括形成遮罩层于半导体基板上，且遮罩层具有开口露出半导体基板的半导体区；经由遮罩层的开口对半导体基板进行n型掺质的离子布植，以形成n型井于半导体区中；以及经由遮罩层的开口对半导体基板进行锗信道布植，以形成锗信道布植区于n型井中。

公开(公告)号：TW201344885A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW102114963

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  朱鳴 ,  ZHU, MING ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/511 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供了具有位於一基板之不同區域上之五個閘堆疊物之一種半導體裝置及其製造方法。此半導體裝置包括一半導體基板以及複數個隔離元件，以於半導體基板上分隔出複數個區域。上述不同區域包括一p型場效電晶體核心區、一p型場效電晶體輸入/輸出區、一n型場效電晶體核心區、一n型場效電晶體輸入/輸出區以及一高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了具有位于一基板之不同区域上之五个闸堆栈物之一种半导体设备及其制造方法。此半导体设备包括一半导体基板以及复数个隔离组件，以于半导体基板上分隔出复数个区域。上述不同区域包括一p型场效应管内核区、一p型场效应管输入/输出区、一n型场效应管内核区、一n型场效应管输入/输出区以及一高电阻区。

公开(公告)号：TW201246543A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW100135847

申请日：2011-10-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊 學理 ,  宋明相 ,  陳國基 ,  朱鳴 ,  陳柏年 ,  楊寶如

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 本揭示的半導體元件包含汲極、源極和閘極堆疊，閘極堆疊具有閘極介電層，閘極導電層直接位於閘極介電層的頂端上，以及第一閘極層和第二閘極層直接位於閘極導電層的頂端上。第一閘極層的第一電阻值高於第二閘極層的第二電阻值，第二閘極層具有導電性且與閘極導電層電性耦接，並且配置接觸端作為半導元件的閘極接觸端。此外，還揭示閘極堆疊的製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示的半导体组件包含汲极、源极和闸极堆栈，闸极堆栈具有闸极介电层，闸极导电层直接位于闸极介电层的顶端上，以及第一闸极层和第二闸极层直接位于闸极导电层的顶端上。第一闸极层的第一电阻值高于第二闸极层的第二电阻值，第二闸极层具有导电性且与闸极导电层电性耦接，并且配置接触端作为半导组件的闸极接触端。此外，还揭示闸极堆栈的制造方法。

公开(公告)号：TWI639218B

公开(公告)日：2018-10-21

申请号：TW106123511

申请日：2017-07-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林峪群 ,  LIN, YU CHIUN ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  蔡振華 ,  TSAI, CHEN HUA ,  林志勇 ,  LIN, CHIH YUNG

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/58 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI413183B

公开(公告)日：2013-10-21

申请号：TW098129014

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0629