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公开(公告)号:TWI671579B
公开(公告)日:2019-09-11
申请号:TW107119798
申请日:2010-10-05
发明人: 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 荒澤亮 , ARASAWA,RYO , 小山潤 , KOYAMA,JUN , 津吹將志 , TSUBUKU,MASASHI , 野田耕生 , NODA,KOSEI
IPC分类号: G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36
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公开(公告)号:TWI641129B
公开(公告)日:2018-11-11
申请号:TW106144238
申请日:2010-10-07
发明人: 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI
IPC分类号: H01L27/32
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公开(公告)号:TW201832212A
公开(公告)日:2018-09-01
申请号:TW107105639
申请日:2010-07-13
发明人: 梅崎敦司 , UMEZAKI, ATSUSHI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO
IPC分类号: G09G3/36 , G02F1/1368
摘要: 本發明的一個目的是要提供一種半導體裝置其可在功率消耗保持在很小的同時將具有足夠振幅的訊號提供至掃描線。又,本發明的一個目的為提供一種半導體裝置其可在功率消耗保持在很小的同時抑制被提供至訊號線的訊號的變形並縮短上升時間及下降時間。一種半導體裝置,其包含多個像素,每個像素包括顯示元件及至少一第一電晶體及掃描線驅動電路其將一用來選擇該等多個像素的訊號提供至掃描線。一種透光的導體層被用於該顯示元件的像素電極層,該第一電晶體的閘極電極層,該第一電晶體的源極與汲極電極層,及該掃描線。該掃描線驅動電路包括第二電晶體及用來維持該第二電晶體的閘極電極層與第二電晶體的源極電極層之間的電壓之電容器。該第二電晶體的源極電極層係連接至該掃描線。
简体摘要: 本发明的一个目的是要提供一种半导体设备其可在功率消耗保持在很小的同时将具有足够振幅的信号提供至扫描线。又,本发明的一个目的为提供一种半导体设备其可在功率消耗保持在很小的同时抑制被提供至信号线的信号的变形并缩短上升时间及下降时间。一种半导体设备,其包含多个像素,每个像素包括显示组件及至少一第一晶体管及扫描线驱动电路其将一用来选择该等多个像素的信号提供至扫描线。一种透光的导体层被用于该显示组件的像素电极层,该第一晶体管的闸极电极层,该第一晶体管的源极与汲极电极层,及该扫描线。该扫描线驱动电路包括第二晶体管及用来维持该第二晶体管的闸极电极层与第二晶体管的源极电极层之间的电压之电容器。该第二晶体管的源极电极层系连接至该扫描线。
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公开(公告)号:TWI633377B
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:TW106114988
申请日:2010-10-05
发明人: 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号: G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36
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公开(公告)号:TW201813083A
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW106144238
申请日:2010-10-07
发明人: 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI
IPC分类号: H01L27/32
CPC分类号: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L33/16
摘要: 本發明的目的之一是提供一種發光顯示裝置,其中,在具備使用氧化物半導體形成的薄膜電晶體的像素中可以提高孔徑比。一種發光顯示裝置,包括分別具有薄膜電晶體以及發光元件的多個像素,其中像素電連接到用作掃描線的第一佈線,薄膜電晶體具有在第一佈線上隔著閘極絕緣膜設置的氧化物半導體層,氧化物半導體層超出設置有第一佈線的區域的邊緣,並且發光元件和氧化物半導體層彼此重疊地設置。
简体摘要: 本发明的目的之一是提供一种发光显示设备,其中,在具备使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管的像素中可以提高孔径比。一种发光显示设备,包括分别具有薄膜晶体管以及发光组件的多个像素,其中像素电连接到用作扫描线的第一布线,薄膜晶体管具有在第一布在线隔着闸极绝缘膜设置的氧化物半导体层,氧化物半导体层超出设置有第一布线的区域的边缘,并且发光组件和氧化物半导体层彼此重叠地设置。
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公开(公告)号:TWI698854B
公开(公告)日:2020-07-11
申请号:TW108104606
申请日:2010-07-13
发明人: 梅崎敦司 , UMEZAKI,ATSUSHI , 荒澤亮 , ARASAWA,RYO
IPC分类号: G09G3/36 , G02F1/1368
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公开(公告)号:TWI675246B
公开(公告)日:2019-10-21
申请号:TW105134067
申请日:2010-10-14
发明人: 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 宍戶英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号: G02F1/1368 , G02F1/1362
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公开(公告)号:TWI669701B
公开(公告)日:2019-08-21
申请号:TW107134975
申请日:2011-01-19
发明人: 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO
IPC分类号: G09G3/36
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公开(公告)号:TWI651705B
公开(公告)日:2019-02-21
申请号:TW100101962
申请日:2011-01-19
申请人: 日商半導體能源研究所股份有限公司
发明人: 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO
IPC分类号: G09G3/36
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公开(公告)号:TWI606288B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:TW105110571
申请日:2010-10-05
发明人: 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 荒澤亮 , ARASAWA, RYO , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号: G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC分类号: G09G3/3614 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G02F2202/10 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/08 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , H01L21/02164 , H01L21/02266 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/467 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
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