公开(公告)号：TW201714260A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105105945

申请日：2016-02-26

申请人： 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 ,  SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.

发明人： 譚小春

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06572

摘要： 本發明提供一種晶片的疊層封裝結構以及疊層封裝方法，在所述疊層封裝結構中，在進行第一層管芯封裝時通過互連體和第一重佈線體將電極引出，適應於焊盤間距密度較高的晶片封裝，同時無需用到鍵合引線，減少了封裝電阻，此外，利用貫穿第一包封體和基板的貫穿體引出第二層晶片上的電極，從而實現了晶片的疊層封裝，有效的減少了積體電路的封裝面積以及引腳數量。

简体摘要： 本发明提供一种芯片的叠层封装结构以及叠层封装方法，在所述叠层封装结构中，在进行第一层管芯封装时通过互连体和第一重布线体将电极引出，适应于焊盘间距密度较高的芯片封装，同时无需用到键合引线，减少了封装电阻，此外，利用贯穿第一包封体和基板的贯穿体引出第二层芯片上的电极，从而实现了芯片的叠层封装，有效的减少了集成电路的封装面积以及引脚数量。

公开(公告)号：TWI571961B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW104109641

申请日：2015-03-25

申请人： 英凡薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝勒卡塞姆 ,  HABA, BELGACEM ,  穆罕默德 依利亞斯 ,  MOHAMMED, ILYAS ,  王 良 ,  WANG, LIANG

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI570885B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW103115684

申请日：2010-11-22

申请人： 泰斯拉公司 ,  TESSERA, INC.

发明人： 歐根賽安 維吉 ,  OGANESIAN, VAGE ,  穆翰米德 艾里亞斯 ,  MOHAMMED, ILYAS ,  米契爾 克瑞格 ,  MITCHELL, CRAIG ,  哈巴 貝勒卡塞姆 ,  HABA, BELGACEM ,  賽維拉亞 琵悠許 ,  SAVALIA, PIYUSH

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201639106A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104139373

申请日：2015-11-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 林宗澍 ,  LIN, TSUNG SHU ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN WEI ,  謝政傑 ,  HSIEH, CHENG CHIEH ,  黃昶嘉 ,  HUANG, CHANG CHIA

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/043 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589

摘要： 本發明提供具有虛設晶粒之扇出堆疊系統級封裝(SIP)及其製造方法。一例示性封裝包含第一扇出層、該第一扇出層上方的扇出重佈層(RDL)、以及該扇出RDL上方的第二扇出層。該第一扇出層包含一或複數第一裝置晶粒、及沿著該一或複數第一裝置晶粒的側壁延伸的第一模塑料。該第二扇出層包含接合至扇出RDL的一或複數個裝置晶粒、接合至該扇出RDL的虛設晶粒、及沿著該一或複數第二裝置晶粒與該虛設晶粒之側壁延伸的第二模塑料。該扇出RDL將該一或複數第一裝置晶粒電性連接至該一或複數第二裝置晶粒，且該虛設晶粒質質上未具有任何有源裝置。

简体摘要： 本发明提供具有虚设晶粒之扇出堆栈系统级封装(SIP)及其制造方法。一例示性封装包含第一扇出层、该第一扇出层上方的扇出重布层(RDL)、以及该扇出RDL上方的第二扇出层。该第一扇出层包含一或复数第一设备晶粒、及沿着该一或复数第一设备晶粒的侧壁延伸的第一模塑料。该第二扇出层包含接合至扇出RDL的一或复数个设备晶粒、接合至该扇出RDL的虚设晶粒、及沿着该一或复数第二设备晶粒与该虚设晶粒之侧壁延伸的第二模塑料。该扇出RDL将该一或复数第一设备晶粒电性连接至该一或复数第二设备晶粒，且该虚设晶粒质质上未具有任何有源设备。

公开(公告)号：TW201616626A

公开(公告)日：2016-05-01

申请号：TW104117607

申请日：2015-06-01

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 英格蘭 盧克 ,  ENGLAND, LUKE ,  克利威爾 查利斯坦 ,  KLEWER, CHRISTIAN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭露一種用於製備三維積體化半導體元件之方法及所造成的元件。實施例包含分別地形成第一及第二接合墊於第一及第二半導體元件上，該第一及第二接合墊的每一個具有複數個金屬區段，該第一接合墊之該金屬區段具有不同於該第二接合墊之該金屬區段之組構或者具有與該第二接合墊之該金屬區段的組構相同但是相對於該第二接合墊而旋轉之組構；以及透過該第一及第二接合墊將該第一及第二半導體元件接合在一起。

简体摘要： 本发明揭露一种用于制备三维积体化半导体组件之方法及所造成的组件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体组件上，该第一及第二接合垫的每一个具有复数个金属区段，该第一接合垫之该金属区段具有不同于该第二接合垫之该金属区段之组构或者具有与该第二接合垫之该金属区段的组构相同但是相对于该第二接合垫而旋转之组构；以及透过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体组件接合在一起。

公开(公告)号：TWI523169B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW102144776

申请日：2013-12-06

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 顏孝璁 ,  YEN, HSIAO TSUNG ,  林佑霖 ,  LIN, YU LING ,  呂宗育 ,  LU, CHUNG YU ,  郭晉瑋 ,  KUO, CHIN WEI ,  劉醇鴻 ,  LIU, TZUAN HORNG ,  胡憲斌 ,  HU, HSIEN PIN ,  鄭敏祺 ,  JENG, MIN CHIE

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TW201601248A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW103138307

申请日：2014-11-05

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 葉朝陽 ,  YEH, CHAO YANG ,  林明村 ,  LIN, MING TSUN ,  陶昊 ,  TAO, HAU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

摘要： 為了提供高密度互連路徑用於互連半導體裝置，具有高密度路線的連結裝置係附接至封裝。在一實施方式中，該封裝係整合的扇出封裝(integrated fan out package)。該連結裝置可接合在該封裝的一側上，以及該封裝可依需要而包括穿透封裝通路。該連結裝置亦可為整合的被動裝置，其包含電阻器、電感器以及電容器組件。

简体摘要： 为了提供高密度互连路径用于互连半导体设备，具有高密度路线的链接设备系附接至封装。在一实施方式中，该封装系集成的扇出封装(integrated fan out package)。该链接设备可接合在该封装的一侧上，以及该封装可依需要而包括穿透封装通路。该链接设备亦可为集成的被动设备，其包含电阻器、电感器以及电容器组件。

公开(公告)号：TWI508226B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW099123256

申请日：2010-07-15

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 派蓋菈 瑞莎A ,  PAGAILA, REZA A. ,  官怡荷 ,  KUAN, HEAP HOE ,  馬力羅 迪歐斯可洛A ,  MERILO, DIOSCORO A.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201535594A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103134881

申请日：2014-10-07

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 川崎敦子 ,  KAWASAKI, ATSUKO

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/24 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001

摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法及半導體裝置，其中，如根據實施形態之半導體裝置之製造方法，形成第1導電層及第1絕緣層則從表面露出之第1配線層，形成第2導電層及第2絕緣層則從表面露出之第2配線層，經由前述第1絕緣層表面之中，將包含前述第1導電層周圍之一部分範圍，作為較前述第1導電層表面為低之時，於前述第1絕緣層表面，形成第1非接合面，接合前述第1導電層表面與前述第2導電層表面之同時，接合除了前述第1非接合面之前述第1絕緣層表面與前述第2絕緣層表面。

简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法及半导体设备，其中，如根据实施形态之半导体设备之制造方法，形成第1导电层及第1绝缘层则从表面露出之第1配线层，形成第2导电层及第2绝缘层则从表面露出之第2配线层，经由前述第1绝缘层表面之中，将包含前述第1导电层周围之一部分范围，作为较前述第1导电层表面为低之时，于前述第1绝缘层表面，形成第1非接合面，接合前述第1导电层表面与前述第2导电层表面之同时，接合除了前述第1非接合面之前述第1绝缘层表面与前述第2绝缘层表面。

公开(公告)号：TWI491008B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW101146413

申请日：2012-12-10

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 廖宗仁 ,  LIAO, TSUNG JEN

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00