公开(公告)号：TWI622142B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105136156

申请日：2016-11-07

Applicant: 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： 王朝仁 ,  WANG, CHAO-JEN ,  張志嘉 ,  CHANG, CHIH-CHIA ,  何家充 ,  HO, JIA-CHONG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TW201814858A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106121285

申请日：2017-06-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 吳集錫 ,  WU, CHI-HSI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN-WEI ,  陳潔 ,  CHEN, JIE

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/08 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08265 ,  H01L2224/08267 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一實施例係一種包含以下步驟之方法：在一第一晶圓中形成一第一被動裝置；在該第一晶圓之一第一側上方形成一第一介電層；在該第一介電層中形成第一複數個接墊；平坦化該第一介電層及該第一複數個接墊以使該第一介電層及該第一複數個接墊之頂表面彼此齊平；將一第一裝置晶粒混合接合至該第一介電層及該第一複數個接墊之至少一些者；及將該第一裝置晶粒囊封在一第一囊封物中。

Abstract in simplified Chinese: 一实施例系一种包含以下步骤之方法：在一第一晶圆中形成一第一被动设备；在该第一晶圆之一第一侧上方形成一第一介电层；在该第一介电层中形成第一复数个接垫；平坦化该第一介电层及该第一复数个接垫以使该第一介电层及该第一复数个接垫之顶表面彼此齐平；将一第一设备晶粒混合接合至该第一介电层及该第一复数个接垫之至少一些者；及将该第一设备晶粒囊封在一第一囊封物中。

公开(公告)号：TWI621188B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104138285

申请日：2015-11-19

Applicant: 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

Inventor： 渡辺慎也 ,  WATANABE, SHINYA ,  南部俊弘 ,  NAMBU, TOSHIHIRO

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC classification number: G01R31/2856 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/11529 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01404 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：TW201813023A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106111706

申请日：2017-04-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 洪瑞斌 ,  HUNG, JUI-PIN ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO-MAO ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU ,  廖德堆 ,  LIAO, DE-DUI MARVIN

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81

Abstract: 一種半導體封裝結構包含一重佈層(RDL)、一晶片、複數個互連凸塊及一囊封物。該重佈層具有彼此相對之一第一表面及一第二表面。該晶片在複數個接點墊面對該第一表面之情況下放置在該重佈層上方且電連接至該重佈層。該等互連凸塊放置在該第一表面上方且電連接至該重佈層。該囊封物放置在該重佈層之該第一表面上方，且該囊封物封圍該晶片並環繞該等互連凸塊之側向壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装结构包含一重布层(RDL)、一芯片、复数个互连凸块及一囊封物。该重布层具有彼此相对之一第一表面及一第二表面。该芯片在复数个接点垫面对该第一表面之情况下放置在该重布层上方且电连接至该重布层。该等互连凸块放置在该第一表面上方且电连接至该重布层。该囊封物放置在该重布层之该第一表面上方，且该囊封物封围该芯片并环绕该等互连凸块之侧向壁。

公开(公告)号：TW201813022A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105140174

申请日：2016-12-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 邱銘彥 ,  CHIU, MING-YEN ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058

Abstract: 一種積體扇出型封裝件，其包括晶粒貼合膜、積體電路元件、絕緣包封體及重佈線路結構。積體電路元件配置於晶粒貼合膜上且包括多個導電端子。晶粒貼合膜包括升高的邊緣，升高的邊緣朝積體電路元件的側壁凸起。絕緣包封體包覆升高的邊緣及積體電路元件。重佈線路結構配置於積體電路元件及絕緣包封體上，且重佈線路結構電連接至積體電路元件的導電端子。還提供一種製作積體扇出型封裝件的方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种积体扇出型封装件，其包括晶粒贴合膜、集成电路组件、绝缘包封体及重布线路结构。集成电路组件配置于晶粒贴合膜上且包括多个导电端子。晶粒贴合膜包括升高的边缘，升高的边缘朝集成电路组件的侧壁凸起。绝缘包封体包覆升高的边缘及集成电路组件。重布线路结构配置于集成电路组件及绝缘包封体上，且重布线路结构电连接至集成电路组件的导电端子。还提供一种制作积体扇出型封装件的方法。

公开(公告)号：TWI616988B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW104138580

申请日：2015-11-20

Applicant: 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 黃普洛里 ,  HUANG, PLORY ,  蘇 亨利 ,  SU, HENRY ,  鐘 啓楷 ,  CHUNG, CHEE KEY ,  王 萊恩 ,  ONG, RYAN ,  王瓊斯 ,  WANG, JONES ,  謝丹尼爾 ,  HSIEH, DANIEL

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：TW201807791A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106112159

申请日：2017-04-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡佩君 ,  TSAI, PEI CHUN ,  張緯森 ,  CHANG, WEI SEN ,  郭庭豪 ,  KUO, TIN HAO ,  蔡豪益 ,  TSAI, HAO YI

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R1/073 ,  G01R31/00 ,  G01R31/02 ,  G01R31/28 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 提供半導體裝置結構及其製造方法，半導體裝置結構包含基底及導電焊墊形成於基底之上。半導體裝置結構包含保護層形成於導電焊墊之上，且保護層具有溝槽。半導體裝置結構包含導電結構形成於溝槽內且形成於保護層上。導電結構電性連接於導電焊墊，且導電結構具有內凹頂面，內凹頂面的最低點高於保護層的頂面。

Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备结构及其制造方法，半导体设备结构包含基底及导电焊垫形成于基底之上。半导体设备结构包含保护层形成于导电焊垫之上，且保护层具有沟槽。半导体设备结构包含导电结构形成于沟槽内且形成于保护层上。导电结构电性连接于导电焊垫，且导电结构具有内凹顶面，内凹顶面的最低点高于保护层的顶面。

公开(公告)号：TW201806118A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106123801

申请日：2017-07-17

Applicant: 美商高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： 古 錫棍 ,  GU, SHIGUN ,  左誠杰 ,  ZUO, CHENGJIE ,  法奈里 史蒂夫 ,  FANELLI, STEVE ,  馬莎拉喬格魯 胡思努 阿麥特 ,  MASARACIOGLU, HUSNU AHMET

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/19101 ,  H01L2924/30111 ,  H03H1/0007 ,  H03H2001/0021 ,  H01L2224/83005

Abstract: 一種封裝包括一重佈部分、一第一部分及一第二部分。該第一部分耦接至該重佈部分。該第一部分包括：包含複數個切換器互連件的一第一切換器及至少部分囊封該第一切換器的一第一囊封層。該第二部分耦接至該第一部分。該第二部分包括第一複數個濾波器。每一濾波器包括複數個濾波器互連件。該第二部分亦包括至少部分囊封該第一複數個濾波器的一第二囊封層。該第一部分包括安置於該第一切換器旁邊的一第二切換器，其中該第一囊封層至少部分囊封該第二切換器。該第二部分包括安置於該第一複數個濾波器旁邊的第二複數個濾波器，其中該第二囊封層至少部分囊封該第二複數個濾波器。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装包括一重布部分、一第一部分及一第二部分。该第一部分耦接至该重布部分。该第一部分包括：包含复数个切换器互连件的一第一切换器及至少部分囊封该第一切换器的一第一囊封层。该第二部分耦接至该第一部分。该第二部分包括第一复数个滤波器。每一滤波器包括复数个滤波器互连件。该第二部分亦包括至少部分囊封该第一复数个滤波器的一第二囊封层。该第一部分包括安置于该第一切换器旁边的一第二切换器，其中该第一囊封层至少部分囊封该第二切换器。该第二部分包括安置于该第一复数个滤波器旁边的第二复数个滤波器，其中该第二囊封层至少部分囊封该第二复数个滤波器。

公开(公告)号：TW201806113A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW105140858

申请日：2016-12-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡惠榕 ,  TSAI, HUI-JUNG ,  郭宏瑞 ,  KUO, HUNG-JUI ,  謝昀蓁 ,  HSIEH, YUN-CHEN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/214

Abstract: 一種重配置線路結構的製造方法至少包括以下步驟。首先，在基板上形成層間介電層。接著，在層間介電層上形成種子層。然後，在種子層上形成多個導電圖案，且種子層以及導電圖案包括相同材料。藉由執行乾式蝕刻製程選擇性地將被導電圖案暴露出的種子層移除，以形成多個種子層圖案，其中導電圖案的寬度在乾式蝕刻製程前後實質上維持一致。多個導電圖案以及多個種子層圖案形成多個重配置導電圖案。

Abstract in simplified Chinese: 一种重配置线路结构的制造方法至少包括以下步骤。首先，在基板上形成层间介电层。接着，在层间介电层上形成种子层。然后，在种子层上形成多个导电图案，且种子层以及导电图案包括相同材料。借由运行干式蚀刻制程选择性地将被导电图案暴露出的种子层移除，以形成多个种子层图案，其中导电图案的宽度在干式蚀刻制程前后实质上维持一致。多个导电图案以及多个种子层图案形成多个重配置导电图案。

公开(公告)号：TW201806047A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106107437

申请日：2017-03-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 洪瑞斌 ,  HUNG, JUI-PIN ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 一種方法包含形成第一複數個重佈線，形成第一金屬柱於該第一複數個重佈線上方並且電連接至該第一複數個重佈線，以及接合第一裝置晶粒至該第一複數個重佈線。該第一金屬柱與該第一裝置晶粒被囊封於第一囊封材料中。而後，平坦化該第一囊封材料。該方法另包含形成第二金屬柱於該第一金屬柱上方並且電連接至該第一金屬柱，經由黏著膜而附接第二裝置晶粒至該第一囊封材料，囊封該第二金屬柱與該第二裝置晶粒於第二囊封材料中，平坦化該第二囊封材料，以及形成第二複數個重佈線於該第二金屬柱與該第二裝置晶粒上方並且電耦合至該第二金屬柱與該第二裝置晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含形成第一复数个重布线，形成第一金属柱于该第一复数个重布在线方并且电连接至该第一复数个重布线，以及接合第一设备晶粒至该第一复数个重布线。该第一金属柱与该第一设备晶粒被囊封于第一囊封材料中。而后，平坦化该第一囊封材料。该方法另包含形成第二金属柱于该第一金属柱上方并且电连接至该第一金属柱，经由黏着膜而附接第二设备晶粒至该第一囊封材料，囊封该第二金属柱与该第二设备晶粒于第二囊封材料中，平坦化该第二囊封材料，以及形成第二复数个重布线于该第二金属柱与该第二设备晶粒上方并且电耦合至该第二金属柱与该第二设备晶粒。