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公开(公告)号：TWI646654B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW105114978
申请日：2016-05-13
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 奧利伯 弗雷德里克 , 瑪理菲 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L23/66 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/266
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公开(公告)号：TW201742189A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106117418
申请日：2017-05-25
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 伊卡諾 魯多維克 , ECARNOT, LUDOVIC , 班穆罕默德 那地雅 , BEN MOHAMED, NADIA , 馬勒維 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/48 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/7624 , H01L23/3121 , H01L24/02 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/05548 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/29024 , H01L2224/32145 , H01L2224/80006 , H01L2224/80894 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/83005 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/19107 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2224/02 , H01L2224/0231 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2224/11 , H01L23/562 , H01L21/78 , H01L2224/27
摘要： 本發明涉及一種用於製作一半導體結構之方法，其包括：在選定條件下將氫種及氦種引入一暫時支撐件(1)，以在該暫時支撐件(1)中一預定深度處形成一弱化平面(2)，並定義出一表面層(3)及該暫時支撐件(1)之一剩餘部分(4)；在該暫時支撐件(1)上形成一互連層(5)；將至少一半導體晶片(6)安置在該互連層(5)上；將一加強件(8)組裝在該至少一半導體晶片(6)之背面；及對該暫時支撐件(1)提供熱能以分離該剩餘部分(4)並提供所述半導體結構。
简体摘要： 本发明涉及一种用于制作一半导体结构之方法，其包括：在选定条件下将氢种及氦种引入一暂时支撑件(1)，以在该暂时支撑件(1)中一预定深度处形成一弱化平面(2)，并定义出一表面层(3)及该暂时支撑件(1)之一剩余部分(4)；在该暂时支撑件(1)上形成一互连层(5)；将至少一半导体芯片(6)安置在该互连层(5)上；将一加强件(8)组装在该至少一半导体芯片(6)之背面；及对该暂时支撑件(1)提供热能以分离该剩余部分(4)并提供所述半导体结构。
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公开(公告)号：TW201724467A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105129964
申请日：2016-09-14
发明人： 阮 賓雁 , NGUYEN, BICH-YEN , 馬拉維里 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE , 構堤皮里 西楠 , GOKTEPELI, SINAN , 密西歐尼 安東尼 M. , MISCIONE, ANTHONY MARK , 杜瓦雷特 阿萊恩 , DUVALLET, ALAIN
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L21/763 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L23/66 , H01L27/13 , H01L29/04 , H01L29/16
摘要： 本發明係有關於一種用於射頻應用之結構，其包含： - 一單晶基材， - 一多晶矽層，其係直接位於單晶基材上， - 一活性層，其係於多晶矽層上，意在承接射頻組件， 特徵在於自多晶矽層與單晶層之界面延伸之多晶矽層的至少一第一部份含有位於多晶矽的顆粒邊界處之碳及/或氮原子，其係包含2%與20%間之濃度。 本發明進一步係有關於一種用於製備此一結構之方法。
简体摘要： 本发明系有关于一种用于射频应用之结构，其包含： - 一单晶基材， - 一多晶硅层，其系直接位於单晶基材上， - 一活性层，其系于多晶硅层上，意在承接射频组件， 特征在于自多晶硅层与单晶层之界面延伸之多晶硅层的至少一第一部份含有位于多晶硅的颗粒边界处之碳及/或氮原子，其系包含2%与20%间之浓度。 本发明进一步系有关于一种用于制备此一结构之方法。
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公开(公告)号：TW201711162A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105114978
申请日：2016-05-13
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 奧利伯 弗雷德里克 , 瑪理菲 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L23/66 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/266
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/26506 , H01L21/26533 , H01L21/266 , H01L21/84 , H01L23/66
摘要： 本發明係關於一種用於製造高電阻絕緣體上半導體底材之方法，其包括以下步驟：a)在一高電阻底材1上方形成一介電層2及一半導體層3，以使該介電層2被安排成介於該高電阻底材1與該半導體層3之間；b)在該半導體層3上方形成一硬式光罩或光阻4，其中該硬式光罩或光阻4在一預定位置具有至少一開口5；c)經由離子植入使一雜質元素穿過該硬式光罩或光阻4之至少一開口5、該半導體層3與該介電層2，而在該高電阻底材1中形成至少一摻雜區7；d)移除該硬式光罩或光阻4：及e)在該半導體層3當中及/或上面形成一射頻(RF)電路，其與該高電阻底材1中之至少一摻雜區7至少部分重疊。
简体摘要： 本发明系关于一种用于制造高电阻绝缘体上半导体底材之方法，其包括以下步骤：a)在一高电阻底材1上方形成一介电层2及一半导体层3，以使该介电层2被安排成介于该高电阻底材1与该半导体层3之间；b)在该半导体层3上方形成一硬式光罩或光阻4，其中该硬式光罩或光阻4在一预定位置具有至少一开口5；c)经由离子植入使一杂质元素穿过该硬式光罩或光阻4之至少一开口5、该半导体层3与该介电层2，而在该高电阻底材1中形成至少一掺杂区7；d)移除该硬式光罩或光阻4：及e)在该半导体层3当中及/或上面形成一射频(RF)电路，其与该高电阻底材1中之至少一掺杂区7至少部分重叠。
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公开(公告)号：TWI667696B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104128678
申请日：2015-08-31
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 史瓦森巴 華特 , SCHWARZENBACH, WALTER , 瑪理菲 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201612958A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104128678
申请日：2015-08-31
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 史瓦森巴 華特 , SCHWARZENBACH, WALTER , 瑪理菲 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/2253 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/02617 , H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/76251 , H01L21/76281 , H01L21/76283 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/32 , H01L29/7849
摘要： 製造一半導體結構之方法包含提供一絕緣體上半導體(SOI)底材，其包含一基底底材、該基底底材上方之一受應變應力源層、一表面半導體層及介於該應力源層與該表面半導體層間之一介電層。離子被佈植進入或穿過該應力源層之一第一區域，且額外之半導體材料被形成在該應力源層之第一區域上方之表面半導體層上。改變該應力源層之第一區域上方之表面半導體層之第一區域中之應變狀態，並形成局部伸入該基底底材之一溝槽結構。改變該應力源層之第二區域上方之表面半導體層之第二區域中之應變狀態。應用此等方法所製作之半導體結構。
简体摘要： 制造一半导体结构之方法包含提供一绝缘体上半导体(SOI)底材，其包含一基底底材、该基底底材上方之一受应变应力源层、一表面半导体层及介于该应力源层与该表面半导体层间之一介电层。离子被布植进入或穿过该应力源层之一第一区域，且额外之半导体材料被形成在该应力源层之第一区域上方之表面半导体层上。改变该应力源层之第一区域上方之表面半导体层之第一区域中之应变状态，并形成局部伸入该基底底材之一沟槽结构。改变该应力源层之第二区域上方之表面半导体层之第二区域中之应变状态。应用此等方法所制作之半导体结构。
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公开(公告)号：TW201622106A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130332
申请日：2015-09-14
发明人： 阮 碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡 馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 梅維爾 克力斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/165 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/02002 , H01L21/22 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/785
摘要： 形成半導體結構之方法包括提供具有磊晶基層之多層基板，該磊晶基層上覆於在內埋氧化物層上方之應變主要半導體層。該磊晶基層內之元素係用以更改該多層基板之第一區域內的該主要半導體層中之應變狀態，而不更改該多層基板之第二區域內的該主要半導體層中之應變狀態。形成各自包含該多層基板之該第一區域內的該主要半導體層之部分的第一複數個電晶體通道結構，且形成各自包含該多層基板之該第二區域內的該主要半導體層之部分的第二複數個電晶體通道結構。藉由此等方法而製造之半導體結構可包括具有不同應變狀態之電晶體通道結構。
简体摘要： 形成半导体结构之方法包括提供具有磊晶基层之多层基板，该磊晶基层上覆于在内埋氧化物层上方之应变主要半导体层。该磊晶基层内之元素系用以更改该多层基板之第一区域内的该主要半导体层中之应变状态，而不更改该多层基板之第二区域内的该主要半导体层中之应变状态。形成各自包含该多层基板之该第一区域内的该主要半导体层之部分的第一复数个晶体管信道结构，且形成各自包含该多层基板之该第二区域内的该主要半导体层之部分的第二复数个晶体管信道结构。借由此等方法而制造之半导体结构可包括具有不同应变状态之晶体管信道结构。
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公开(公告)号：TWI668840B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104130332
申请日：2015-09-14
发明人： 阮 碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡 馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM , 梅維爾 克力斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/165 , H01L29/78
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