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公开(公告)号：TWI649809B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106144239
申请日：2011-04-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/06
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公开(公告)号：TW201812926A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106144239
申请日：2011-04-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/06
CPC分类号： H01L21/02266 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02112 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L28/60 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78645 , H01L29/7869
摘要： 本發明的目的之一在於提供一種利用DC濺射法形成氧化鎵膜的成膜方法。本發明的目的之一還在於提供一種半導體裝置的製造方法，在該半導體裝置中將氧化鎵膜用作電晶體的閘極絕緣層等的絕緣層。使用含有氧化鎵(也寫為GaOX)的氧化物靶材並且藉由DC濺射法或脈衝DC濺射方式形成絕緣膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小於1.5，最好為0.01以上且0.5以下，更佳為0.1以上且0.2以下。該氧化物靶材具有導電性，並且在氧氣體氣圍或氧氣體和如氬等的稀有氣體的混合氣圍下進行濺射。
简体摘要： 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的成膜方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体设备的制造方法，在该半导体设备中将氧化镓膜用作晶体管的闸极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓(也写为GaOX)的氧化物靶材并且借由DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小于1.5，最好为0.01以上且0.5以下，更佳为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气围或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气围下进行溅射。
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公开(公告)号：TWI487031B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW097130672
申请日：2008-08-12
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI590339B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105130623
申请日：2011-04-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/06
CPC分类号： H01L21/02266 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02112 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L28/60 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78645 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201701366A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105130623
申请日：2011-04-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/06
CPC分类号： H01L21/02266 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02112 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L28/60 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78645 , H01L29/7869
摘要： 本發明的目的之一在於提供一種利用DC濺射法形成氧化鎵膜的成膜方法。本發明的目的之一還在於提供一種半導體裝置的製造方法，在該半導體裝置中將氧化鎵膜用作電晶體的閘極絕緣層等的絕緣層。使用含有氧化鎵(也寫為GaOx)的氧化物靶材並且藉由DC濺射法或脈衝DC濺射方式形成絕緣膜。氧化物靶材含有GaOx，其中X小於1.5，最好為0.01以上且0.5以下，更佳為0.1以上且0.2以下。該氧化物靶材具有導電性，並且在氧氣體氣圍或氧氣體和如氬等的稀有氣體的混合氣圍下進行濺射。
简体摘要： 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的成膜方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体设备的制造方法，在该半导体设备中将氧化镓膜用作晶体管的闸极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓(也写为GaOx)的氧化物靶材并且借由DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaOx，其中X小于1.5，最好为0.01以上且0.5以下，更佳为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气围或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气围下进行溅射。
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公开(公告)号：TWI469222B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW097130077
申请日：2008-08-07
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 手塚祐朗 , TEDUKA, SACHIAKI , 鳥海聰志 , TORIUMI, SATOSHI , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 大力浩二 , DAIRIKI, KOJI , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67207 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78678
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公开(公告)号：TWI450322B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW098108469
申请日：2009-03-16
发明人： 古野誠 , FURUNO, MAKOTO , 杉山徹朗 , SUGIYAMA, TETSUO , 野澤太一 , NOZAWA, TAICHI , 一條充弘 , ICHIJO, MITSUHIRO , 田島亮太 , TAJIMA, RYOTA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/16 , H05H1/46
CPC分类号： H01L27/127 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L21/67207 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201735189A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106112605
申请日：2011-04-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/06
CPC分类号： H01L21/02266 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02112 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L28/60 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78645 , H01L29/7869
摘要： 本發明的目的之一在於提供一種利用DC濺射法形成氧化鎵膜的成膜方法。本發明的目的之一還在於提供一種半導體裝置的製造方法，在該半導體裝置中將氧化鎵膜用作電晶體的閘極絕緣層等的絕緣層。使用含有氧化鎵(也寫為GaOX)的氧化物靶材並且藉由DC濺射法或脈衝DC濺射方式形成絕緣膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小於1.5，最好為0.01以上且0.5以下，更佳為0.1以上且0.2以下。該氧化物靶材具有導電性，並且在氧氣體氣圍或氧氣體和如氬等的稀有氣體的混合氣圍下進行濺射。
简体摘要： 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的成膜方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体设备的制造方法，在该半导体设备中将氧化镓膜用作晶体管的闸极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓(也写为GaOX)的氧化物靶材并且借由DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小于1.5，最好为0.01以上且0.5以下，更佳为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气围或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气围下进行溅射。
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公开(公告)号：TWI562243B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW100113204
申请日：2011-04-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/06
CPC分类号： H01L21/02266 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02112 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L28/60 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78645 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI527294B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100122428
申请日：2011-06-27
发明人： 古野誠 , FURUNO, MAKOTO
IPC分类号： H01M4/04
CPC分类号： C30B25/005 , C30B29/06 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M10/052
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