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公开(公告)号：TW201822245A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106129903
申请日：2017-09-01
发明人： 王家銳 , WANG, JIARUI , 庫許魯須薩 派瑞尚特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 , VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND , 羅伊 蘇史密辛哈 , ROY, SUSMIT SINGHA , 李 光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033
摘要： 本揭示的實施方案一般係關於積體電路的製造。更特定言之，本文所述的實施方案提供用於在基板上沉積厚硬遮罩膜的技術。在一個實施方案中，提供在基板上形成硬遮罩層的方法。該方法包含以下步驟：將夾持電壓施加到位於處理腔室中的靜電卡盤上的基板，藉由在處理腔室中供應晶種層氣體混合物並維持夾持電壓，而在設置於基板上的膜堆疊上形成包含硼的晶種層，藉由在處理腔室中供應過渡層氣體混合物，在晶種層上形成包含硼與鎢的過渡層，以及藉由在處理腔室中供應主沉積氣體混合物，在過渡層上形成塊狀硬遮罩層。
简体摘要： 本揭示的实施方案一般系关于集成电路的制造。更特定言之，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬遮罩膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬遮罩层的方法。该方法包含以下步骤：将夹持电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，借由在处理腔室中供应晶种层气体混合物并维持夹持电压，而在设置于基板上的膜堆栈上形成包含硼的晶种层，借由在处理腔室中供应过渡层气体混合物，在晶种层上形成包含硼与钨的过渡层，以及借由在处理腔室中供应主沉积气体混合物，在过渡层上形成块状硬遮罩层。
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公开(公告)号：TWI471448B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW097138750
申请日：2008-10-08
发明人： 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 沙里帕里尤卡納德N , SARIPALLI, YOGANAND N. , 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 金柏涵 , KIM, BOK HOEN , 希發拉馬奎斯南菲斯維斯沃倫 , SIVARAMAKRISHNAN, VISWESWAREN , 葉溫蒂H , YEH, WENDY H. , 劉張珠惠約瑟芬 , LIU CHANG, JU-HWEI JOSEPHINE , 阿巴雅提亞彌爾 , AL-BAYATI, AMIR , 惠蒂德瑞克R , WITTY, DEREK R. , 姆薩德希肯 , M'SAAD, HICHEM
CPC分类号： H01L21/76829 , C23C16/26 , H01L21/3146
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公开(公告)号：TW201731131A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105140351
申请日：2016-12-07
发明人： 葉 正約翰 , YE, ZHENG JOHN , 塙廣二 , HANAWA, HIROJI , 羅莎亞凡利斯 君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 曼納 帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 蔣 文揚 , TSIANG, MICHAEL WENYOUNG , 葛 艾倫 , KO, ALLEN , 王文佼 , WANG, WENJIAO , 林永景 , LIN, YONGJING , 庫許魯須薩 派瑞尚特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 韓 新海 , HAN, XINHAI , 金 秉憲 , KIM, BOK HOEN , 李 光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 娜拉辛赫 卡席克辛馬瓦朱拉 , NARASIMHA, KARTHIK THIMMAVAJJULA , 段 子青 , DUAN, ZIQING , 帕奇 迪尼斯 , PADHI, DEENESH
IPC分类号： H01L41/047 , H01L21/683 , H01L23/32
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556
摘要： 揭示對於靜電吸盤的方法與設備的技術，此靜電吸盤適合在高操作溫度下操作。在一個實例中，提供一種基板支撐組件。基板支撐組件包含實質上碟形的陶瓷主體，陶瓷主體具有上表面、圓柱側壁以及下表面。上表面經配置以支撐基板於上表面上，以在真空處理腔室中處理基板。圓柱側壁界定陶瓷主體的外直徑。下表面放置為相對於上表面。電極被放置在陶瓷主體中。電路被電性連接至電極。電路包含DC吸附電路、第一RF驅動電路以及第二RF驅動電路。DC吸附電路、第一RF驅動電路以及第二RF驅動電路電性耦合至電極。
简体摘要： 揭示对于静电吸盘的方法与设备的技术，此静电吸盘适合在高操作温度下操作。在一个实例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面放置为相对于上表面。电极被放置在陶瓷主体中。电路被电性连接至电极。电路包含DC吸附电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC吸附电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电性耦合至电极。
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公开(公告)号：TWI554634B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100115149
申请日：2011-04-29
发明人： 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 拉提蘇哈 , RATHI, SUDHA , 程秋 , CHAN, CHIU , 林麥可H , LIN, MICHAEL H.
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/46 , H01L21/033 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02115 , C23C16/26 , H01L21/02274 , H01L21/31144
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公开(公告)号：TW201534410A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104104102
申请日：2015-02-06
发明人： 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 庫許魯須薩派瑞尙特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 馬里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C16/26 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32357
摘要： 本發明提供清潔處理腔室的方法，以用於去除處理腔室中的非晶含碳殘留物。該清潔製程在清潔製程期間使用低頻率射頻(RF)偏壓功率。在一實施例中，清潔處理腔室的方法包括供應清潔氣體混合物至處理腔室中，對配置在該處理腔室內的基板支座組件施加約2MHz或更低的RF偏壓功率以於該處理腔室內於該清潔氣體混合物中形成電漿，並去除該處理腔室中的沉積殘留物。
简体摘要： 本发明提供清洁处理腔室的方法，以用于去除处理腔室中的非晶含碳残留物。该清洁制程在清洁制程期间使用低频率射频(RF)偏压功率。在一实施例中，清洁处理腔室的方法包括供应清洁气体混合物至处理腔室中，对配置在该处理腔室内的基板支座组件施加约2MHz或更低的RF偏压功率以于该处理腔室内于该清洁气体混合物中形成等离子，并去除该处理腔室中的沉积残留物。
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公开(公告)号：TWI680496B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW106129903
申请日：2017-09-01
发明人： 王家銳 , WANG, JIARUI , 庫許魯須薩 派瑞尚特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 , VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND , 羅伊 蘇史密辛哈 , ROY, SUSMIT SINGHA , 李 光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033
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公开(公告)号：TWI670392B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104127352
申请日：2015-08-21
发明人： 庫許魯須薩派瑞尙特庫馬 , KULSHRESHTHA, PRASHANT KUMAR , 拉提蘇哈 , RATHI, SUDHA , 加普拉凱特P , JHA, PRAKET P. , 巴蘇薩普塔爾西 , BASU, SAPTARSHI , 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 西蒙斯馬丁J , SEAMONS, MARTIN J. , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 段子青 , DUAN, ZIQING , 荊雷 , JING, LEI , 帕迪特瑪達爾B , PANDIT, MANDAR B.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
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公开(公告)号：TW201802282A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106113042
申请日：2017-04-19
发明人： 鈴木洋一 , SUZUKI, YOICHI , 蔣 文揚 , TSIANG, MICHAEL WENYOUNG , 李 光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 盛井貴司 , MORII, TAKASHI , 後藤裕太 , GOTO, YUTA
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02274 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/67742 , H01L22/12
摘要： 本揭示案大致關於用於執行半導體設備製造的方法，且更具體而言是關於平版印刷疊置技術上的改良。用於改良疊置的方法包括以下步驟：在一基板上沉積一材料；使用熱能在一腔室中加熱一基板；量測各基板的一局部應力圖樣，其中量測該局部應力圖樣的步驟量測該基板上之該經沉積材料之一深度上的一改變量；在一k圖上繪製複數個點以決定該基板的一局部應力圖樣；調整施用於該k圖上之該等點的該熱能；針對該k圖上之該等點中的各者決定一敏感度值；及將一校正因數施用於該經施用的熱能，以調整該局部應力圖樣。
简体摘要： 本揭示案大致关于用于运行半导体设备制造的方法，且更具体而言是关于平版印刷叠置技术上的改良。用于改良叠置的方法包括以下步骤：在一基板上沉积一材料；使用热能在一腔室中加热一基板；量测各基板的一局部应力图样，其中量测该局部应力图样的步骤量测该基板上之该经沉积材料之一深度上的一改变量；在一k图上绘制复数个点以决定该基板的一局部应力图样；调整施用于该k图上之该等点的该热能；针对该k图上之该等点中的各者决定一敏感度值；及将一校正因子施用于该经施用的热能，以调整该局部应力图样。
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公开(公告)号：TWI421364B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098134833
申请日：2009-10-14
发明人： 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 盛井貴司 , MORII, TAKASHI , 鈴木洋 , SUZUKI, YOICHI , 拉提蘇哈 , RATHI, SUDHA , 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 帕奇迪尼斯 , PADHI, DEENESH , 金柏涵 , KIM, BOK HOEN , 帕當賈南辛西亞 , PAGDANGANAN, CYNTHIA
IPC分类号： C23C16/24
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/26 , C23C16/45523 , C23C16/5096 , H01L21/3141
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公开(公告)号：TWI636501B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW101141568
申请日：2012-11-08
发明人： 李光德道格拉斯 , LEE, KWANGDUK DOUGLAS , 拉提蘇哈 , RATHI, SUDHA , 程秋 , CHAN, CHIU , 西蒙斯馬丁J , SEAMONS, MARTIN J. , 金秉憲 , KIM, BOK HOEN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3105
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