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    半導體元件結構及其製造方法
    2.
    发明专利
    半導體元件結構及其製造方法 审中-公开
    半导体组件结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201535597A

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：TW103145308

    申请日：2014-12-24

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 呂文雄 ,  LU, WENHSIUNG ,  陳威宇 ,  CHEN, WEIYU ,  郭炫廷 ,  KUO, HSUANTING ,  鄭明達 ,  CHENG, MINGDA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNGSHI

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

    CPC分类号： H01L2224/11

    摘要： 本發明提供一種互連結構及其製造方法，在一實施方式中，後鈍化互連結構形成於基板之鈍化層的上方；凸塊形成於後鈍化互連結構之上方；模塑層形成於後鈍化互連結構之上方；利用滾柱塗佈一層薄膜於模塑層及凸塊之上方，再將位於模塑層及凸塊上方之薄膜移除，利用位於模塑層上之薄膜的殘留物形成保護層；進行電漿清潔，以移除位於凸塊上之薄膜的殘留物。

    简体摘要： 本发明提供一种互链接构及其制造方法，在一实施方式中，后钝化互链接构形成于基板之钝化层的上方；凸块形成于后钝化互链接构之上方；模塑层形成于后钝化互链接构之上方；利用滚柱涂布一层薄膜于模塑层及凸块之上方，再将位于模塑层及凸块上方之薄膜移除，利用位于模塑层上之薄膜的残留物形成保护层；进行等离子清洁，以移除位于凸块上之薄膜的残留物。

    用於模塑底膠填充之方法及裝置
    6.
    发明专利
    用於模塑底膠填充之方法及裝置 审中-公开
    用于模塑底胶填充之方法及设备

    公开(公告)号：TW201320205A

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：TW101114068

    申请日：2012-04-20

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  林修任 ,  LIN, HSIU JEN ,  林俊成 ,  LIN, CHUN CHENG ,  呂文雄 ,  LU, WEN HSIUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/77

    CPC分类号： H01L24/97 ,  B29C33/68 ,  B29C43/18 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

    摘要： 本發明揭示一種用於模塑底膠填充之方法及裝置，上述方法包括：在一第一溫度下，將一覆晶基底裝載於一模壓機的上模具及一下模具中所選定的一者內。將一模塑底膠填充材料放置於上下模具的其中一者內，同時將上下模具維持在第一溫度下，其低於模塑底膠填充材料的熔點溫度。形成一密閉模具腔室，且在其內抽真空。將模塑底膠填充材料升溫至一第二溫度，其高於模塑底膠填充材料的熔點溫度，使模塑底膠填充材料流至覆晶基底上方而形成一底膠層及一重疊模塑層。將覆晶基底及模具腔室冷卻至一第三溫度，其實質低於模塑底膠填充材料的熔點溫度。

    简体摘要： 本发明揭示一种用于模塑底胶填充之方法及设备，上述方法包括：在一第一温度下，将一覆晶基底装载于一模压机的上模具及一下模具中所选定的一者内。将一模塑底胶填充材料放置于上下模具的其中一者内，同时将上下模具维持在第一温度下，其低于模塑底胶填充材料的熔点温度。形成一密闭模具腔室，且在其内抽真空。将模塑底胶填充材料升温至一第二温度，其高于模塑底胶填充材料的熔点温度，使模塑底胶填充材料流至覆晶基底上方而形成一底胶层及一重叠模塑层。将覆晶基底及模具腔室冷却至一第三温度，其实质低于模塑底胶填充材料的熔点温度。