公开(公告)号：TW587315B

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：TW092106588

申请日：2003-03-25

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種多晶片封裝模組，至少包含一第一晶片、一基板、一第二晶片、複數條導線與一封裝材料。第一晶片具有一主動表面、複數個打線焊墊，且打線焊墊係配設於主動表面。基板係具有一上表面、一下表面與至少一狹長孔，其中第一晶片係以主動表面配設在基板之下表面，且於狹長孔係暴露出打線焊墊。導線係電性連接打線焊墊與基板之上表面。第二晶片係配設於基板之上表面，且第二晶片與基板之上表面電性連接。以及封裝材料係包覆第一晶片、第二晶片、導線、基板之上表面與下表面。伍、(一)、本案代表圖為：第 3 圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：300：多晶片封裝模組 310：基板 312a：上表面312b：下表面 314：打線接點 316：凸塊接點322a、322b：晶片配置區 324：狹長孔 330、350、410：晶片 332a、352a：晶片主動表面332b、352b：背面 334：打線焊墊 354：凸塊焊墊356：凸塊 370：封裝材料 380：導線 390：焊墊 392：焊球

Abstract in simplified Chinese: 一种多芯片封装模块，至少包含一第一芯片、一基板、一第二芯片、复数条导线与一封装材料。第一芯片具有一主动表面、复数个打线焊垫，且打线焊垫系配设于主动表面。基板系具有一上表面、一下表面与至少一狭长孔，其中第一芯片系以主动表面配设在基板之下表面，且于狭长孔系暴露出打线焊垫。导线系电性连接打线焊垫与基板之上表面。第二芯片系配设于基板之上表面，且第二芯片与基板之上表面电性连接。以及封装材料系包覆第一芯片、第二芯片、导线、基板之上表面与下表面。伍、(一)、本案代表图为：第 3 图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：300：多芯片封装模块 310：基板 312a：上表面312b：下表面 314：打线接点 316：凸块接点322a、322b：芯片配置区 324：狭长孔 330、350、410：芯片 332a、352a：芯片主动表面332b、352b：背面 334：打线焊垫 354：凸块焊垫356：凸块 370：封装材料 380：导线 390：焊垫 392：焊球

公开(公告)号：TWI242855B

公开(公告)日：2005-11-01

申请号：TW093130958

申请日：2004-10-13

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H05K1/142 ,  H01L23/49833 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/183 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10674 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一種封裝基板，其係適於承載一晶片，而晶片具有多個凸塊。封裝基板包括基板、介層體(interposer)、介電層與第三線路層。基板具有第一線路層，其係配置於基板之表面上。介層體係配置於基板之表面上，而介層體具有第二線路層，其係配置於介層體之表面上。第二線路層包括多個接墊與多個導線，其中導線分別係與接墊電性連接，且接墊的位置係分別對應至凸塊的位置。介電層係配置於基板上與介層體的周緣，並連接介層體。第三線路層係配置於部分介電層上，而第三線路層係電性連接至第二線路層與第一線路層。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装基板，其系适于承载一芯片，而芯片具有多个凸块。封装基板包括基板、介层体(interposer)、介电层与第三线路层。基板具有第一线路层，其系配置于基板之表面上。介层体系配置于基板之表面上，而介层体具有第二线路层，其系配置于介层体之表面上。第二线路层包括多个接垫与多个导线，其中导线分别系与接垫电性连接，且接垫的位置系分别对应至凸块的位置。介电层系配置于基板上与介层体的周缘，并连接介层体。第三线路层系配置于部分介电层上，而第三线路层系电性连接至第二线路层与第一线路层。

公开(公告)号：TWI228806B

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：TW092113290

申请日：2003-05-16

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 陳裕文 CHEN, YU WEN ,  鍾智明 CHUNG, CHIH MING ,  邱己豪 CHIU, CHI HAO

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/28 ,  H01L21/563 ,  H01L23/36 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一種覆晶封裝方法及其結構，係由以下步驟製成。電性連接一晶片102至一基板110。貼附一散熱片130於晶片102之背面，此散熱片130具有至少一貫孔132，且貫孔132的位置係對應晶片102的周圍。進行一點膠製程，透過貫孔132，將一底膠160a填滿於晶片102與基板110之間，並延伸至散熱片130，以使底膠160a連接散熱片130及基板110。固化底膠160a，以藉由底膠160a固定散熱片130、基板110以及晶片102。

Abstract in simplified Chinese: 一种覆晶封装方法及其结构，系由以下步骤制成。电性连接一芯片102至一基板110。贴附一散热片130于芯片102之背面，此散热片130具有至少一贯孔132，且贯孔132的位置系对应芯片102的周围。进行一点胶制程，透过贯孔132，将一底胶160a填满于芯片102与基板110之间，并延伸至散热片130，以使底胶160a连接散热片130及基板110。固化底胶160a，以借由底胶160a固定散热片130、基板110以及芯片102。

公开(公告)号：TW200529388A

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：TW093104889

申请日：2004-02-26

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 王盟仁 WANG, MENG JEN ,  鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一種晶片封裝結構，至少包括基板、晶片、凸塊、緩衝材料及封裝材料。基板具有一第一表面及對應之一第二表面，晶片係配置於基板之第一表面上，晶片具有一主動表面與對應之一背面。凸塊係位於晶片之主動表面與基板之第一表面間，緩衝材料係位於晶片之背面上。封裝材料係位於基板之第一表面上，並包覆晶片及緩衝材料。

Abstract in simplified Chinese: 一种芯片封装结构，至少包括基板、芯片、凸块、缓冲材料及封装材料。基板具有一第一表面及对应之一第二表面，芯片系配置于基板之第一表面上，芯片具有一主动表面与对应之一背面。凸块系位于芯片之主动表面与基板之第一表面间，缓冲材料系位于芯片之背面上。封装材料系位于基板之第一表面上，并包覆芯片及缓冲材料。

公开(公告)号：TWI225701B

公开(公告)日：2004-12-21

申请号：TW092125612

申请日：2003-09-17

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種晶圓級封裝之膠層中凸塊製程，其係在一晶圓之主動面上形成一感光性熱固膠層，在經曝光顯影之後形成複數個開孔，並於該感光性熱固膠層之該些開孔形成複數個凸塊，由於在曝光顯影、形成凸塊與回銲凸塊步驟中，該感光性熱固膠層仍維持為未完全固化且具有受熱致流動性狀態，使得在形成凸塊步驟中，該些凸塊能在一較低溫度狀態下形成於該感光性熱固膠層內，並在回銲凸塊步驟中，該些凸塊能在一較高溫度狀態下於該感光性熱固膠層內回銲成球狀，以減少凸塊之間的填膠空隙。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆级封装之胶层中凸块制程，其系在一晶圆之主动面上形成一感光性热固胶层，在经曝光显影之后形成复数个开孔，并于该感光性热固胶层之该些开孔形成复数个凸块，由于在曝光显影、形成凸块与回焊凸块步骤中，该感光性热固胶层仍维持为未完全固化且具有受热致流动性状态，使得在形成凸块步骤中，该些凸块能在一较低温度状态下形成于该感光性热固胶层内，并在回焊凸块步骤中，该些凸块能在一较高温度状态下于该感光性热固胶层内回焊成球状，以减少凸块之间的填胶空隙。

公开(公告)号：TW200427016A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：TW092113290

申请日：2003-05-16

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 陳裕文 CHEN, YU WEN ,  鍾智明 CHUNG, CHIH MING ,  邱己豪 CHIU, CHI HAO

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/28 ,  H01L21/563 ,  H01L23/36 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一種覆晶封裝方法及其結構，係由以下步驟製成。電性連接一晶片102至一基板110。貼附一散熱片130於晶片102之背面，此散熱片130具有至少一貫孔132，且貫孔132的位置係對應晶片102的周圍。進行一點膠製程，透過貫孔132，將一底膠160a填滿於晶片102與基板110之間，並延伸至散熱片130，以使底膠160a連接散熱片130及基板110。固化底膠160a，以藉由底膠160a固定散熱片130、基板110以及晶片102。

Abstract in simplified Chinese: 一种覆晶封装方法及其结构，系由以下步骤制成。电性连接一芯片102至一基板110。贴附一散热片130于芯片102之背面，此散热片130具有至少一贯孔132，且贯孔132的位置系对应芯片102的周围。进行一点胶制程，透过贯孔132，将一底胶160a填满于芯片102与基板110之间，并延伸至散热片130，以使底胶160a连接散热片130及基板110。固化底胶160a，以借由底胶160a固定散热片130、基板110以及芯片102。

公开(公告)号：TW200425449A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW092112183

申请日：2003-05-02

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/91 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一種堆疊式覆晶封裝結構，其係包含一基板、一背對面覆晶晶片組及一封膠體，其中該背對面覆晶晶片組係結合於該基板，並以該封膠體密封，該背對面覆晶晶片組係包含有一第一晶片及一第二晶片，該第一晶片係具有一主動面及一背面，該背面係形成有一重分配線路層，而該第二晶片係覆晶接合於該第一晶片之重分配線路層，該重分配線路層係電性連接該第二晶片與該基板，以達到微間距覆晶接合、提升覆晶堆疊之電氣特性與散熱性之功效。

Abstract in simplified Chinese: 一种堆栈式覆晶封装结构，其系包含一基板、一背对面覆晶芯片组及一封胶体，其中该背对面覆晶芯片组系结合于该基板，并以该封胶体密封，该背对面覆晶芯片组系包含有一第一芯片及一第二芯片，该第一芯片系具有一主动面及一背面，该背面系形成有一重分配线路层，而该第二芯片系覆晶接合于该第一芯片之重分配线路层，该重分配线路层系电性连接该第二芯片与该基板，以达到微间距覆晶接合、提升覆晶堆栈之电气特性与散热性之功效。

公开(公告)号：TWI254390B

公开(公告)日：2006-05-01

申请号：TW094118965

申请日：2005-06-08

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 劉千 LIU, CHIEN ,  鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一種封裝方法，包括步驟：提供一積體電路元件，其具有一主動表面，且該主動表面具有複數個導電凸塊；提供一基板，且該基板之一第一表面具有複數個銲點，係對應於該些導電凸塊，該基板之一第二表面具有一金屬層；將該積體電路元件翻覆，並將該些導電凸塊焊接於該些銲點，據以形成一積體電路組件；蝕刻該金屬層，並據以形成複數個金屬接點。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装方法，包括步骤：提供一集成电路组件，其具有一主动表面，且该主动表面具有复数个导电凸块；提供一基板，且该基板之一第一表面具有复数个焊点，系对应于该些导电凸块，该基板之一第二表面具有一金属层；将该集成电路组件翻覆，并将该些导电凸块焊接于该些焊点，据以形成一集成电路组件；蚀刻该金属层，并据以形成复数个金属接点。

公开(公告)号：TWI237370B

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：TW093122841

申请日：2004-07-30

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3489 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一種晶片封裝製程，包括下面各步驟。提供一晶片。晶片具有一主動表面，主動表面上配置有多個焊料塊。沾附一聚合物材料於焊料塊之表面。聚合物材料含有助焊劑。配置前述晶片於一承載器上。承載器係接觸焊料塊。迴焊焊料塊以使晶片藉由焊料塊電性連接至承載器。同時，聚合物材料係形成多個支撐結構於焊料塊與承載器之接合處，適於加強焊料塊對熱應力的承受力以改善疲勞破壞現象。

Abstract in simplified Chinese: 一种芯片封装制程，包括下面各步骤。提供一芯片。芯片具有一主动表面，主动表面上配置有多个焊料块。沾附一聚合物材料于焊料块之表面。聚合物材料含有助焊剂。配置前述芯片于一承载器上。承载器系接触焊料块。回焊焊料块以使芯片借由焊料块电性连接至承载器。同时，聚合物材料系形成多个支撑结构于焊料块与承载器之接合处，适于加强焊料块对热应力的承受力以改善疲劳破坏现象。

公开(公告)号：TWI236048B

公开(公告)日：2005-07-11

申请号：TW093132044

申请日：2004-10-21

Applicant: 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

Inventor： 何銘倫 HO, MING LUN ,  鍾智明 CHUNG, CHIH MING

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本發明係關於一種使用具有嵌合凸塊之中介層之覆晶接合方法，包括：(a)提供一第一元件，該第一元件具有一第一表面；(b)形成一中介層於該第一表面上；(c)形成複數個開口於該中介層上；(d)形成複數個凸塊於該等開口內，其中該等凸塊之高度小於該等開口之深度；(e)提供一第二元件，具有複數個預錫球；及(f)壓合該第一元件與該第二元件，且使該等預錫球容置於該等開口內而與該等凸塊連接。藉此，利用該凸塊與該預錫球間之自行對位能力，可避免該第一元件及該第二元件間產生偏移現象。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种使用具有嵌合凸块之中介层之覆晶接合方法，包括：(a)提供一第一组件，该第一组件具有一第一表面；(b)形成一中介层于该第一表面上；(c)形成复数个开口于该中介层上；(d)形成复数个凸块于该等开口内，其中该等凸块之高度小于该等开口之深度；(e)提供一第二组件，具有复数个预锡球；及(f)压合该第一组件与该第二组件，且使该等预锡球容置于该等开口内而与该等凸块连接。借此，利用该凸块与该预锡球间之自行对位能力，可避免该第一组件及该第二组件间产生偏移现象。