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公开(公告)号：TWI531108B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW102101933
申请日：2013-01-18
发明人： 莊明翰 , CHUANG, MIN HAN , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 林河全 , LIN, HO CHUAN , 陳彥諭 , CHEN, YEN YU
CPC分类号： H03H7/463 , H03H7/09 , H03H7/1775 , H03H7/1783 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078
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公开(公告)号：TWI528627B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102114568
申请日：2013-04-24
发明人： 賴佳助 , LAI, CHIA CHU , 莊明翰 , CHUANG, MIN HAN , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 林河全 , LIN, HO CHUAN , 林麗芳 , LIN, LI FANG
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公开(公告)号：TW201419468A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW101140676
申请日：2012-11-02
发明人： 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 林河全 , LIN, HO CHUAN , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU , 莊明翰 , CHUANG, MIN HAN , 林麗芳 , LIN, LI FANG
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/11 , H01L2924/0002 , H01L2924/19011 , H01L2924/00
摘要： 一種半導體基板，係包括一具有開孔之基板本體，且該基板本體之表面及該開孔之壁面係為絕緣面；以及形成於該絕緣面上並對應位於該開孔端面上之線路層，且該線路層與該開孔之間係為電性絕緣，藉以利用該開孔之深度增加該線路層與矽材質(即該基板本體)間的絕緣結構厚度，故當該線路層產生高頻訊號時，能防止該線路層之訊號品質劣化。本發明復提供一種半導體基板之製法。
简体摘要： 一种半导体基板，系包括一具有开孔之基板本体，且该基板本体之表面及该开孔之壁面系为绝缘面；以及形成于该绝缘面上并对应位于该开孔端面上之线路层，且该线路层与该开孔之间系为电性绝缘，借以利用该开孔之深度增加该线路层与硅材质(即该基板本体)间的绝缘结构厚度，故当该线路层产生高频信号时，能防止该线路层之信号品质劣化。本发明复提供一种半导体基板之制法。
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公开(公告)号：TW201324939A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100144340
申请日：2011-12-02
发明人： 莊明翰 , CHUANG, MIN HAN , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 林河全 , LIN, HO CHUAN , 林麗芳 , LIN, LI FANG
IPC分类号： H01P1/203
CPC分类号： H03H7/09 , H01P1/20327 , H03H7/0161 , H03H7/12
摘要： 一種交錯耦合濾波器電路，用以在高頻拒帶產生傳輸零點。本發明所提出的帶通濾波器係採用三階交錯耦合組構，具有第一共振器、第二共振器、以及第三共振器，其中，該第一共振器與該第三共振器之間產生有正的互感，且其中該第一共振器及該第二共振器之間產生的互感與該第二共振器及該第三共振器之間產生的互感具有相同的極性。因此，本發明所提出的帶通濾波器能夠以磁場交錯耦合組構產生高頻拒帶的傳輸零點。
简体摘要： 一种交错耦合滤波器电路，用以在高频拒带产生传输零点。本发明所提出的带通滤波器系采用三阶交错耦合组构，具有第一共振器、第二共振器、以及第三共振器，其中，该第一共振器与该第三共振器之间产生有正的互感，且其中该第一共振器及该第二共振器之间产生的互感与该第二共振器及该第三共振器之间产生的互感具有相同的极性。因此，本发明所提出的带通滤波器能够以磁场交错耦合组构产生高频拒带的传输零点。
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公开(公告)号：TWI674823B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106120154
申请日：2017-06-16
发明人： 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 陳冠達 , CHEN, GUAN DA , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU
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公开(公告)号：TWI640066B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106138120
申请日：2017-11-03
发明人： 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 陳冠達 , CHEN, GUAN DA , 盧盈維 , LU, YING WEI
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公开(公告)号：TW201818606A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135687
申请日：2016-11-03
发明人： 方柏翔 , FANG, BO SHIANG , 陳冠達 , CHEN, GUAN DA , 施智元 , SHIH, CHIH YUAN , 賴佳助 , LAI, CHIA CHU , 張月瓊 , CHANG, YUEH CHIUNG
摘要： 一種電子模組，係包括：第一基板、設於該第一基板上並電性連接該第一基板之電子元件、形成於該第一基板上並包覆該電子元件之封裝層、設於該封裝層上之第二基板、設於該第二基板下表面之屏蔽結構、以及設於該第二基板上表面之天線結構，藉由將該屏蔽結構與該天線結構設置在不同平面上，以供該天線結構能從各方向發出訊號，而提升天線的輻射效率。
简体摘要： 一种电子模块，系包括：第一基板、设于该第一基板上并电性连接该第一基板之电子组件、形成于该第一基板上并包覆该电子组件之封装层、设于该封装层上之第二基板、设于该第二基板下表面之屏蔽结构、以及设于该第二基板上表面之天线结构，借由将该屏蔽结构与该天线结构设置在不同平面上，以供该天线结构能从各方向发出信号，而提升天线的辐射效率。
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公开(公告)号：TWI467742B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100127520
申请日：2011-08-03
发明人： 蔡明汎 , TSAI, MING FAN , 李信宏 , LEE, HSIN HUNG , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201308572A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100127520
申请日：2011-08-03
发明人： 蔡明汎 , TSAI, MING FAN , 李信宏 , LEE, HSIN HUNG , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一種具有屏蔽電磁干擾功能的層結構，用於降低矽穿孔之間信號傳遞所造成的EMI效應，能夠在三維(3D)積體電路的電性互連之間有效地達到屏蔽電磁干擾的效果，藉由在傳遞信號的矽穿孔之間設置特定的屏蔽矽穿孔，提供有效的屏蔽電磁干擾效果，降低在不同的晶片或基板之間可能因EMI效應所造成的信號失真。
简体摘要： 一种具有屏蔽电磁干扰功能的层结构，用于降低硅穿孔之间信号传递所造成的EMI效应，能够在三维(3D)集成电路的电性互连之间有效地达到屏蔽电磁干扰的效果，借由在传递信号的硅穿孔之间设置特定的屏蔽硅穿孔，提供有效的屏蔽电磁干扰效果，降低在不同的芯片或基板之间可能因EMI效应所造成的信号失真。
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公开(公告)号：TW201306213A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100125396
申请日：2011-07-19
发明人： 蔡明汎 , TSAI, MING FAN , 李信宏 , LEE, HSIN HUNG , 方柏翔 , FANG, BO SHIANG
IPC分类号： H01L23/52
摘要： 一種用於阻抗匹配及電性互連的矽穿孔結構，係包括雙層之導電元件，且其中一導電元件為頂寬底窄的實心柱體，本發明之矽穿孔結構用於提供晶片或基板間的阻抗匹配及電性互連，能夠在3D積體電路的電性互連之間有效地達到阻抗匹配的效果，藉由調整矽穿孔結構的相應關鍵尺寸，提供有效的阻抗轉換效果，降低在不同的晶片或基板之間可能因具有不同的輸入/輸出阻抗而必須額外設置阻抗轉換器的成本，同時利用填充不同介電材料於該二導電元件之間來降低串音與雜訊。
简体摘要： 一种用于阻抗匹配及电性互连的硅穿孔结构，系包括双层之导电组件，且其中一导电组件为顶宽底窄的实心柱体，本发明之硅穿孔结构用于提供芯片或基板间的阻抗匹配及电性互连，能够在3D集成电路的电性互连之间有效地达到阻抗匹配的效果，借由调整硅穿孔结构的相应关键尺寸，提供有效的阻抗转换效果，降低在不同的芯片或基板之间可能因具有不同的输入/输出阻抗而必须额外设置阻抗转换器的成本，同时利用填充不同介电材料于该二导电组件之间来降低串音与噪声。
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