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公开(公告)号：TWI512969B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102133797
申请日：2013-09-18
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/94
CPC分类号： H01L29/94 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201337613A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101128186
申请日：2012-08-06
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI
IPC分类号： G06F17/50 , G06K19/077
CPC分类号： G06F17/5036 , H01L23/49827 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： 一種模型化系統，包括一處理器，編程為用以分析一電路，以判斷此電路對於射頻訊號的響應，作為設計、製造或測試此電路之依據。一轉接板模型儲存於非暫時性電腦可讀儲存媒體，並可供處理器所存取。轉接板模型經電腦處理後輸出代表矽通孔電極對射頻信號之響應的資料。轉接板模型包括複數個矽通孔電極模型，每個矽通孔電極模型都有其相對應的三埠網路，每個三埠網路其中一埠皆為浮動節點，每個三埠網路的上述浮動節點都連接在一起。
简体摘要： 一种模型化系统，包括一处理器，编程为用以分析一电路，以判断此电路对于射频信号的响应，作为设计、制造或测试此电路之依据。一转接板模型存储于非暂时性电脑可读存储媒体，并可供处理器所存取。转接板模型经电脑处理后输出代表硅通孔电极对射频信号之响应的数据。转接板模型包括复数个硅通孔电极模型，每个硅通孔电极模型都有其相对应的三端口网络，每个三端口网络其中一端口皆为浮动节点，每个三端口网络的上述浮动节点都连接在一起。
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公开(公告)号：TWI488219B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW100138536
申请日：2011-10-24
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAOTSUNG , 陳煥能 , CHEN, HUANNENG , 林佑霖 , LIN, YULING , 郭晉瑋 , KUO, CHINWEI , 陳美秀 , CHEN, MEISHOW , 陳和祥 , CHEN, HOHSIANG , 鄭敏祺 , JENG, MINCHIE
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F2017/002 , H01F2017/004 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201431032A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102143710
申请日：2013-11-29
发明人： 林佑霖 , LIN, YU LING , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53257 , H01L23/5329 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01P5/028 , Y10T29/49124 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種使用微凸塊層之具有傳輸線之半導體裝置封裝結構的形成方法及裝置，此微凸塊層可包括微凸塊及線狀微凸塊，其形成於一頂部裝置與一底部裝置之間。可於底部裝置上使用線狀微凸塊形成一信號傳輸線。可使用底部裝置內之一重佈層或使用額外線狀微凸塊形成一接地面，形成接地面之重佈層可包括開口槽。線狀微凸塊上方及下方之底部裝置及頂部裝置可具有重佈線以形成接地面的一部份。
简体摘要： 本发明提供一种使用微凸块层之具有传输线之半导体设备封装结构的形成方法及设备，此微凸块层可包括微凸块及线状微凸块，其形成于一顶部设备与一底部设备之间。可于底部设备上使用线状微凸块形成一信号传输线。可使用底部设备内之一重布层或使用额外线状微凸块形成一接地面，形成接地面之重布层可包括开口槽。线状微凸块上方及下方之底部设备及顶部设备可具有重布线以形成接地面的一部份。
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公开(公告)号：TWI497329B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW101128186
申请日：2012-08-06
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI
IPC分类号： G06F17/50 , G06K19/077
CPC分类号： G06F17/5036 , H01L23/49827 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
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公开(公告)号：TW201417275A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102133797
申请日：2013-09-18
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/94
CPC分类号： H01L29/94 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一種差動金屬氧化半導體電容器半導體裝置，包括一第一電容器區、一第二電容器區及一導電板。該第一電容器區係耦合於一第一閘極，並且具有複數個第一電容器上電極。該等第一電容器上電極係耦合於該第一閘極。該第二電容器區係耦合於一第二閘極，並且具有複數個第二電容器上電極。該等第二電容器上電極係耦合於該第二閘極。該導電板係對於該第一電容器區及該第二電容器區做為一共底部電容器板，並且係成型於一底材之表面之中或之上。該等第一電容器上電極及該等第二電容器上電極係設置於該共底部電容器板之上。
简体摘要： 一种差动金属氧化半导体电容器半导体设备，包括一第一电容器区、一第二电容器区及一导电板。该第一电容器区系耦合于一第一闸极，并且具有复数个第一电容器上电极。该等第一电容器上电极系耦合于该第一闸极。该第二电容器区系耦合于一第二闸极，并且具有复数个第二电容器上电极。该等第二电容器上电极系耦合于该第二闸极。该导电板系对于该第一电容器区及该第二电容器区做为一共底部电容器板，并且系成型于一底材之表面之中或之上。该等第一电容器上电极及该等第二电容器上电极系设置于该共底部电容器板之上。
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公开(公告)号：TWI528519B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102143710
申请日：2013-11-29
发明人： 林佑霖 , LIN, YU LING , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53257 , H01L23/5329 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01P5/028 , Y10T29/49124 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI523169B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102144776
申请日：2013-12-06
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
CPC分类号： H01L28/10 , H01L21/76885 , H01L23/49822 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/1206 , H01L2924/19042 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201431022A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102144776
申请日：2013-12-06
发明人： 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING , 呂宗育 , LU, CHUNG YU , 郭晉瑋 , KUO, CHIN WEI , 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 胡憲斌 , HU, HSIEN PIN , 鄭敏祺 , JENG, MIN CHIE
CPC分类号： H01L28/10 , H01L21/76885 , H01L23/49822 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/1206 , H01L2924/19042 , H01L2924/00014
摘要： 本發明提供一種封裝體，包括：一第一裝置，包括一第一重配層(RDL)；一微凸塊層，位於第一裝置之上，包括與第一重配層(RDL)連接的一第一微凸塊導線；以及一第一電感，包括第一重配層(RDL)及第一微凸塊導線。本發明也提供一種封裝體的製造方法。
简体摘要： 本发明提供一种封装体，包括：一第一设备，包括一第一重配层(RDL)；一微凸块层，位于第一设备之上，包括与第一重配层(RDL)连接的一第一微凸块导线；以及一第一电感，包括第一重配层(RDL)及第一微凸块导线。本发明也提供一种封装体的制造方法。
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10.发明专利延伸於垂直面之緊密的垂直電感器 COMPACT VERTICAL INDUCTORS EXTENDING IN VERTICAL PLANES 审中-公开延伸于垂直面之紧密的垂直电感器 COMPACT VERTICAL INDUCTORS EXTENDING IN VERTICAL PLANES
公开(公告)号：TW201243912A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100138536
申请日：2011-10-24
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F2017/002 , H01F2017/004 , H01F2027/2809 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一種元件包含基材,和位於基材上之垂直電感器。垂直電感器包含由金屬所形成的複數個部分,其中每一個部分係延伸在垂直於基材之一主要表面的複數個平面其中一者中。金屬線內連接垂直電感器之此些部分其中多個相鄰者。
简体摘要： 一种组件包含基材,和位于基材上之垂直电感器。垂直电感器包含由金属所形成的复数个部分,其中每一个部分系延伸在垂直于基材之一主要表面的复数个平面其中一者中。金属线内连接垂直电感器之此些部分其中多个相邻者。
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