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公开(公告)号：TW201717315A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104139108
申请日：2015-11-25
发明人： 蔡喻丞 , TSAI, YU CHENG , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN CHIEH , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 陳如曦 , CHEN, JU SHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/3212 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/08145 , H01L2224/215 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0104 , H01L2924/01072 , H01L2224/80
摘要： 提供使用基於混合鍵的銅合金的積體電路(IC)。積體電路包括一對垂直堆疊於彼此之上的半導體結構。半導體結構包含對應的介電層及佈置在介電層中的對應的金屬特徵。金屬特徵包含銅合金，其具有銅和次要金屬。積體電路另包括混合鍵，該混合鍵佈置在半導體結構之間的界面。混合鍵包含將介電層接合在一起的第一鍵及將金屬特徵接合在一起的第二鍵。第二鍵包含佈置於金屬特徵的銅晶粒之間的空隙且該空隙被次要金屬填充。本揭露還提供了使用基於混合鍵的銅合金將一對半導體結構接合在一起的方法。
简体摘要： 提供使用基于混合键的铜合金的集成电路(IC)。集成电路包括一对垂直堆栈于彼此之上的半导体结构。半导体结构包含对应的介电层及布置在介电层中的对应的金属特征。金属特征包含铜合金，其具有铜和次要金属。集成电路另包括混合键，该混合键布置在半导体结构之间的界面。混合键包含将介电层接合在一起的第一键及将金属特征接合在一起的第二键。第二键包含布置于金属特征的铜晶粒之间的空隙且该空隙被次要金属填充。本揭露还提供了使用基于混合键的铜合金将一对半导体结构接合在一起的方法。
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公开(公告)号：TW201642456A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104129609
申请日：2015-09-08
发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃益民 , HUANG, YIMIN , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689
摘要： 在此揭示一影像感測器。所述影像感測器有磊晶層、複數個栓塞結構以及導線結構。其中該些栓塞結構係形成於磊晶層中，且每一栓塞結構有複數個摻雜側壁，磊晶層與該些摻雜側壁形成複數個光二極體，所述的複數個栓塞結構是用來分離相鄰的光二極體，且磊晶層與摻雜側壁透過栓塞結構而耦接至導線結構。亦揭露了上述影像感測器的相關製備方法。所述方法包含：提供一基板，其具有位於第二型摻雜磊晶基板層上的第一型摻雜磊晶基板層；於第一型摻雜磊晶基板層中形成複數個隔離渠道；沿著該些隔離渠道的側壁與底部形成第二型摻雜區；以及藉由沈積金屬而填滿該些隔離渠道。
简体摘要： 在此揭示一影像传感器。所述影像传感器有磊晶层、复数个栓塞结构以及导线结构。其中该些栓塞结构系形成于磊晶层中，且每一栓塞结构有复数个掺杂侧壁，磊晶层与该些掺杂侧壁形成复数个光二极管，所述的复数个栓塞结构是用来分离相邻的光二极管，且磊晶层与掺杂侧壁透过栓塞结构而耦接至导线结构。亦揭露了上述影像传感器的相关制备方法。所述方法包含：提供一基板，其具有位于第二型掺杂磊晶基板层上的第一型掺杂磊晶基板层；于第一型掺杂磊晶基板层中形成复数个隔离渠道；沿着该些隔离渠道的侧壁与底部形成第二型掺杂区；以及借由沉积金属而填满该些隔离渠道。
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公开(公告)号：TW201739028A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105143700
申请日：2016-12-28
发明人： 陳如曦 , CHEN, JU-SHI , 何承穎 , HO, CHENG-YING , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN-CHIEH , 陳昇照 , CHEN, SHENG-CHAU , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 沈卉紋 , SHEN, HUI-WEN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2225/1041 , H01L2225/1082
摘要： 改良形成3DIC裝置之半導體晶圓的混合接合產率之方法包含第一與第二晶圓具有在BEOL製程過程中沉積且圖案化的偽與主要金屬。偽金屬圖案的金屬佔據任何給定的偽金屬圖案區域的表面積約40%至約90%。高偽金屬表面覆蓋結合使用插槽傳導墊，允許晶圓表面之改良的平坦化用於混合接合。平坦化的晶圓具有最小的外形差異，對應於小於約400Å的階梯高度差異。平坦化的第一與第二晶圓對準，而後施加熱與壓力而混合接合；介電質至介電質，RDL至RDL。亦可使用微影控制實現約0.5 mm至約1.5 mm的WEE，以促進晶圓邊緣處的外形均勻性。用於混合接合之晶圓的改良平坦性造成所形成之3DIC裝置的改良接合均勻性。
简体摘要： 改良形成3DIC设备之半导体晶圆的混合接合产率之方法包含第一与第二晶圆具有在BEOL制程过程中沉积且图案化的伪与主要金属。伪金属图案的金属占据任何给定的伪金属图案区域的表面积约40%至约90%。高伪金属表面覆盖结合使用插槽传导垫，允许晶圆表面之改良的平坦化用于混合接合。平坦化的晶圆具有最小的外形差异，对应于小于约400Å的阶梯高度差异。平坦化的第一与第二晶圆对准，而后施加热与压力而混合接合；介电质至介电质，RDL至RDL。亦可使用微影控制实现约0.5 mm至约1.5 mm的WEE，以促进晶圆边缘处的外形均匀性。用于混合接合之晶圆的改良平坦性造成所形成之3DIC设备的改良接合均匀性。
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公开(公告)号：TWI553824B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103138143
申请日：2014-11-04
发明人： 何承穎 , HO, CHENG YING , 林政賢 , LIN, JENG SHYAN , 許文義 , HSU, WEN I , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 蔡映麟 , TSAI, YING LING
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/7681 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/02 , H01L24/04 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/2405 , H01L2224/24146 , H01L2224/24147 , H01L2224/32146 , H01L2224/451 , H01L2224/48463 , H01L2224/73227 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/8203 , H01L2224/821
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公开(公告)号：TWI670863B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107121149
申请日：2018-06-20
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN
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公开(公告)号：TW201724480A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138957
申请日：2016-11-25
发明人： 高敏峰 , KAO, MIN-FENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 林政賢 , LIN, JENG-SHYAN , 黃薰瑩 , HUANG, HSUN-YING , 許慈軒 , HSU, TZU-HSUAN
CPC分类号： H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469
摘要： 本發明實施例提供一種具有一反射器之前側照明式(FSI)影像感測器。一光偵測器埋置於一感測器基板中。一支撐基板配置於該感測器基板下方且接合至該感測器基板。該反射器配置於該光偵測器下方，介於該感測器基板與該支撐基板之間，且經組態以將入射輻射朝向該光偵測器反射。本發明實施例亦提供一種用於製造FSI影像感測器及反射器之方法。
简体摘要： 本发明实施例提供一种具有一反射器之前侧照明式(FSI)影像传感器。一光侦测器埋置于一传感器基板中。一支撑基板配置于该传感器基板下方且接合至该传感器基板。该反射器配置于该光侦测器下方，介于该传感器基板与该支撑基板之间，且经组态以将入射辐射朝向该光侦测器反射。本发明实施例亦提供一种用于制造FSI影像传感器及反射器之方法。
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公开(公告)号：TW201919253A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107121149
申请日：2018-06-20
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN , 王昱仁 , WANG, YU-JEN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： 本發明實施例係關於一種半導體影像感測器裝置，其包含一半導體基板、一輻射感測區及一第一隔離結構。該輻射感測區在該半導體基板中。該第一隔離結構在該半導體基板中且鄰近於該輻射感測區。該第一隔離結構包含在該半導體基板中之一底部隔離部分、在該半導體基板中之一上隔離部分，及包圍該上隔離部分之一側壁的一擴散阻障層。
简体摘要： 本发明实施例系关于一种半导体影像传感器设备，其包含一半导体基板、一辐射传感区及一第一隔离结构。该辐射传感区在该半导体基板中。该第一隔离结构在该半导体基板中且邻近于该辐射传感区。该第一隔离结构包含在该半导体基板中之一底部隔离部分、在该半导体基板中之一上隔离部分，及包围该上隔离部分之一侧壁的一扩散阻障层。
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公开(公告)号：TWI624006B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW104139108
申请日：2015-11-25
发明人： 蔡喻丞 , TSAI, YU CHENG , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN CHIEH , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 陳如曦 , CHEN, JU SHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/00 , H01L25/065
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公开(公告)号：TW201727882A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134356
申请日：2016-10-24
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN-TING , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO-HUI , 黃志輝 , HUANG, CHIH-HUI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 李昇展 , LI, SHENG-CHAN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 本發明實施例係關於一種具有改良之DTI結構之BSI影像感測器及一種相關聯之形成方法。在一些實施例中，該BSI影像感測器包括被放置在對應於複數個像素區之一基板內的複數個影像感測元件。一深溝槽隔離件(DTI)柵格被放置在鄰近影像感測元件之間且自該基板之一上表面延伸至該基板內的位置。該DTI柵格包括經放置在該基板之該上表面下方的氣隙，該等氣隙具有由一第一介電層包圍的下部分及由一第二介電層密封的一些上部分。
简体摘要： 本发明实施例系关于一种具有改良之DTI结构之BSI影像传感器及一种相关联之形成方法。在一些实施例中，该BSI影像传感器包括被放置在对应于复数个像素区之一基板内的复数个影像传感组件。一深沟槽隔离件(DTI)栅格被放置在邻近影像传感组件之间且自该基板之一上表面延伸至该基板内的位置。该DTI栅格包括经放置在该基板之该上表面下方的气隙，该等气隙具有由一第一介电层包围的下部分及由一第二介电层密封的一些上部分。
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公开(公告)号：TW201725713A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105132755
申请日：2016-10-11
发明人： 許文義 , HSU, WEN-I , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 周耕宇 , CHOU, KENG-YU
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14685
摘要： 本揭露係關於具有自動對焦功能之一影像感測器及相關聯方法。在某些實施例中，積體電路具有：一光電二極體陣列，其具有放置於一半導體基板內之複數個光電二極體；及一複合柵格，其上覆於該光電二極體陣列且具有垂直延伸穿過該複合柵格之第一複數個開口及第二複數個開口。該積體電路進一步具有：一影像感測像素陣列，其具有放置於該第一複數個開口中之複數個彩色濾光器。該積體電路進一步具有：一相位偵測像素陣列，其具有複數個相位偵測組件，該複數個相位偵測組件小於該複數個彩色濾光器且具有帶有小於該複數個彩色濾光器之一折射率(n)之一折射率之一低折射率(低n)材料，其中該等相位偵測組件放置於該第二複數個開口中。
简体摘要： 本揭露系关于具有自动对焦功能之一影像传感器及相关联方法。在某些实施例中，集成电路具有：一光电二极管数组，其具有放置于一半导体基板内之复数个光电二极管；及一复合栅格，其上覆于该光电二极管数组且具有垂直延伸穿过该复合栅格之第一复数个开口及第二复数个开口。该集成电路进一步具有：一影像传感像素数组，其具有放置于该第一复数个开口中之复数个彩色滤光器。该集成电路进一步具有：一相位侦测像素数组，其具有复数个相位侦测组件，该复数个相位侦测组件小于该复数个彩色滤光器且具有带有小于该复数个彩色滤光器之一折射率(n)之一折射率之一低折射率(低n)材料，其中该等相位侦测组件放置于该第二复数个开口中。
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