公开(公告)号：TW201205750A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW099137735

申请日：2010-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭明達 ,  呂文雄 ,  林志偉 ,  陳靜雯 ,  吳逸文 ,  張家棟 ,  何明哲 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 下述揭露的金屬凸塊結構其機制,可解決基板上導電層與連接至導電層之金屬凸塊兩者界面的分層問題。導電層可為金屬墊或頂金屬層。經由臨場沉積導電保護層於導電層(或導電底層上),金屬凸塊的凸塊下冶金層與導電層之間具有良好黏著力,並可減少界面分層。在某些實施例中,可省略凸塊下冶金層中的銅擴散阻障層。在某些實施例中,若金屬凸塊結構的沉積方法為非電鍍製程且金屬凸塊的組成不是銅,則可省略凸塊下金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 下述揭露的金属凸块结构其机制,可解决基板上导电层与连接至导电层之金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上),金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好黏着力,并可减少界面分层。在某些实施例中,可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻障层。在某些实施例中,若金属凸块结构的沉积方法为非电镀制程且金属凸块的组成不是铜,则可省略凸块下金属层。

公开(公告)号：TWI419285B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：TW099137735

申请日：2010-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  呂文雄 ,  LU, WEN HSIUNG ,  林志偉 ,  LIN, CHIH WEI ,  陳靜雯 ,  CHEN, CHING WEN ,  吳逸文 ,  WU, YI WEN ,  張家棟 ,  CHANG, CHIA TUNG ,  何明哲 ,  HO, MING CHE ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012