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公开(公告)号：TW201519383A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103112486
申请日：2014-04-03
申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人： 朴成秀 , PARK, SUNG SU , 文鐘奎 , MOON, JONG KYU , 朴完春 , PARK, WAN CHOON , 金培用 , KIM, BAE YONG
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05166 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/05664 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1441 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/16145 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要： 本發明提供一種半導體裝置。所述半導體裝置包括：直通電極，其穿透基板，使得所述直通電極的端部從基板的表面突出；鈍化層，其覆蓋所述基板的表面並且定義了暴露所述直通電極的端部的插插塞洞；以及阻障插塞，其填充所述插插塞洞。本發明進一步提供了相關的方法、相關的記憶卡及相關電子系統。
简体摘要： 本发明提供一种半导体设备。所述半导体设备包括：直通电极，其穿透基板，使得所述直通电极的端部从基板的表面突出；钝化层，其覆盖所述基板的表面并且定义了暴露所述直通电极的端部的插插塞洞；以及阻障插塞，其填充所述插插塞洞。本发明进一步提供了相关的方法、相关的记忆卡及相关电子系统。
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公开(公告)号：TWI615919B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103138331
申请日：2014-11-05
申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人： 朴津佑 , PARK, JIN WOO , 朴成秀 , PARK, SUNG SU , 金培用 , KIM, BAE YONG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/051 , H01L2224/05138 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01014 , H01L2924/012
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公开(公告)号：TW201604991A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103138331
申请日：2014-11-05
申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人： 朴津佑 , PARK, JIN WOO , 朴成秀 , PARK, SUNG SU , 金培用 , KIM, BAE YONG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/051 , H01L2224/05138 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01014 , H01L2924/012
摘要： 一種半導體裝置包含一具有一不平坦的表面之晶片主體，所述不平坦的表面包含至少兩個彼此在不同的高度之區域、一貫穿所述晶片主體並且具有一藉由所述晶片主體的不平坦的表面露出的末端之貫通電極、一設置在所述晶片主體的不平坦的表面上之鈍化層、以及一設置在所述鈍化層及所述貫通電極的露出的末端上並且與所述晶片主體的不平坦的表面重疊之凸塊。
简体摘要： 一种半导体设备包含一具有一不平坦的表面之芯片主体，所述不平坦的表面包含至少两个彼此在不同的高度之区域、一贯穿所述芯片主体并且具有一借由所述芯片主体的不平坦的表面露出的末端之贯通电极、一设置在所述芯片主体的不平坦的表面上之钝化层、以及一设置在所述钝化层及所述贯通电极的露出的末端上并且与所述芯片主体的不平坦的表面重叠之凸块。
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