公开(公告)号：TW201724382A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104144636

申请日：2015-12-31

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  王信智 ,  WANG, HSIN CHIH ,  施智元 ,  SHIH, CHIH YUAN ,  陳仕卿 ,  CHEN, SHIH CHING

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L2224/16225

Abstract: 一種基板結構，係包括：具有相對之第一表面與第二表面之基板本體、以及設於該第一表面上並電性連接該基板本體的複數導電柱，以藉由該些導電柱取代習知導電矽穿孔，因而大幅降低製作成本。本發明復提供具有該基板結構之電子封裝件及其製法。

Abstract in simplified Chinese: 一种基板结构，系包括：具有相对之第一表面与第二表面之基板本体、以及设于该第一表面上并电性连接该基板本体的复数导电柱，以借由该些导电柱取代习知导电硅穿孔，因而大幅降低制作成本。本发明复提供具有该基板结构之电子封装件及其制法。

公开(公告)号：TW201622074A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW103142314

申请日：2014-12-05

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  盧勝利 ,  LU, SHENG LI ,  鄭凱如 ,  CHENG, KAI JU ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種電子封裝件之製法，係先提供一具有相對之第一表面及第二表面之承載體，且該第一表面上具有複數連通至該第二表面之凹部，再設置電子結構於該承載體之第一表面上，該電子結構設有複數導電元件，且該些導電元件對應容置於各該凹部中，之後自該第二表面移除該承載體之部分材質，使該些導電元件外露於該承載體之第二表面，藉以保留該承載體，因而沒有暫時性材料，故能降低之製作成本。本發明復提供該電子封裝件。

Abstract in simplified Chinese: 一种电子封装件之制法，系先提供一具有相对之第一表面及第二表面之承载体，且该第一表面上具有复数连通至该第二表面之凹部，再设置电子结构于该承载体之第一表面上，该电子结构设有复数导电组件，且该些导电组件对应容置于各该凹部中，之后自该第二表面移除该承载体之部分材质，使该些导电组件外露于该承载体之第二表面，借以保留该承载体，因而没有暂时性材料，故能降低之制作成本。本发明复提供该电子封装件。

公开(公告)号：TW201606967A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW103127576

申请日：2014-08-12

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311

Abstract: 一種中介板，係包括：板體、設於該板體中之導電柱、以及設於該板體上且電性連接該導電柱之電性接觸墊，藉由該電性接觸墊與該導電柱係一體成形者，使該電性接觸墊與該導電柱之間不會產生界面，因而於兩者之間能避免脫落或破裂等問題。本發明復提供該中介板之製法。

Abstract in simplified Chinese: 一种中介板，系包括：板体、设于该板体中之导电柱、以及设于该板体上且电性连接该导电柱之电性接触垫，借由该电性接触垫与该导电柱系一体成形者，使该电性接触垫与该导电柱之间不会产生界面，因而于两者之间能避免脱落或破裂等问题。本发明复提供该中介板之制法。

公开(公告)号：TWI508157B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW102126420

申请日：2013-07-24

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  莊龍山 ,  CHUANG, LUNG SHAN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  袁宗德 ,  YUAN, TSUNG TE ,  盧俊宏 ,  LU, CHUN HUNG

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：TW201505085A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW102126420

申请日：2013-07-24

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  莊龍山 ,  CHUANG, LUNG SHAN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  袁宗德 ,  YUAN, TSUNG TE ,  盧俊宏 ,  LU, CHUN HUNG

IPC: H01L21/304

Abstract: 一種半導體結構之製法，係包括：提供一由複數中介板所構成之基板本體，該基板本體係具有相對的中介側與置晶側，並具有複數連通該中介側與該置晶側之導電穿孔；以及進行由該中介側朝該置晶側之方向切割之切割製程，以分離各該中介板，故於該中介側上不需形成習知絕緣膠，因此，本發明之製法無習知殘留膠材於中介板表面之問題，且能簡化製程，同時能降低成本。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构之制法，系包括：提供一由复数中介板所构成之基板本体，该基板本体系具有相对的中介侧与置晶侧，并具有复数连通该中介侧与该置晶侧之导电穿孔；以及进行由该中介侧朝该置晶侧之方向切割之切割制程，以分离各该中介板，故于该中介侧上不需形成习知绝缘胶，因此，本发明之制法无习知残留胶材于中介板表面之问题，且能简化制程，同时能降低成本。

公开(公告)号：TW201501256A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW102121484

申请日：2013-06-18

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  張瑋仁 ,  CHANG, WEI JEN ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/64 ,  H01L24/67 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種中介板之製法，係包括：於一板體之一側形成複數第一開孔，再形成第一金屬層於該第一開孔中；接著，於該板體之另一側形成連通該第一開孔之複數第二開孔，再形成第二金屬層於該第二開孔中，令該第一金屬層電性連接該第二金屬層，以形成導電穿孔。藉由分段完成該導電穿孔，以縮短形成金屬層之時間，故於該板體表面上不會積累太厚之金屬材，而使該金屬材表面較為平坦，且於該開孔之端面周圍不會形成多餘覆蓋材。本發明復提供一種中介板。

Abstract in simplified Chinese: 一种中介板之制法，系包括：于一板体之一侧形成复数第一开孔，再形成第一金属层于该第一开孔中；接着，于该板体之另一侧形成连通该第一开孔之复数第二开孔，再形成第二金属层于该第二开孔中，令该第一金属层电性连接该第二金属层，以形成导电穿孔。借由分段完成该导电穿孔，以缩短形成金属层之时间，故于该板体表面上不会积累太厚之金属材，而使该金属材表面较为平坦，且于该开孔之端面周围不会形成多余覆盖材。本发明复提供一种中介板。

公开(公告)号：TWI571983B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW103140748

申请日：2014-11-25

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  顏仲志 ,  YEN, CHUNG CHIH ,  張瑋仁 ,  CHANG, WEI JEN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001

公开(公告)号：TWI543323B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW103127576

申请日：2014-08-12

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：TW201613046A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW103132405

申请日：2014-09-19

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03

Abstract: 一種半導體結構及其製法，該半導體結構係包括承載板、半導體晶片與封裝膠體，該半導體晶片係設於該承載板上，且具有連接該承載板之非作用面與相對該非作用面的作用面，該作用面上形成有複數金屬柱，該金屬柱與作用面之間及該金屬柱之側表面上係形成有凸塊底下金屬層，該封裝膠體係形成於該承載板上，以包覆該半導體晶片，該封裝膠體之表面係齊平於該金屬柱之端面。本發明能有效提昇產品良率。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构及其制法，该半导体结构系包括承载板、半导体芯片与封装胶体，该半导体芯片系设于该承载板上，且具有连接该承载板之非作用面与相对该非作用面的作用面，该作用面上形成有复数金属柱，该金属柱与作用面之间及该金属柱之侧表面上系形成有凸块底下金属层，该封装胶体系形成于该承载板上，以包覆该半导体芯片，该封装胶体之表面系齐平于该金属柱之端面。本发明能有效提升产品良率。

公开(公告)号：TW201611213A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW103130350

申请日：2014-09-03

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔣靜雯 ,  CHIANG, CHING WEN ,  陳光欣 ,  CHEN, KUANG HSIN ,  陳賢文 ,  CHEN, HSIENWEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/83

Abstract: 一種封裝結構之製法，提供一具有凹槽之承載件，再設置電子元件於該凹槽中，並以絕緣層包覆該電子元件，之後形成線路部於該承載件上方以電性連接該電子元件，接著形成複數貫穿該承載件之穿孔，再形成導電材於該穿孔中以作為電性連接該線路部之導電體，故藉由該承載件作為基板本體，以避免發生翹曲的現象。本發明復提供該封裝結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装结构之制法，提供一具有凹槽之承载件，再设置电子组件于该凹槽中，并以绝缘层包覆该电子组件，之后形成线路部于该承载件上方以电性连接该电子组件，接着形成复数贯穿该承载件之穿孔，再形成导电材于该穿孔中以作为电性连接该线路部之导电体，故借由该承载件作为基板本体，以避免发生翘曲的现象。本发明复提供该封装结构。