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公开(公告)号：TWI410531B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099114609
申请日：2010-05-07
Inventor： 張家棟 , CHANG, CHIA TUNG , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 何明哲 , HO, MING CHE , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201322404A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101142758
申请日：2012-11-16
Inventor： 賴志維 , LAI, CHIH WEI , 何明哲 , HO, MING CHE , 楊宗翰 , YANG, TZONG HANN , 汪青蓉 , WANG, CHIEN RHONE , 張家棟 , CHANG, CHIA TUNG , 郭宏瑞 , KUO, HUNG JUI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC: H01L23/522 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: G06F17/5077 , G06F17/5072 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/034 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05016 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05552 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14132 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
Abstract: 本發明一實施例提供一種連接元件，包括：多個接點，位於一封裝組件的一頂面上，其中接點包括：一第一接點，具有一第一橫向尺寸；以及一第二接點，具有一第二橫向尺寸，其中第二橫向尺寸大於第一橫向尺寸，且第一橫向尺寸與第二橫向尺寸係由平行於封裝組件的一主表面的方向上量測而得的。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种连接组件，包括：多个接点，位于一封装组件的一顶面上，其中接点包括：一第一接点，具有一第一横向尺寸；以及一第二接点，具有一第二横向尺寸，其中第二横向尺寸大于第一横向尺寸，且第一横向尺寸与第二横向尺寸系由平行于封装组件的一主表面的方向上量测而得的。
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3.发明专利基板上的凸塊結構與其形成方法 BUMP STRUCTURE ON A SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开基板上的凸块结构与其形成方法 BUMP STRUCTURE ON A SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201205750A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW099137735
申请日：2010-11-03
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: 下述揭露的金屬凸塊結構其機制,可解決基板上導電層與連接至導電層之金屬凸塊兩者界面的分層問題。導電層可為金屬墊或頂金屬層。經由臨場沉積導電保護層於導電層(或導電底層上),金屬凸塊的凸塊下冶金層與導電層之間具有良好黏著力,並可減少界面分層。在某些實施例中,可省略凸塊下冶金層中的銅擴散阻障層。在某些實施例中,若金屬凸塊結構的沉積方法為非電鍍製程且金屬凸塊的組成不是銅,則可省略凸塊下金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 下述揭露的金属凸块结构其机制,可解决基板上导电层与连接至导电层之金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上),金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好黏着力,并可减少界面分层。在某些实施例中,可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻障层。在某些实施例中,若金属凸块结构的沉积方法为非电镀制程且金属凸块的组成不是铜,则可省略凸块下金属层。
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公开(公告)号：TWI497675B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101142758
申请日：2012-11-16
Inventor： 賴志維 , LAI, CHIH WEI , 何明哲 , HO, MING CHE , 楊宗翰 , YANG, TZONG HANN , 汪青蓉 , WANG, CHIEN RHONE , 張家棟 , CHANG, CHIA TUNG , 郭宏瑞 , KUO, HUNG JUI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC: H01L23/522 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: G06F17/5077 , G06F17/5072 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/034 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05016 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05552 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14132 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
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公开(公告)号：TWI419285B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099137735
申请日：2010-11-03
Inventor： 鄭明達 , CHENG, MING DA , 呂文雄 , LU, WEN HSIUNG , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 陳靜雯 , CHEN, CHING WEN , 吳逸文 , WU, YI WEN , 張家棟 , CHANG, CHIA TUNG , 何明哲 , HO, MING CHE , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
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6.发明专利直立式電鍍設備及其電鍍方法 VERTICAL PLATING EQUIPMENT AND PLATING METHOD THEREOF 审中-公开直立式电镀设备及其电镀方法 VERTICAL PLATING EQUIPMENT AND PLATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201139758A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099114609
申请日：2010-05-07
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: C25D
Abstract: 一種直立式電鍍設備,用以對一晶圓進行電鍍,包括一電鍍槽、一晶座以及一磁致動單元。電鍍槽呈放一電鍍液。晶座夾持該晶圓,並將該晶圓浸入該電鍍液之中。磁致動單元旋轉該晶座,藉此以在該電鍍液中旋轉該晶圓,以均勻化該晶圓的電鍍效果。
Abstract in simplified Chinese: 一种直立式电镀设备,用以对一晶圆进行电镀,包括一电镀槽、一晶座以及一磁致动单元。电镀槽呈放一电镀液。晶座夹持该晶圆,并将该晶圆浸入该电镀液之中。磁致动单元旋转该晶座,借此以在该电镀液中旋转该晶圆,以均匀化该晶圆的电镀效果。
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