公开(公告)号：TW201611200A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104117241

申请日：2015-05-28

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 吉永康之 ,  YOSHINAGA, YASUYUKI ,  貞方健太 ,  SADAKATA, KENTA

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/492 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7396 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： 本發明之課題在於提高半導體裝置之可靠性。 本發明之半導體裝置CP包含：端子用之導電膜圖案即配線M1，其形成於半導體基板SB上之絕緣膜IL上；絕緣膜PA，其係以覆蓋配線M1之方式形成於絕緣膜IL上；及鎳層ME1，其形成於自絕緣膜PA之開口部OP露出之部分之配線M1上。配線M1包含積層膜，該積層膜具有以鋁為主成分之主導體膜MC、與形成於主導體膜MC之上表面整體上之導體膜BR，導體膜BR包含鈦膜、鎢膜、或鎢化鈦膜。鎳層ME1係形成於自開口部OP露出之部分之導體膜BR上。

简体摘要： 本发明之课题在于提高半导体设备之可靠性。 本发明之半导体设备CP包含：端子用之导电膜图案即配线M1，其形成于半导体基板SB上之绝缘膜IL上；绝缘膜PA，其系以覆盖配线M1之方式形成于绝缘膜IL上；及镍层ME1，其形成于自绝缘膜PA之开口部OP露出之部分之配线M1上。配线M1包含积层膜，该积层膜具有以铝为主成分之主导体膜MC、与形成于主导体膜MC之上表面整体上之导体膜BR，导体膜BR包含钛膜、钨膜、或钨化钛膜。镍层ME1系形成于自开口部OP露出之部分之导体膜BR上。