公开(公告)号：TW201709324A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105108959

申请日：2016-03-23

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 土手暁 ,  DOTE, AKI ,  石剛 ,  ISHITSUKA, TAKESHI ,  北田秀樹 ,  KITADA, HIDEKI

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562

摘要： 一種半導體裝置，其係包括：半導體基板；配線層，其係設於該半導體基板之正面側上；貫穿通孔，其係從該半導體基板之背面側穿透該半導體基板且耦合至被包含於該配線層中的配線；以及應力鬆弛部，其係向貫穿通孔側突出且設置於該配線中之區段且耦合至該貫穿通孔，該應力鬆弛部包括含有熱膨脹係數小於該貫穿通孔之材料之絕緣材料的至少一絕緣部。

简体摘要： 一种半导体设备，其系包括：半导体基板；配线层，其系设于该半导体基板之正面侧上；贯穿通孔，其系从该半导体基板之背面侧穿透该半导体基板且耦合至被包含于该配线层中的配线；以及应力松弛部，其系向贯穿通孔侧突出且设置于该配线中之区段且耦合至该贯穿通孔，该应力松弛部包括含有热膨胀系数小于该贯穿通孔之材料之绝缘材料的至少一绝缘部。

公开(公告)号：TWI618143B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105108959

申请日：2016-03-23

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 土手暁 ,  DOTE, AKI ,  石剛 ,  ISHITSUKA, TAKESHI ,  北田秀樹 ,  KITADA, HIDEKI

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562

公开(公告)号：TW201332121A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101144310

申请日：2012-11-27

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 石塚剛 ,  ISHITSUKA, TAKESHI ,  田代浩子 ,  TASHIRO, HIROKO

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L28/40 ,  H01L29/94

摘要： 一種半導體裝置包括一電容器，該電容器包括：一第一導電類型的第一半導體區域；一設置在該第一半導體區域上之第一導電類型的第二半導體區域，該第二半導體區域比該第一半導體區域具有更高之第一導電類型雜質濃度；一設置在該第二半導體區域上之第一導電類型的第三半導體區域，該第三半導體區域包括一接觸區域而且比該第二半導體區域具有更高的第一導電類型雜質濃度；一設置在該第三半導體區域上的介電薄膜；及一設置在該介電薄膜上位於該接觸區域旁邊的上電極。

简体摘要： 一种半导体设备包括一电容器，该电容器包括：一第一导电类型的第一半导体区域；一设置在该第一半导体区域上之第一导电类型的第二半导体区域，该第二半导体区域比该第一半导体区域具有更高之第一导电类型杂质浓度；一设置在该第二半导体区域上之第一导电类型的第三半导体区域，该第三半导体区域包括一接触区域而且比该第二半导体区域具有更高的第一导电类型杂质浓度；一设置在该第三半导体区域上的介电薄膜；及一设置在该介电薄膜上位于该接触区域旁边的上电极。

公开(公告)号：TW201330211A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101143440

申请日：2012-11-21

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 田代浩子 ,  TASHIRO, HIROKO ,  石塚剛 ,  ISHITSUKA, TAKESHI

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66181

摘要： 一種半導體裝置包括一半導體電路和一電容器，該電容器包括：一第一導電類型的第一半導體區域、一第一導電類型的第二半導體區域，該第二半導體區域是設置在該第一導電類型的第一半導體區域上而且比該第一導電類型之第一半導體區域具有更高之第一導電類型雜質的濃度、一設置在該第一導電類型之第二半導體區域上之第二導電類型的半導體區域、一設置在該第二導電類型之半導體區域上的介電薄膜、一設置在該介電薄膜上的上電極、一設置在該第二導電類型之半導體區域之上且是電氣連接到該第二導電類型之半導體區域的第一互連線、及一電氣連接至該上電極的第二互連線。

简体摘要： 一种半导体设备包括一半导体电路和一电容器，该电容器包括：一第一导电类型的第一半导体区域、一第一导电类型的第二半导体区域，该第二半导体区域是设置在该第一导电类型的第一半导体区域上而且比该第一导电类型之第一半导体区域具有更高之第一导电类型杂质的浓度、一设置在该第一导电类型之第二半导体区域上之第二导电类型的半导体区域、一设置在该第二导电类型之半导体区域上的介电薄膜、一设置在该介电薄膜上的上电极、一设置在该第二导电类型之半导体区域之上且是电气连接到该第二导电类型之半导体区域的第一互连接、及一电气连接至该上电极的第二互连接。