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    覆晶封裝基板之製法及其結構
    2.
    发明专利
    覆晶封裝基板之製法及其結構 审中-公开
    覆晶封装基板之制法及其结构

    公开(公告)号：TW201947678A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW107115944

    申请日：2018-05-10

    申请人： 恆勁科技股份有限公司 ,  PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.

    发明人： 周保宏 ,  CHOU, PAOHUNG ,  余俊賢 ,  YU, CHUN HSIEN ,  許詩濱 ,  HSU, SHIH PING ,  郭同堯 ,  KUO, TUNG YAO

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/28

    摘要： 一種覆晶封裝基板之製法及其結構，該製法係包括於將複數具有導電柱之絕緣層相互堆疊，使各該導電柱相互接觸疊置，以令該些絕緣層與該些導電柱作為該覆晶封裝基板之核心層結構，故藉由本發明所製作之該核心層結構，能依需求而製作出小端面尺寸之導電柱，因此當該核心層結構之厚度增加時，不僅能增加該覆晶封裝基板之剛性強度而避免發生板翹，且更保有能將導電柱之端面尺寸微小化設計的彈性，因而能於該核心層結構上製作高密度佈設的電性連接點、細線路間距及高密度佈線之線路層者。

    简体摘要： 一种覆晶封装基板之制法及其结构，该制法系包括于将复数具有导电柱之绝缘层相互堆栈，使各该导电柱相互接触叠置，以令该些绝缘层与该些导电柱作为该覆晶封装基板之内核层结构，故借由本发明所制作之该内核层结构，能依需求而制作出小端面尺寸之导电柱，因此当该内核层结构之厚度增加时，不仅能增加该覆晶封装基板之刚性强度而避免发生板翘，且更保有能将导电柱之端面尺寸微小化设计的弹性，因而能于该内核层结构上制作高密度布设的电性连接点、细线路间距及高密度布线之线路层者。

    封裝基板之製作方法
    3.
    发明专利
    封裝基板之製作方法 审中-公开
    封装基板之制作方法

    公开(公告)号：TW201725633A

    公开(公告)日：2017-07-16

    申请号：TW105100616

    申请日：2016-01-08

    申请人： 恆勁科技股份有限公司 ,  PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.

    发明人： 余俊賢 ,  YU, CHUN HSIEN ,  許詩濱 ,  HSU, SHIH PING ,  周保宏 ,  CHOU, PAO HUNG

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/46

    CPC分类号： C25D5/022 ,  C25D7/00 ,  H01L21/4857

    摘要： 本發明揭示一種封裝基板之製作方法，其步驟包含：提供一承載板；形成一第一介電材料層於該承載板上，並圖案化該第一介電材料層，使得一開口區形成於該第一介電材料層內，藉以露出該承載板；形成一第一導電單元於該承載板上，使得位於該開口區的該第一導電單元之高度大於該第一介電材料層之厚度，並使得位於該第一介電材料層之上的該第一導電單元之寬度大於該開口區之寬度；形成一第二介電材料層於該第一導電單元上；形成一第二導電單元於該第二介電材料層上；形成一第三介電材料層於該第二導電單元上；移除該承載板，並移除該第一導電單元位於該開口區內的部分；以及形成一第四介電材料層，使其包覆該第才導電單元。

    简体摘要： 本发明揭示一种封装基板之制作方法，其步骤包含：提供一承载板；形成一第一介电材料层于该承载板上，并图案化该第一介电材料层，使得一开口区形成于该第一介电材料层内，借以露出该承载板；形成一第一导电单元于该承载板上，使得位于该开口区的该第一导电单元之高度大于该第一介电材料层之厚度，并使得位于该第一介电材料层之上的该第一导电单元之宽度大于该开口区之宽度；形成一第二介电材料层于该第一导电单元上；形成一第二导电单元于该第二介电材料层上；形成一第三介电材料层于该第二导电单元上；移除该承载板，并移除该第一导电单元位于该开口区内的部分；以及形成一第四介电材料层，使其包覆该第才导电单元。

    封裝基板及其製作方法
    8.
    发明专利
    封裝基板及其製作方法 审中-公开
    封装基板及其制作方法

    公开(公告)号：TW201707153A

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：TW104126587

    申请日：2015-08-14

    申请人： 恆勁科技股份有限公司 ,  PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.

    发明人： 余俊賢 ,  YU, CHUN HSIEN ,  許詩濱 ,  HSU, SHIH PING ,  周保宏 ,  CHOU, PAO HUNG ,  彭其豐 ,  PENG, CHI FENG

    IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/58

    CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L2221/68345

    摘要： 本發明揭示一種封裝基板及其製作方法。該封裝基板包括：一第一介電材料層，具有一開口區；一第一導電單元，具有一位於該第一介電材料層的該開口區內的第一部分、及一位於該第一介電材料層之上的第二部分；以及一第二介電材料層，包覆該第一介電材料層及該第一導電單元；其中，該第一導電單元的高度大於該第一介電材料層之厚度，且該第一導電單元的該第二部分之橫向截面大於其第一部分之橫向截面。

    简体摘要： 本发明揭示一种封装基板及其制作方法。该封装基板包括：一第一介电材料层，具有一开口区；一第一导电单元，具有一位于该第一介电材料层的该开口区内的第一部分、及一位于该第一介电材料层之上的第二部分；以及一第二介电材料层，包覆该第一介电材料层及该第一导电单元；其中，该第一导电单元的高度大于该第一介电材料层之厚度，且该第一导电单元的该第二部分之横向截面大于其第一部分之横向截面。