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    改良之發光二極體封裝結構與方法
    7.
    发明专利
    改良之發光二極體封裝結構與方法 审中-公开
    改良之发光二极管封装结构与方法

    公开(公告)号：TW201628217A

    公开(公告)日：2016-08-01

    申请号：TW104103314

    申请日：2015-01-30

    申请人： 聯京光電股份有限公司 ,  UNISTARS CORPORATION

    发明人： 錢文正 ,  CHIEN, WEN CHENG ,  吳上義 ,  WU, SHANG YI

    IPC分类号： H01L33/48

    CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L33/483 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058

    摘要： 本發明提供一種改良之發光二極體封裝方法與結構，尤其是一種應用與習知技術不同甚或相反的封裝流程進行製造，且跳脫了傳統的金線接合程序的封裝方法與結構。該方法包括以下步驟：(A)提供一具有高透明度之透明基板；(B)形成一光電半導體晶片於該透明基板之一面，該光電半導體晶片具有一出光面與至少二電極，其中，該光電半導體晶片發出之光線係透過該透明基板而射出；(C)形成一絕緣層於該透明基板，以部分覆蓋該二電極、該光電半導體晶片與該透明基板；及(D)分離地形成至少二金屬佈線部於該二電極上面，且該二金屬佈線部分別與該二電極電性連接。

    简体摘要： 本发明提供一种改良之发光二极管封装方法与结构，尤其是一种应用与习知技术不同甚或相反的封装流程进行制造，且跳脱了传统的金线接合进程的封装方法与结构。该方法包括以下步骤：(A)提供一具有高透明度之透明基板；(B)形成一光电半导体芯片于该透明基板之一面，该光电半导体芯片具有一出光面与至少二电极，其中，该光电半导体芯片发出之光线系透过该透明基板而射出；(C)形成一绝缘层于该透明基板，以部分覆盖该二电极、该光电半导体芯片与该透明基板；及(D)分离地形成至少二金属布线部于该二电极上面，且该二金属布线部分别与该二电极电性连接。

    光電半導體元件及其製作方法
    9.
    发明专利
    光電半導體元件及其製作方法 审中-公开
    光电半导体组件及其制作方法

    公开(公告)号：TW201508954A

    公开(公告)日：2015-03-01

    申请号：TW102131131

    申请日：2013-08-29

    申请人： 聯京光電股份有限公司 ,  UNISTARS CORPORATION

    发明人： 錢文正 ,  CHIEN, WEN CHENG ,  黃田昊 ,  HUANG, TIEN HAO ,  吳上義 ,  WU, SHANG YI

    IPC分类号： H01L33/48

    摘要： 一種光電半導體元件，包括基材、第一實心介層插塞、光電半導體晶片、螢光層以及封膠體。其中，第一實心介層插塞貫穿基材。光電半導體晶片封膠體，具有一第一電極，對準並與第一實心介層插塞電性連接。螢光層覆蓋於光電半導體晶片之至少一表面上。封膠體包覆基材、光電半導體晶片以及螢光層。

    简体摘要： 一种光电半导体组件，包括基材、第一实心介层插塞、光电半导体芯片、萤光层以及封胶体。其中，第一实心介层插塞贯穿基材。光电半导体芯片封胶体，具有一第一电极，对准并与第一实心介层插塞电性连接。萤光层覆盖于光电半导体芯片之至少一表面上。封胶体包覆基材、光电半导体芯片以及萤光层。