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公开(公告)号：TW202023040A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108116025
申请日：2019-05-09
发明人： 黃益民 , HUANG, YI-MIN
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 在一些實施例中，本發明是有關於一種影像感測器，所述影像感測器包括設置在半導體基底中的第一光電二極體及第二光電二極體。浮動擴散節點沿所述半導體基底的前側設置在所述第一光電二極體與所述第二光電二極體之間。局部背側深溝渠隔離（BDTI）結構設置在所述半導體基底內及所述第一光電二極體與所述第二光電二極體之間。所述局部背側深溝渠隔離結構從所述半導體基底的背側延伸且與所述浮動擴散節點間隔開。完整背側深溝渠隔離結構從所述半導體基底的所述背側延伸到所述半導體基底的所述前側。
简体摘要： 在一些实施例中，本发明是有关于一种影像传感器，所述影像传感器包括设置在半导体基底中的第一光电二极管及第二光电二极管。浮动扩散节点沿所述半导体基底的前侧设置在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间。局部背侧深沟渠隔离（BDTI）结构设置在所述半导体基底内及所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间。所述局部背侧深沟渠隔离结构从所述半导体基底的背侧延伸且与所述浮动扩散节点间隔开。完整背侧深沟渠隔离结构从所述半导体基底的所述背侧延伸到所述半导体基底的所述前侧。
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公开(公告)号：TWI691066B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107137391
申请日：2018-10-23
发明人： 高橋誠司 , TAKAHASHI, SEIJI , 王銓中 , WANG, CHEN-JONG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 許峰嘉 , SHIU, FENG-JIA , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 施俊吉 , SZE, JHY-JYI , 張浚威 , CHANG, CHUN-WEI , 徐偉誠 , HSU, WEI-CHENG , 吳尉壯 , WU, WEI-CHUANG , 黃益民 , HUANG, YI-MIN
IPC分类号： H01L27/146
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公开(公告)号：TW202005068A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107137391
申请日：2018-10-23
发明人： 高橋誠司 , TAKAHASHI, SEIJI , 王銓中 , WANG, CHEN-JONG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 許峰嘉 , SHIU, FENG-JIA , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 施俊吉 , SZE, JHY-JYI , 張浚威 , CHANG, CHUN-WEI , 徐偉誠 , HSU, WEI-CHENG , 吳尉壯 , WU, WEI-CHUANG , 黃益民 , HUANG, YI-MIN
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本發明提供一種像素感測器。像素感測器包含配置於半導體基底中的第一光偵測器。第二光偵測器配置於半導體基底中，其中第一實質直線軸與第一光偵測器的中心點及第二光偵測器的中心點相交。浮動擴散節點配置於半導體基底中，所述浮動擴散節點處於距第一光偵測器及第二光偵測器實質上相等距離的點。拾取井接觸區配置於半導體基底中，其中實質上垂直於第一實質直線軸的第二實質直線軸與浮動擴散節點的中心點及拾取井接觸區的中心點相交。
简体摘要： 本发明提供一种像素传感器。像素传感器包含配置于半导体基底中的第一光侦测器。第二光侦测器配置于半导体基底中，其中第一实质直线轴与第一光侦测器的中心点及第二光侦测器的中心点相交。浮动扩散节点配置于半导体基底中，所述浮动扩散节点处于距第一光侦测器及第二光侦测器实质上相等距离的点。十取井接触区配置于半导体基底中，其中实质上垂直于第一实质直线轴的第二实质直线轴与浮动扩散节点的中心点及十取井接触区的中心点相交。
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公开(公告)号：TWI584417B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104136615
申请日：2015-11-06
发明人： 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 沈香谷 , SHEN, HSIANG KU , 蔡瀚霆 , TSAI, HAN TING , 黃益民 , HUANG, YIMIN
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L29/36 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/161 , H01L29/267 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
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公开(公告)号：TWI579906B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104139862
申请日：2015-11-30
发明人： 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 沈香谷 , SHEN, HSIANG KU , 蔡瀚霆 , TSAI, HAN TING , 黃益民 , HUANG, YI MIN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/43 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/0223 , H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/495 , H01L29/66431 , H01L29/66795 , H01L29/802
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公开(公告)号：TWI443757B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100116706
申请日：2011-05-12
发明人： 聶俊峰 , NIEH, CHUNFENG , 蔡明桓 , TSAI, MINGHUAN , 范瑋寒 , FAN, WEIHAN , 黃益民 , HUANG, YIMIN , 鄭振輝 , CHENG, CHUNFAI , 蔡瀚霆 , TSAI, HANTING , 吳啟明 , WU, CHIIIMING
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L29/66492 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201630126A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104136615
申请日：2015-11-06
发明人： 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 沈香谷 , SHEN, HSIANG KU , 蔡瀚霆 , TSAI, HAN TING , 黃益民 , HUANG, YIMIN
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L29/36 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L29/161 , H01L29/267 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
摘要： 一種半導體裝置結構及其方法被提供。上述半導體裝置結構包括半導體基板及位於半導體基板上的第一閘極堆疊及第二閘極堆疊。上述半導體裝置結構亦包括第一摻雜結構位於半導體基板上且鄰近第一閘極堆疊。其中第一摻雜結構包括III-V族化合物半導體材料及摻質。上述半導體裝置結構亦包括第二摻雜結構位於半導體基板上且鄰近第二閘極堆疊。第二摻雜結構包括III-V族化合物半導體材料及摻質。第一摻雜結構與第二摻雜結構的其中一者為n型半導體結構，且第一摻雜結構與第二摻雜結構的另一者為p型半導體結構。
简体摘要： 一种半导体设备结构及其方法被提供。上述半导体设备结构包括半导体基板及位于半导体基板上的第一闸极堆栈及第二闸极堆栈。上述半导体设备结构亦包括第一掺杂结构位于半导体基板上且邻近第一闸极堆栈。其中第一掺杂结构包括III-V族化合物半导体材料及掺质。上述半导体设备结构亦包括第二掺杂结构位于半导体基板上且邻近第二闸极堆栈。第二掺杂结构包括III-V族化合物半导体材料及掺质。第一掺杂结构与第二掺杂结构的其中一者为n型半导体结构，且第一掺杂结构与第二掺杂结构的另一者为p型半导体结构。
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公开(公告)号：TW201630056A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104139862
申请日：2015-11-30
发明人： 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 沈香谷 , SHEN, HSIANG KU , 蔡瀚霆 , TSAI, HAN TING , 黃益民 , HUANG, YI MIN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/43 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/0223 , H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/495 , H01L29/66431 , H01L29/66795 , H01L29/802
摘要： 本發明提供半導體裝置結構及其製造方法，此半導體裝置結構包含半導體基底和半導體基底上的鰭式結構，此半導體裝置結構也包含在一部分鰭式結構上的閘極堆疊，且鰭式結構包含在閘極堆疊下的中間部分和中間部分旁邊的上方部分，此半導體裝置結構更包含在鰭式結構上的接觸層，接觸層包含金屬材料，且鰭式結構的上方部分也包含此金屬材料。
简体摘要： 本发明提供半导体设备结构及其制造方法，此半导体设备结构包含半导体基底和半导体基底上的鳍式结构，此半导体设备结构也包含在一部分鳍式结构上的闸极堆栈，且鳍式结构包含在闸极堆栈下的中间部分和中间部分旁边的上方部分，此半导体设备结构更包含在鳍式结构上的接触层，接触层包含金属材料，且鳍式结构的上方部分也包含此金属材料。
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公开(公告)号：TW201642456A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104129609
申请日：2015-09-08
发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃益民 , HUANG, YIMIN , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689
摘要： 在此揭示一影像感測器。所述影像感測器有磊晶層、複數個栓塞結構以及導線結構。其中該些栓塞結構係形成於磊晶層中，且每一栓塞結構有複數個摻雜側壁，磊晶層與該些摻雜側壁形成複數個光二極體，所述的複數個栓塞結構是用來分離相鄰的光二極體，且磊晶層與摻雜側壁透過栓塞結構而耦接至導線結構。亦揭露了上述影像感測器的相關製備方法。所述方法包含：提供一基板，其具有位於第二型摻雜磊晶基板層上的第一型摻雜磊晶基板層；於第一型摻雜磊晶基板層中形成複數個隔離渠道；沿著該些隔離渠道的側壁與底部形成第二型摻雜區；以及藉由沈積金屬而填滿該些隔離渠道。
简体摘要： 在此揭示一影像传感器。所述影像传感器有磊晶层、复数个栓塞结构以及导线结构。其中该些栓塞结构系形成于磊晶层中，且每一栓塞结构有复数个掺杂侧壁，磊晶层与该些掺杂侧壁形成复数个光二极管，所述的复数个栓塞结构是用来分离相邻的光二极管，且磊晶层与掺杂侧壁透过栓塞结构而耦接至导线结构。亦揭露了上述影像传感器的相关制备方法。所述方法包含：提供一基板，其具有位于第二型掺杂磊晶基板层上的第一型掺杂磊晶基板层；于第一型掺杂磊晶基板层中形成复数个隔离渠道；沿着该些隔离渠道的侧壁与底部形成第二型掺杂区；以及借由沉积金属而填满该些隔离渠道。
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公开(公告)号：TWI580019B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104129609
申请日：2015-09-08
发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃益民 , HUANG, YIMIN , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689
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