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公开(公告)号：TWI596879B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102118822
申请日：2013-05-28
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
IPC分类号： H02M3/22
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L27/098 , H01L29/1608 , H01L29/7827 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02P27/06 , H03K3/012 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI614877B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105110663
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
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公开(公告)号：TW201314866A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101129402
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： 本發明係提供一種可提高半導體裝置之可靠性之技術。在本發明中，形成於半導體晶片CHP1之表面上之閘極焊墊GPj係以比其他引線(汲極引線DL或閘極引線GL)更接近源極引線SL之方式配置。其結果，根據本發明，由於可縮短閘極焊墊GPj與源極引線SL間之距離，故可縮短連接閘極焊墊GPj與源極引線SL之導線Wgj之長度。因此，根據本發明，可充分降低存在於導線Wgj中之寄生電感。
简体摘要： 本发明系提供一种可提高半导体设备之可靠性之技术。在本发明中，形成于半导体芯片CHP1之表面上之闸极焊垫GPj系以比其他引线(汲极引线DL或闸极引线GL)更接近源极引线SL之方式配置。其结果，根据本发明，由于可缩短闸极焊垫GPj与源极引线SL间之距离，故可缩短连接闸极焊垫GPj与源极引线SL之导线Wgj之长度。因此，根据本发明，可充分降低存在于导线Wgj中之寄生电感。
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公开(公告)号：TW201611189A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104116236
申请日：2015-05-21
发明人： 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU , 小林宏嘉 , KOBAYASHI, HIROYOSHI , 猪股久雄 , INOMATA, HISAO , 斉藤正 , SAITOU, SEI
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H03F1/223 , H03F1/226 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明的課題是在於提升半導體裝置的製造良品率。 其解決手段是疊接連接方式的半導體裝置具備：常開型的複數的接合FET，其係以能帶隙比矽更大的物質作為材料；及常關型的MOSFET，其係以矽作為材料。 此時，上述的半導體裝置係具有：分割複數的接合FET而形成之複數的接合FET用半導體晶片(半導體晶片CHP0及半導體晶片CHP1)；及形成MOSFET的MOSFET用半導體晶片(半導體晶片CHP2)。
简体摘要： 本发明的课题是在于提升半导体设备的制造良品率。 其解决手段是叠接连接方式的半导体设备具备：常开型的复数的接合FET，其系以能带隙比硅更大的物质作为材料；及常关型的MOSFET，其系以硅作为材料。 此时，上述的半导体设备系具有：分割复数的接合FET而形成之复数的接合FET用半导体芯片(半导体芯片CHP0及半导体芯片CHP1)；及形成MOSFET的MOSFET用半导体芯片(半导体芯片CHP2)。
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公开(公告)号：TW201628161A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW105110663
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： 本發明係提供一種可提高半導體裝置之可靠性之技術。在本發明中，形成於半導體晶片CHP1之表面上之閘極焊墊GPj係以比其他引線(汲極引線DL或閘極引線GL)更接近源極引線SL之方式配置。其結果，根據本發明，由於可縮短閘極焊墊GPj與源極引線SL間之距離，故可縮短連接閘極焊墊GPj與源極引線SL之導線Wgj之長度。因此，根據本發明，可充分降低存在於導線Wgj中之寄生電感。
简体摘要： 本发明系提供一种可提高半导体设备之可靠性之技术。在本发明中，形成于半导体芯片CHP1之表面上之闸极焊垫GPj系以比其他引线(汲极引线DL或闸极引线GL)更接近源极引线SL之方式配置。其结果，根据本发明，由于可缩短闸极焊垫GPj与源极引线SL间之距离，故可缩短连接闸极焊垫GPj与源极引线SL之导线Wgj之长度。因此，根据本发明，可充分降低存在于导线Wgj中之寄生电感。
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公开(公告)号：TWI538161B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101129402
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
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公开(公告)号：TW201404025A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102118822
申请日：2013-05-28
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
IPC分类号： H02M3/22
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L27/098 , H01L29/1608 , H01L29/7827 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02P27/06 , H03K3/012 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 具有級聯連接之常開型JFET與常關型MOSFET之半導體裝置有因錯誤啟動等而被破壞之虞。本發明之半導體裝置具有常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET。常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET級聯連接，構成開關電路。根據1個輸入信號，對常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET以具有皆成為關閉狀態之期間的方式予以控制。
简体摘要： 具有级联连接之常开型JFET与常关型MOSFET之半导体设备有因错误启动等而被破坏之虞。本发明之半导体设备具有常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET。常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET级联连接，构成开关电路。根据1个输入信号，对常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET以具有皆成为关闭状态之期间的方式予以控制。
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