公开(公告)号：TW201634289A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104137404

申请日：2015-11-12

申请人： EV集團E塔那有限公司 ,  EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： 放克羅 安卓亞

IPC分类号： B32B37/10 ,  H01L21/18 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

摘要： 本發明係關於一種用於接合一第一基板(4)與一第二基板(4’)之方法，其特徵為該第一基板(4)及/或該第二基板(4’)在該接合之前經薄化。

简体摘要： 本发明系关于一种用于接合一第一基板(4)与一第二基板(4’)之方法，其特征为该第一基板(4)及/或该第二基板(4’)在该接合之前经薄化。

公开(公告)号：TW201526122A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103134753

申请日：2014-10-06

申请人： 奧瑞可國際公司 ,  ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION

发明人： 戴林格 麥克 ,  DAYRINGER, MICHAEL H. S. ,  霍金斯 爾 ,  HOPKINS, R. DAVID ,  周 懷恩 ,  CHOW, ALEX

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/72 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16135 ,  H01L2224/16151 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81129 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/37001

摘要： 描述一種組裝組件及使用該組裝組件組裝晶片封裝的一種技術。此晶片封裝包括在垂直方向上以疊層配置的半導體晶粒組，其在水平方向上彼此偏移以在該垂直疊層的一側界定階梯。再者，該晶片封裝可使用該組裝組件組裝。特別係該組裝組件可包括幾乎反映該晶片封裝的該階梯並提供垂直位置參考的一對階梯，該等垂直位置參考在該晶片封裝的組裝期間用於將該半導體晶粒組放置在該垂直疊層中的組裝工具。

简体摘要： 描述一种组装组件及使用该组装组件组装芯片封装的一种技术。此芯片封装包括在垂直方向上以叠层配置的半导体晶粒组，其在水平方向上彼此偏移以在该垂直叠层的一侧界定阶梯。再者，该芯片封装可使用该组装组件组装。特别系该组装组件可包括几乎反映该芯片封装的该阶梯并提供垂直位置参考的一对阶梯，该等垂直位置参考在该芯片封装的组装期间用于将该半导体晶粒组放置在该垂直叠层中的组装工具。

公开(公告)号：TW201631624A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104138366

申请日：2015-11-20

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 菅川賢治 ,  SUGAKAWA, KENJI ,  三村勇之 ,  MIMURA, YUJI ,  松本宗兵 ,  MATSUMOTO, SHUHEI ,  增永隆宏 ,  MASUNAGA, TAKAHIRO ,  月嶋慎 ,  TSUKISHIMA, MAKOTO

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/681 ,  H01L21/8221 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/08 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75601 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75823 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明之課題係適當地檢査基板彼此之水平方向位置並加以調節，以妥善地進行該基板彼此間的接合處理。其解決方式係以上夾頭之底面固持上晶圓(步驟S5)。藉由溫度調節部而使下晶圓之溫度調節成高於上晶圓之溫度(步驟S9)。以下夾頭之頂面固持下晶圓(步驟S10)。藉由攝影部拍攝下夾頭所固持之下晶圓的複數之基準點，並在測定該複數之基準點之位置後，比較測定結果與既定之容許範圍，而檢查下晶圓之狀態(步驟S12)。藉由推動構件以推壓上晶圓之中心部(步驟S16)，並在使該上晶圓之中心部與第2基板之中心部已抵接之狀態下，由上晶圓之中心部朝向外周部，依序接合上晶圓與下晶圓(步驟S17)。

简体摘要： 本发明之课题系适当地检查基板彼此之水平方向位置并加以调节，以妥善地进行该基板彼此间的接合处理。其解决方式系以上夹头之底面固持上晶圆(步骤S5)。借由温度调节部而使下晶圆之温度调节成高于上晶圆之温度(步骤S9)。以下夹头之顶面固持下晶圆(步骤S10)。借由摄影部拍摄下夹头所固持之下晶圆的复数之基准点，并在测定该复数之基准点之位置后，比较测定结果与既定之容许范围，而检查下晶圆之状态(步骤S12)。借由推动构件以推压上晶圆之中心部(步骤S16)，并在使该上晶圆之中心部与第2基板之中心部已抵接之状态下，由上晶圆之中心部朝向外周部，依序接合上晶圆与下晶圆(步骤S17)。

公开(公告)号：TW201405675A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102120779

申请日：2013-06-11

申请人： 佳能機械股份有限公司 ,  CANON MACHINERY INC.

发明人： 河合慎也 ,  KAWAI, SHINYA ,  池田晋作 ,  IKEDA, SHINSAKU

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/83192

摘要： 本發明提供一種基板搬運裝置以及基板搬運方法，即使預形成位置變動也不需增加裝置零件個數，而可進行穩定的預形成作業以及黏合作業。將基板沿著其搬運方向從上游側朝向下游側進行間隔傳送，並在保持上述基板的狀態下將黏著劑塗佈於基板的島狀區。其後，在下游側的黏合位置將晶片黏合至塗佈有黏著劑的島狀區。使預形成位置對應基板的島狀區的位置而變動，且在使預形成位置變動時，使預形成位置和基板的保持位置進行同步並變動，在上述已變動的預形成位置將黏著劑塗佈至基板的島狀區。

简体摘要： 本发明提供一种基板搬运设备以及基板搬运方法，即使预形成位置变动也不需增加设备零件个数，而可进行稳定的预形成作业以及黏合作业。将基板沿着其搬运方向从上游侧朝向下游侧进行间隔发送，并在保持上述基板的状态下将黏着剂涂布于基板的岛状区。其后，在下游侧的黏合位置将芯片黏合至涂布有黏着剂的岛状区。使预形成位置对应基板的岛状区的位置而变动，且在使预形成位置变动时，使预形成位置和基板的保持位置进行同步并变动，在上述已变动的预形成位置将黏着剂涂布至基板的岛状区。

公开(公告)号：TWI382481B

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：TW098115572

申请日：2009-05-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHENHUA ,  邱文智 ,  CHIOU, WENCHIH ,  吳文進 ,  WU, WENGJIN

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49135 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201021138A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：TW098115572

申请日：2009-05-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 余振華 ,  邱文智 ,  吳文進

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49133 ,  Y10T29/49135 ,  H01L2924/00

摘要： 一種接合方法,包含下列步驟:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,掃描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判斷其厚度變化。其次,將第一晶粒之第一表面朝向第二晶粒之第二表面。利用厚度變化,調整第一晶粒與第二晶粒,使得第一表面與第二表面互相平行。最後,將第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,調整第一晶粒與第二晶粒之步驟包含傾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。

简体摘要： 一种接合方法,包含下列步骤:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判断其厚度变化。其次,将第一晶粒之第一表面朝向第二晶粒之第二表面。利用厚度变化,调整第一晶粒与第二晶粒,使得第一表面与第二表面互相平行。最后,将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,调整第一晶粒与第二晶粒之步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。

公开(公告)号：TWI490962B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW102134714

申请日：2013-09-26

申请人： 國立交通大學 ,  NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

发明人： 陳智 ,  CHEN, CHIH ,  劉道奇 ,  LIU, TAOCHI ,  黃以撒 ,  HUANG, YI SA ,  劉健民 ,  LIU, CHIEN MIN

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TW201430972A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102141433

申请日：2013-11-14

申请人： 艾馬克科技公司 ,  AMKOR TECHNOLOGY, INC.

发明人： 凱利 麥可G ,  KELLY, MICHAEL G. ,  休莫勒 羅納 派翠克 ,  HUEMOELLER, RONALD PATRICK ,  杜旺朱 ,  DO, WON CHUL

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/1616 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/16145

摘要： 用於一具有一晶粒對晶粒的第一接合的半導體裝置封裝之方法被揭示，並且可包含接合一或多個包括電子裝置的半導體晶粒至一中介層晶粒。一種底膠填充材料可被施加在該半導體晶粒以及該中介層晶粒之間，並且一種模製材料可被施加以囊封該半導體晶粒。該中介層晶粒可被薄化以露出直通矽晶穿孔(TSV)。該半導體晶粒的接合可包括附著該半導體晶粒至一黏著層，以及接合該半導體晶粒至該中介層晶粒。該半導體晶粒可包括用於耦接至該中介層晶粒的微凸塊，其中該接合係包括：定位該微凸塊在一設置在該中介層晶粒上的層中之個別的井中；以及接合該微凸塊至該中介層晶粒。該半導體晶粒可利用一質量回焊製程或是一熱壓縮製程而被接合至該中介層晶粒。

简体摘要： 用于一具有一晶粒对晶粒的第一接合的半导体设备封装之方法被揭示，并且可包含接合一或多个包括电子设备的半导体晶粒至一中介层晶粒。一种底胶填充材料可被施加在该半导体晶粒以及该中介层晶粒之间，并且一种模制材料可被施加以囊封该半导体晶粒。该中介层晶粒可被薄化以露出直通硅晶穿孔(TSV)。该半导体晶粒的接合可包括附着该半导体晶粒至一黏着层，以及接合该半导体晶粒至该中介层晶粒。该半导体晶粒可包括用于耦接至该中介层晶粒的微凸块，其中该接合系包括：定位该微凸块在一设置在该中介层晶粒上的层中之个别的井中；以及接合该微凸块至该中介层晶粒。该半导体晶粒可利用一质量回焊制程或是一热压缩制程而被接合至该中介层晶粒。

公开(公告)号：TW201027644A

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：TW098138007

申请日：2009-11-09

申请人： 奧利安系統集成私人有限公司

发明人： 周輝星 ,  王之建 ,  林建福 ,  申 愛瑪蓮 ,  林紹雄

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K1/203 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7515 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/8115 ,  H01L2224/8116 ,  H01L2224/8117 ,  H01L2224/8118 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  Y10T29/41 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 一種用以製作一覆晶半導體封裝結構的方法。該方法包含對一如半導體晶片之半導體元件進行加工,以及對一如基板之元件載具進行加工。該半導體元件包含形成於其表面之凸點結構。該基板包含形成於其表面之焊墊。所述半導體晶片之加工過程中,係將該半導體晶片加熱至一晶片加工溫度。該晶片加工溫度熔化凸點結構上之焊料部份。所述基板之加工過程中,係將該基板至一基板加工溫度。該方法包含在空間上將該半導體晶片對齊於該基板,以便使該等凸點結構對齊該等焊墊。之後將該半導體晶片放置於該基板上,使該半導體晶片之凸點結構接觸該基板之焊墊,藉以形成兩者間之接合。本發明並包含一種實現上述方法之系統。

简体摘要： 一种用以制作一覆晶半导体封装结构的方法。该方法包含对一如半导体芯片之半导体组件进行加工,以及对一如基板之组件载具进行加工。该半导体组件包含形成于其表面之凸点结构。该基板包含形成于其表面之焊垫。所述半导体芯片之加工过程中,系将该半导体芯片加热至一芯片加工温度。该芯片加工温度熔化凸点结构上之焊料部份。所述基板之加工过程中,系将该基板至一基板加工温度。该方法包含在空间上将该半导体芯片对齐于该基板,以便使该等凸点结构对齐该等焊垫。之后将该半导体芯片放置于该基板上,使该半导体芯片之凸点结构接触该基板之焊垫,借以形成两者间之接合。本发明并包含一种实现上述方法之系统。

公开(公告)号：TWI600095B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW102141433

申请日：2013-11-14

申请人： 艾馬克科技公司 ,  AMKOR TECHNOLOGY, INC.

发明人： 凱利 麥可G ,  KELLY, MICHAEL G. ,  休莫勒 羅納 派翠克 ,  HUEMOELLER, RONALD PATRICK ,  杜旺朱 ,  DO, WON CHUL

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/1616 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/16145