利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

37 条记录 (耗时 0.034 秒)

    發光裝置及其製造方法
    1.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201834202A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106144012

    申请日：2010-09-15

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 江口晉吾 ,  EGUCHI, SHINGO ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 本發明的目的在於增進發光裝置的可靠度。本發明的另一目的在於提供可撓性給具有使用氧化物半導體膜的薄膜電晶體之發光裝置。發光裝置在一可撓基底上具有驅動電路部及像素部，驅動電路部包含用於驅動電路的薄膜電晶體，像素部包含用於像素的薄膜電晶體。用於驅動電路的薄膜電晶體及用於像素的薄膜電晶體是逆交錯薄膜電晶體，包含與部份氧化物絕緣層接觸的氧化物半導體層。

    简体摘要： 本发明的目的在于增进发光设备的可靠度。本发明的另一目的在于提供可挠性给具有使用氧化物半导体膜的薄膜晶体管之发光设备。发光设备在一可挠基底上具有驱动电路部及像素部，驱动电路部包含用于驱动电路的薄膜晶体管，像素部包含用于像素的薄膜晶体管。用于驱动电路的薄膜晶体管及用于像素的薄膜晶体管是逆交错薄膜晶体管，包含与部份氧化物绝缘层接触的氧化物半导体层。

    發光裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202004922A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108120329

    申请日：2010-09-01

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    摘要： 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    简体摘要： 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

    發光裝置及其製造方法
    7.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201820485A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW107104775

    申请日：2010-09-01

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    摘要： 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    简体摘要： 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。