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公开(公告)号：TW201831046A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107100086
申请日：2004-08-19
Inventor： 土屋薰 , TSUCHIYA, KAORU , 安西彩 , ANZAI, AYA , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 松田豐 , MATSUDA, YUTAKA
Abstract: 本發明的目的就是提供一種密封結構，其阻止了作為破壞因素的材料例如水或者氧氣從外部進入，並且在顯示器中使用有機或無機場致發光元件的顯示器中可以獲得足夠的可靠性。鑒於上述目的，專注於中間層絕緣膜的滲透性，根據本發明，藉由阻止水從中間層絕緣膜的進入，可抑制場致發光元件的損壞並且獲得了足夠的可靠性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的就是提供一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光组件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，专注于中间层绝缘膜的渗透性，根据本发明，借由阻止水从中间层绝缘膜的进入，可抑制场致发光组件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：TWI674034B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107100086
申请日：2004-08-19
Inventor： 土屋薰 , TSUCHIYA, KAORU , 安西彩 , ANZAI, AYA , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 松田豐 , MATSUDA, YUTAKA
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公开(公告)号：TWI699835B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105119161
申请日：2016-06-17
Inventor： 伊藤大吾 , ITO, DAIGO , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 山本孔明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 浜田崇 , HAMADA, TAKASHI , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 山出直人 , YAMADE, NAOTO
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201330273A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101144216
申请日：2012-11-26
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO , 家田義紀 , IEDA, YOSHINORI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本發明的一個方式提供一種包括通道長度小的微型的電晶體的半導體裝置。在閘極電極層上形成閘極絕緣層，在閘極絕緣層上形成氧化物半導體層，在氧化物半導體層上形成第一導電層及第二導電層，在第一導電層及第二導電層上形成導電膜，在導電膜上形成抗蝕劑，在進行電子束曝光之後對導電膜選擇性地進行蝕刻來形成與第一導電層上接觸的第三導電層及與第二導電層上接觸的第四導電層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种包括信道长度小的微型的晶体管的半导体设备。在闸极电极层上形成闸极绝缘层，在闸极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第一导电层及第二导电层，在第一导电层及第二导电层上形成导电膜，在导电膜上形成抗蚀剂，在进行电子束曝光之后对导电膜选择性地进行蚀刻来形成与第一导电层上接触的第三导电层及与第二导电层上接触的第四导电层。
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公开(公告)号：TWI571168B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104121146
申请日：2004-08-19
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 土屋薰 , TSUCHIYA, KAORU , 安西彩 , ANZAI, AYA , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 松田豐 , MATSUDA, YUTAKA
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI538111B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW098121197
申请日：2009-06-24
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 大沼英人 , OHNUMA, HIDETO , 牧野賢一郎 , MAKINO, KENICHIRO , 飯窪陽一 , IIKUBO, YOICHI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 志賀愛子 , SHIGA, AIKO
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76254 , H01L29/66772 , H01L29/78621
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公开(公告)号：TW201724909A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105135726
申请日：2004-08-19
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 土屋薰 , TSUCHIYA, KAORU , 安西彩 , ANZAI, AYA , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 松田豐 , MATSUDA, YUTAKA
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明的目的就是提供一種密封結構，其阻止了作為破壞因素的材料例如水或者氧氣從外部進入，並且在顯示器中使用有機或無機場致發光元件的顯示器中可以獲得足夠的可靠性。鑒於上述目的，專注於中間層絕緣膜的滲透性，根據本發明，藉由阻止水從中間層絕緣膜的進入，可抑制場致發光元件的損壞並且獲得了足夠的可靠性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的就是提供一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光组件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，专注于中间层绝缘膜的渗透性，根据本发明，借由阻止水从中间层绝缘膜的进入，可抑制场致发光组件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：TW201709346A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105119161
申请日：2016-06-17
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 伊藤大吾 , ITO, DAIGO , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 山本孔明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 浜田崇 , HAMADA, TAKASHI , 岡崎豊 , OKAZAKI, YUTAKA , 笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 倉田求 , KURATA, MOTOMU , 山出直人 , YAMADE, NAOTO
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/425 , H01L21/46 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7782 , H01L29/7854 , H01L29/7855 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一種半導體裝置，包括：基板上的第一絕緣層；第一絕緣層上的第一金屬氧化物層；第一金屬氧化物層上的氧化物半導體層；氧化物半導體層上的第二金屬氧化物層；第二金屬氧化物層上的閘極絕緣層；第二金屬氧化物層上的第二絕緣層；以及閘極絕緣層上的閘極電極層，其中，閘極絕緣層包括與閘極電極層的側面接觸的區域，第二絕緣層包括與閘極絕緣層接觸的區域，氧化物半導體層包括第一區域至第三區域，第一區域包括與閘極電極層重疊的區域，第二區域包括與閘極絕緣層或第二絕緣層重疊的區域，第二區域在第一區域和第三區域之間，並且，第二區域及第三區域包括含有元素N(N為磷、氬、氙)的區域。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：基板上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第一金属氧化物层；第一金属氧化物层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第二金属氧化物层；第二金属氧化物层上的闸极绝缘层；第二金属氧化物层上的第二绝缘层；以及闸极绝缘层上的闸极电极层，其中，闸极绝缘层包括与闸极电极层的侧面接触的区域，第二绝缘层包括与闸极绝缘层接触的区域，氧化物半导体层包括第一区域至第三区域，第一区域包括与闸极电极层重叠的区域，第二区域包括与闸极绝缘层或第二绝缘层重叠的区域，第二区域在第一区域和第三区域之间，并且，第二区域及第三区域包括含有元素N(N为磷、氩、氙)的区域。
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公开(公告)号：TW201601586A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104121146
申请日：2004-08-19
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 土屋薰 , TSUCHIYA, KAORU , 安西彩 , ANZAI, AYA , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 松田豐 , MATSUDA, YUTAKA
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明的目的就是提供一種密封結構，其阻止了作為破壞因素的材料例如水或者氧氣從外部進入，並且在顯示器中使用有機或無機場致發光元件的顯示器中可以獲得足夠的可靠性。鑒於上述目的，專注於中間層絕緣膜的滲透性，根據本發明，藉由阻止水從中間層絕緣膜的進入，可抑制場致發光元件的損壞並且獲得了足夠的可靠性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的就是提供一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光组件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，专注于中间层绝缘膜的渗透性，根据本发明，借由阻止水从中间层绝缘膜的进入，可抑制场致发光组件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：TWI619405B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105135726
申请日：2004-08-19
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 土屋薰 , TSUCHIYA, KAORU , 安西彩 , ANZAI, AYA , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 永井雅晴 , NAGAI, MASAHARU , 松田豐 , MATSUDA, YUTAKA
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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