光感測元件及其製備方法
    1.
    发明专利
    光感測元件及其製備方法 审中-公开
    光传感组件及其制备方法

    公开(公告)号:TW201304173A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:TW100124002

    申请日:2011-07-07

    IPC分类号: H01L31/07

    CPC分类号: H01L31/035227 H01L31/108

    摘要: 本發明係有關於一種光感測元件及其製備方法,本發明之光感測元件具有極大蕭特基接面且其包括:一第一導電層;複數金屬奈米線,該每一金屬奈米線之一端係與該第一導電層連接,且該每一金屬奈米線之表面係覆有一半導體層,該半導體層之厚度係為1nm-20nm;以及一第二導電層,係對應該第一導電層而配置,該複數金屬奈米線係配置於該第一導電層與該第二導電層之間,且該第二導電層與該複數金屬奈米線表面之半導體層接觸;其中,該光感測元件係用於感測波長10nm-400nm之紫外光。

    简体摘要: 本发明系有关于一种光传感组件及其制备方法,本发明之光传感组件具有极大萧特基接面且其包括:一第一导电层;复数金属奈米线,该每一金属奈米线之一端系与该第一导电层连接,且该每一金属奈米线之表面系覆有一半导体层,该半导体层之厚度系为1nm-20nm;以及一第二导电层,系对应该第一导电层而配置,该复数金属奈米线系配置于该第一导电层与该第二导电层之间,且该第二导电层与该复数金属奈米线表面之半导体层接触;其中,该光传感组件系用于传感波长10nm-400nm之紫外光。