公开(公告)号：TW201611189A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104116236

申请日：2015-05-21

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 秋山悟 ,  AKIYAMA, SATORU ,  小林宏嘉 ,  KOBAYASHI, HIROYOSHI ,  猪股久雄 ,  INOMATA, HISAO ,  斉藤正 ,  SAITOU, SEI

IPC分类号： H01L21/82 ,  H03F1/22

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49844 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明的課題是在於提升半導體裝置的製造良品率。 其解決手段是疊接連接方式的半導體裝置具備：常開型的複數的接合FET，其係以能帶隙比矽更大的物質作為材料；及常關型的MOSFET，其係以矽作為材料。 此時，上述的半導體裝置係具有：分割複數的接合FET而形成之複數的接合FET用半導體晶片(半導體晶片CHP0及半導體晶片CHP1)；及形成MOSFET的MOSFET用半導體晶片(半導體晶片CHP2)。

简体摘要： 本发明的课题是在于提升半导体设备的制造良品率。 其解决手段是叠接连接方式的半导体设备具备：常开型的复数的接合FET，其系以能带隙比硅更大的物质作为材料；及常关型的MOSFET，其系以硅作为材料。 此时，上述的半导体设备系具有：分割复数的接合FET而形成之复数的接合FET用半导体芯片(半导体芯片CHP0及半导体芯片CHP1)；及形成MOSFET的MOSFET用半导体芯片(半导体芯片CHP2)。