公开(公告)号：TW201631731A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104105544

申请日：2015-02-17

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔡明汎 ,  TSAI, MING FAN ,  林河全 ,  LIN, HO CHUAN ,  盧盈維 ,  LU, YING WEI ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F1/24 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0066 ,  H01F2017/0073

Abstract: 一種基板結構，係包括：含有磁性材質之第一介電層、具有電感線路及導電跡線之線路層、以及包覆該線路層並結合該第一介電層之第二介電層，以藉由第一介電層含有磁性材質之設計，使該電感線路之電感值增加，而無需增加該電感線路之線圈數。

Abstract in simplified Chinese: 一种基板结构，系包括：含有磁性材质之第一介电层、具有电感线路及导电迹线之线路层、以及包覆该线路层并结合该第一介电层之第二介电层，以借由第一介电层含有磁性材质之设计，使该电感线路之电感值增加，而无需增加该电感线路之线圈数。

公开(公告)号：TW201421624A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW101144424

申请日：2012-11-28

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 高迺澔 ,  KAO, NAI HAO ,  江文榮 ,  CHIANG, WEN JUNG ,  陳俊龍 ,  CHEN, CHUN LUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311

Abstract: 一種半導體基板之製法，係包括提供一內部具有複數導電穿孔之基板本體，且該基板本體係定義有相對之置晶面與中介面；形成第一線路重佈結構於該基板本體之中介面上；以及形成第二線路重佈結構於該基板本體之置晶面上，且該第一線路重佈結構之線路層數係少於該第二線路重佈結構之線路層數。係藉由先製作層數較少之第一線路重佈結構，再製作層數較多之第二線路重佈結構，以縮小該基板本體之翹曲程度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体基板之制法，系包括提供一内部具有复数导电穿孔之基板本体，且该基板本体系定义有相对之置晶面与中界面；形成第一线路重布结构于该基板本体之中界面上；以及形成第二线路重布结构于该基板本体之置晶面上，且该第一线路重布结构之线路层数系少于该第二线路重布结构之线路层数。系借由先制作层数较少之第一线路重布结构，再制作层数较多之第二线路重布结构，以缩小该基板本体之翘曲程度。

公开(公告)号：TW201419473A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW101142584

申请日：2012-11-15

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林志生 ,  LIN, CHIHSHENG ,  陳俊龍 ,  CHEN, CHUN LUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  C23C14/34 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2924/01029 ,  H05K1/111 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0367 ,  Y10T29/49124

Abstract: 一種基板之連接結構，該基板係具有複數連接墊及外露該些連接墊之絕緣保護層，該連接結構係包括：設於該連接墊之外露表面上並延伸至該絕緣保護層上金屬層、以及設於該金屬層上之導電凸塊，且該導電凸塊之寬度係小於該連接墊之寬度。因該金屬層完全覆蓋該連接墊之外露表面，故於後續進行覆晶製程之填膠步驟時，膠材不會流至該連接墊表面，因而有效避免該膠材與該基板間發生脫層。

Abstract in simplified Chinese: 一种基板之连接结构，该基板系具有复数连接垫及外露该些连接垫之绝缘保护层，该连接结构系包括：设于该连接垫之外露表面上并延伸至该绝缘保护层上金属层、以及设于该金属层上之导电凸块，且该导电凸块之宽度系小于该连接垫之宽度。因该金属层完全覆盖该连接垫之外露表面，故于后续进行覆晶制程之填胶步骤时，胶材不会流至该连接垫表面，因而有效避免该胶材与该基板间发生脱层。

公开(公告)号：TW201405758A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW101125981

申请日：2012-07-19

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 宋澤世 ,  SUNG, TSE SHIH ,  江文榮 ,  CHIANG, WEN JUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/58 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一種具有防電磁波干擾(EMI)之半導體元件，係包括：基材，係具有貫穿之第一與第二導電穿孔；線路重佈層，係形成於該基材上且具有電性連接墊；以及金屬層，係形成於該線路重佈層上且具有開口，以令該些電性連接墊位於該開口內而未電性連接該金屬層，而令該第二導電穿孔與該金屬層構成屏蔽結構，以避免電磁波由該線路重佈層或該半導體元件之側面進出而發生EMI現象。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有防电磁波干扰(EMI)之半导体组件，系包括：基材，系具有贯穿之第一与第二导电穿孔；线路重布层，系形成于该基材上且具有电性连接垫；以及金属层，系形成于该线路重布层上且具有开口，以令该些电性连接垫位于该开口内而未电性连接该金属层，而令该第二导电穿孔与该金属层构成屏蔽结构，以避免电磁波由该线路重布层或该半导体组件之侧面进出而发生EMI现象。

公开(公告)号：TW201301418A

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW100121013

申请日：2011-06-16

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 陳冠宇 ,  CHEN, KUAN YU ,  方柏翔 ,  FANG, BO SHIANG ,  蔡明汎 ,  TSAI, MING FAN ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 一種應用於先進的積體電路製程中用於積體電路測試及製程監控之電路元件結構，相較於習知的電路元件結構，本發明之用於製程監控之電路元件結構係包括複數個孔鏈、浮動金屬層、及弧形連接部，能夠於交流或射頻測試過程中顯著降低尖端放電及射頻耦合或串音效應，同時避免孔鏈之間存在過大的邊緣寄生電容Cp，藉此避免發生對通孔電阻值的評估錯誤，進一步提升整體積體電路製程及測試的可靠度。

Abstract in simplified Chinese: 一种应用于雪铁龙的集成电路制程中用于集成电路测试及制程监控之电路组件结构，相较于习知的电路组件结构，本发明之用于制程监控之电路组件结构系包括复数个孔链、浮动金属层、及弧形连接部，能够于交流或射频测试过程中显着降低尖端放电及射频耦合或串音效应，同时避免孔链之间存在过大的边缘寄生电容Cp，借此避免发生对通孔电阻值的评估错误，进一步提升整体集成电路制程及测试的可靠度。

公开(公告)号：TWI553805B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW101126428

申请日：2012-07-23

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林志生 ,  LIN, CHIHSHENG ,  陳俊龍 ,  CHEN, CHUN LUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI492335B

公开(公告)日：2015-07-11

申请号：TW102105161

申请日：2013-02-08

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 江政育 ,  CHIANG, CHENG YU ,  江文榮 ,  CHIANG, WEN JUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI480997B

公开(公告)日：2015-04-11

申请号：TW101114479

申请日：2012-04-24

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 宋澤世 ,  SUNG, TSE SHIH ,  江文榮 ,  CHIANG, WEN JUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/64 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201434129A

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：TW102105957

申请日：2013-02-21

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 徐泰錝 ,  HSU, TAI TSUNG ,  江政育 ,  CHIANG, CHENG YU ,  陳苗汶 ,  CHEN, MIAO WEN ,  江文榮 ,  CHIANG, WEN JUNG ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/428 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1815

Abstract: 一種多晶片封裝件，係包括：具有接地結構之基板；設置並電性連接該基板之兩半導體元件；形成於該基板上並包覆該等半導體元件之封裝膠體，且該封裝膠體上形成有複數圓孔，該等圓孔係位於該等半導體元件之間；以及形成於各該圓孔中之電磁屏蔽體，藉由電磁屏蔽體連接該基板之接地結構以達到電磁屏蔽之效果。

Abstract in simplified Chinese: 一种多芯片封装件，系包括：具有接地结构之基板；设置并电性连接该基板之两半导体组件；形成于该基板上并包覆该等半导体组件之封装胶体，且该封装胶体上形成有复数圆孔，该等圆孔系位于该等半导体组件之间；以及形成于各该圆孔中之电磁屏蔽体，借由电磁屏蔽体连接该基板之接地结构以达到电磁屏蔽之效果。

公开(公告)号：TW201404035A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW101124879

申请日：2012-07-11

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 蔡明汎 ,  TSAI, MING FAN ,  李信宏 ,  LEE, HSIN HUNG ,  賴佳助 ,  LAI, CHIA CHU ,  陳彥諭 ,  CHEN, YEN YU ,  林河全 ,  LIN, HO CHUAN

IPC: H03H7/42

CPC classification number: H03H7/42

Abstract: 一種平衡至非平衡轉換器，包括：用以進行阻抗轉換之轉換電路，包括：由第一電感與第一電容串聯所組成之第一處理電路與由第二電容與第二電感串聯所組成之第二處理電路，且該第二電容係電性連接該第一電感，及分別連接該第一處理電路及該第二處理電路之二平衡輸出端，以及連接該轉換電路並具有非平衡輸入端之前處理電路，用以將該非平衡輸入端之實數阻抗於該轉換電路之平衡輸出端轉換為複數阻抗。據此，本發明之平衡至非平衡轉換器藉由前處理電路配合轉換電路以將實數阻抗之非平衡訊號轉換為複數阻抗之平衡訊號，從而滿足無線通訊晶片需採用複數阻抗之差模訊號的要求。

Abstract in simplified Chinese: 一种平衡至非平衡转换器，包括：用以进行阻抗转换之转换电路，包括：由第一电感与第一电容串联所组成之第一处理电路与由第二电容与第二电感串联所组成之第二处理电路，且该第二电容系电性连接该第一电感，及分别连接该第一处理电路及该第二处理电路之二平衡输出端，以及连接该转换电路并具有非平衡输入端之前处理电路，用以将该非平衡输入端之实数阻抗于该转换电路之平衡输出端转换为复数阻抗。据此，本发明之平衡至非平衡转换器借由前处理电路配合转换电路以将实数阻抗之非平衡信号转换为复数阻抗之平衡信号，从而满足无线通信芯片需采用复数阻抗之差模信号的要求。