公开(公告)号：TWI606005B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW102138430

申请日：2013-10-24

申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

发明人： 剛司卡 朱利安 ,  GONSKA, JULIAN ,  蘭穆斯 猶根 ,  REINMUTH, JOCHEN ,  谷切 卡特琳 ,  GUTSCHE, KATHRIN ,  福雷 顏斯 ,  FREY, JENS ,  維伯 赫利貝爾特 ,  WEBER, HERIBERT

IPC分类号： B81B1/00 ,  G01C19/5656

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035

公开(公告)号：TW201736243A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105138990

申请日：2016-11-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN-WEN ,  李久康 ,  LEE, JIOU-KANG

IPC分类号： B81B3/00

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0785

摘要： 一種裝置包含一靜止結構、一彈簧及一驗證質量。該靜止結構具有一第一部分及一第二部分。該彈簧位於一基板上方。該彈簧具有自一邊緣突出且朝向該靜止結構之該第一部分擴展之一第一突出部。該驗證質量位於該基板上方且由該彈簧支撐。該驗證質量具有自一邊緣突出且朝向該靜止結構之該第二部分擴展之一第二突出部。該第一突出部與該第一部分之間的一第一間隙小於該第二突出部與該第二部分之間的一第二間隙。

简体摘要： 一种设备包含一静止结构、一弹簧及一验证质量。该静止结构具有一第一部分及一第二部分。该弹簧位于一基板上方。该弹簧具有自一边缘突出且朝向该静止结构之该第一部分扩展之一第一突出部。该验证质量位于该基板上方且由该弹簧支撑。该验证质量具有自一边缘突出且朝向该静止结构之该第二部分扩展之一第二突出部。该第一突出部与该第一部分之间的一第一间隙小于该第二突出部与该第二部分之间的一第二间隙。

公开(公告)号：TWI574911B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW101101383

申请日：2012-01-13

申请人： 煙草動力學股份有限公司 ,  CAVENDISH KINETICS, INC.

发明人： 雷諾特麥克 ,  RENAULT, MICKAEL ,  萊西喬瑟夫戴曼高登 ,  LACEY, JOSEPH DAMIAN GORDON ,  喬西菲克倫 ,  JOSHI, VIKRAM ,  麥格瑞湯瑪斯L ,  MAGUIRE, THOMAS L.

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

公开(公告)号：TW201630153A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104126109

申请日：2015-08-11

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李 凱文 ,  LEE, KEVIN J. ,  沙拉史瓦 路奇爾 ,  SARASWAT, RUCHIR ,  紀曼 伍威 ,  ZILLMANN, UWE ,  拉歐 瓦路里 ,  RAO, VALLURI BOB ,  魯納森 托爾 ,  LUND-LARSEN, TOR ,  考利 尼可拉斯 ,  COWLEY, NICHOLAS PAUL

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/52 ,  B81B7/02

CPC分类号： H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83688 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/166 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304

摘要： 本揭露之實施例描述使用矽通孔(TSV)之有整合麥克風裝置的晶粒及相關技術及組態。在一實施例中，設備包括包含半導體基板之設備，半導體基板具有第一側及置於第一側對面之第二側、形成於半導體基板之第一側上之互連層、經形成穿越半導體基板並經組配用以於半導體基板之第一側及半導體基板之第二側之間按路線發送電信號之矽通孔(TSV)、及形成於半導體基板之第二側上並與TSV電耦接之麥克風裝置。 可描述及/或主張其他實施例。

简体摘要： 本揭露之实施例描述使用硅通孔(TSV)之有集成麦克风设备的晶粒及相关技术及组态。在一实施例中，设备包括包含半导体基板之设备，半导体基板具有第一侧及置于第一侧对面之第二侧、形成于半导体基板之第一侧上之互连层、经形成穿越半导体基板并经组配用以于半导体基板之第一侧及半导体基板之第二侧之间按路线发送电信号之硅通孔(TSV)、及形成于半导体基板之第二侧上并与TSV电耦接之麦克风设备。 可描述及/或主张其他实施例。

公开(公告)号：TWI511266B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW102117484

申请日：2013-05-17

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 張恕銘 ,  CHANG, SHU MING ,  黃郁庭 ,  HUANG, YU TING ,  劉滄宇 ,  LIU, TSANG YU ,  何彥仕 ,  HO, YEN SHIH

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5384 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/60 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11

公开(公告)号：TW201539587A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103112450

申请日：2014-04-03

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEX INC.

发明人： 何彥仕 ,  HO, YEN SHIH ,  劉滄宇 ,  LIU, TSANG YU ,  林佳昇 ,  LIN, CHIA SHENG ,  張義民 ,  CHANG, YI MING

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC分类号： B81C1/00896 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/43 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明揭露一種晶片封裝體的製造方法，包括提供一基底及一蓋層，其中基底內具有一感測裝置鄰近於基底的一表面。透過一黏著層將蓋層貼附於基底的表面上，其中黏著層覆蓋感測裝置。沿著一方向，對基底、黏著層及蓋層進行一切割製程，以形成獨立的晶片封裝體。

简体摘要： 本发明揭露一种芯片封装体的制造方法，包括提供一基底及一盖层，其中基底内具有一传感设备邻近于基底的一表面。透过一黏着层将盖层贴附于基底的表面上，其中黏着层覆盖传感设备。沿着一方向，对基底、黏着层及盖层进行一切割制程，以形成独立的芯片封装体。

公开(公告)号：TW201521171A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW103139866

申请日：2014-11-18

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEX INC.

发明人： 劉建宏 ,  LIU, CHIEN HUNG ,  溫英男 ,  WEN, YING NAN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5386 ,  B81B7/0064 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/561 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明揭露一種晶片封裝體，包括一第一基底，具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中第一基底具有一微電子元件且具有複數導電墊鄰近於第一表面，且其中第一基底具有複數開口，分別暴露出每一導電墊的一部分。一第二基底設置於第一表面上。一密封層設置於第一表面上，且覆蓋第二基底。一重佈線層設置於第二表面上，且延伸至開口內，以與導電墊電性連接。

简体摘要： 本发明揭露一种芯片封装体，包括一第一基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中第一基底具有一微电子组件且具有复数导电垫邻近于第一表面，且其中第一基底具有复数开口，分别暴露出每一导电垫的一部分。一第二基底设置于第一表面上。一密封层设置于第一表面上，且覆盖第二基底。一重布线层设置于第二表面上，且延伸至开口内，以与导电垫电性连接。

公开(公告)号：TW201343533A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW101140051

申请日：2012-10-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

发明人： 張嘉誠 ,  CHANG, CHIA CHENG ,  范成至 ,  FAN, CHEN CHIH ,  周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S.

IPC分类号： B81C3/00 ,  B81B5/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

摘要： 一種微電機系統(MEMS)裝置可包括一於一第一基材上之微電機系統結構，微電機系統結構包括一中央靜態元件、一可移動元件、以及一外側靜態元件。一接合材質之部份位於中央靜態元件以及第一基材之間。一第二基材為於微電機系統結構上。一介電層之部份位於中央靜態元件以及第二基材之間。一支撐柱包括前述部份之接合材質、中央靜態元件、以及前述部份之介電材料。

简体摘要： 一种微电机系统(MEMS)设备可包括一于一第一基材上之微电机系统结构，微电机系统结构包括一中央静态组件、一可移动组件、以及一外侧静态组件。一接合材质之部份位于中央静态组件以及第一基材之间。一第二基材为于微电机系统结构上。一介电层之部份位于中央静态组件以及第二基材之间。一支撑柱包括前述部份之接合材质、中央静态组件、以及前述部份之介电材料。

公开(公告)号：TW201327746A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101149480

申请日：2012-12-24

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 何彥仕 ,  HO, YEN SHIH ,  關欣 ,  KUAN, HSIN ,  尤龍生 ,  YEOU, LONG SHENG ,  劉滄宇 ,  LIU, TSANG YU ,  鄭家明 ,  CHENG, CHIA MING

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L21/82 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/14 ,  H01L23/147 ,  H01L24/08 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/80 ,  H01L21/78

摘要： 一種半導體堆疊結構之製法，係將一規格之晶圓進行切割以形成複數晶片，再將各該晶片重新排設呈現另一規格之晶圓樣式，以藉由壩塊堆疊於所需之基板上，再於晶片上進行線路重佈層之製程，最後，進行切割以形成複數該半導體堆疊結構。本發明復提供該半導體堆疊結構。

简体摘要： 一种半导体堆栈结构之制法，系将一规格之晶圆进行切割以形成复数芯片，再将各该芯片重新排设呈现另一规格之晶圆样式，以借由坝块堆栈于所需之基板上，再于芯片上进行线路重布层之制程，最后，进行切割以形成复数该半导体堆栈结构。本发明复提供该半导体堆栈结构。

公开(公告)号：TW200814380A

公开(公告)日：2008-03-16

申请号：TW096132019

申请日：2007-08-29

申请人： 新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 村山啓 KEI MURAYAMA ,  白石晶紀 AKINORI SHIRAISHI ,  春原昌宏 MASAHIRO SUNOHARA ,  田口裕一 YUICHI TAGUCHI ,  小泉直幸 NAOYUKI KOIZUMI ,  東光敏 MITSUTOSHI HIGASHI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/055 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0384 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/486 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： 一種封裝體之製造方法,該方法包括:一蝕刻矽基板以形成一穿過該矽基板之介層孔的蝕刻步驟;以及一嵌入導電材料於該介層孔中以形成一介層插塞之步驟,特徵在於:該蝕刻步驟包括一以直線形狀形成該介層孔之第一蝕刻步驟及一以錐形形狀形成該介層孔之第二蝕刻步驟。

简体摘要： 一种封装体之制造方法,该方法包括:一蚀刻硅基板以形成一穿过该硅基板之介层孔的蚀刻步骤;以及一嵌入导电材料于该介层孔中以形成一介层插塞之步骤,特征在于:该蚀刻步骤包括一以直线形状形成该介层孔之第一蚀刻步骤及一以锥形形状形成该介层孔之第二蚀刻步骤。