公开(公告)号：TWI609438B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW104135815

申请日：2015-10-30

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 高斯林 提摩西A ,  GOSSELIN, TIMOTHY A. ,  納迪 派翠克 ,  NARDI, PATRICK ,  斯林尼法森 卡提克 ,  SRINIVASAN, KARTIK ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM ,  朴智勇 ,  PARK, JI YONG ,  魯莫 克里斯托福L ,  RUMER, CHRISTOPHER L. ,  柯斯泰 喬治S ,  KOSTIEW, GEORGE S.

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L22/20 ,  B23K20/023 ,  H01L22/12 ,  H01L24/80 ,  H05K1/0266 ,  H05K3/3431

公开(公告)号：TW201620056A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW104135815

申请日：2015-10-30

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 高斯林 提摩西A ,  GOSSELIN, TIMOTHY A. ,  納迪 派翠克 ,  NARDI, PATRICK ,  斯林尼法森 卡提克 ,  SRINIVASAN, KARTIK ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM ,  朴智勇 ,  PARK, JI YONG ,  魯莫 克里斯托福L ,  RUMER, CHRISTOPHER L. ,  柯斯泰 喬治S ,  KOSTIEW, GEORGE S.

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L22/20 ,  B23K20/023 ,  H01L22/12 ,  H01L24/80 ,  H05K1/0266 ,  H05K3/3431

摘要： 一種方法及包括非暫態程式指令之機器可讀媒體，當該等指令由一處理器執行時導致該處理器用以進行一方法，其包括測量一基體或一晶粒之至少一參數；及基於該至少一參數建立或修改一熱壓接合處方，其中該熱壓接合處方係可操作用於該晶粒與該基體之熱壓接合。一熱壓接合工具包括於一熱壓接合製程期間可操作用以支承住一基體之一托架，及一可操作用以嚙合一晶粒之一接合頭，該工具包含一控制器機器可讀指令以加工處理一基體與一晶粒組合，該等指令包括一基於一基體或一晶粒之一參數以實行或修改一熱壓接合製程的演算法。

简体摘要： 一种方法及包括非暂态进程指令之机器可读媒体，当该等指令由一处理器运行时导致该处理器用以进行一方法，其包括测量一基体或一晶粒之至少一参数；及基于该至少一参数创建或修改一热压接合处方，其中该热压接合处方系可操作用于该晶粒与该基体之热压接合。一热压接合工具包括于一热压接合制程期间可操作用以支承住一基体之一托架，及一可操作用以啮合一晶粒之一接合头，该工具包含一控制器机器可读指令以加工处理一基体与一晶粒组合，该等指令包括一基于一基体或一晶粒之一参数以实行或修改一热压接合制程的算法。

公开(公告)号：TWI694560B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW105112019

申请日：2016-04-18

申请人： 美商英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 麥克馬漢 范瑪席 ,  MCMAHAN, VENMATHY ,  納加拉珍 西瓦庫瑪 ,  NAGARAJAN, SIVAKUMAR ,  波洛格 格拉耶里 伊拉 ,  BOZORG-GRAYELI, ELAH ,  麥可 安里塔 ,  MALLIK, AMRITA ,  朱光翰 ,  CHU, KUANG HAN ,  王力未 ,  WANG, LIWEI ,  阿南塔克里希南 尼夏 ,  ANANTHAKRISHNAN, NISHA ,  溫曼 科瑞格J ,  WEINMAN, CRAIG J. ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM

IPC分类号： H01L23/29

公开(公告)号：TW201730992A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105134420

申请日：2016-10-25

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李 艾利克 ,  LI, ERIC ,  高斯林 提摩西 ,  GOSSELIN, TIMOTHY ,  富田佳宏 ,  TOMITA, YOSHIHIRO ,  里夫 蕭娜 ,  LIFF, SHAWNA ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM ,  薩塔斯 馬克 ,  SALTAS, MARK

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27

摘要： 一種微電子結構包括：微電子基板，該微電子基板具有第一表面及自該微電子基板第一表面延伸至該基板中之空腔；第一微電子裝置及第二微電子裝置，該等裝置附接至該微電子基板第一表面；以及微電子橋，該微電子橋設置於該微電子基板空腔內且附接至該第一微電子裝置及該第二微電子裝置。在一個實施例中，該微電子裝置可包括：重構晶圓，該重構晶圓由該第一微電子裝置及該第二微電子裝置形成。在另一實施例中，助熔劑材料可在該第一微電子裝置與該微電子橋之間及在該第二微電子裝置與該微電子橋之間延伸。

简体摘要： 一种微电子结构包括：微电子基板，该微电子基板具有第一表面及自该微电子基板第一表面延伸至该基板中之空腔；第一微电子设备及第二微电子设备，该等设备附接至该微电子基板第一表面；以及微电子桥，该微电子桥设置于该微电子基板空腔内且附接至该第一微电子设备及该第二微电子设备。在一个实施例中，该微电子设备可包括：重构晶圆，该重构晶圆由该第一微电子设备及该第二微电子设备形成。在另一实施例中，助熔剂材料可在该第一微电子设备与该微电子桥之间及在该第二微电子设备与该微电子桥之间延伸。

公开(公告)号：TW201725683A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105137825

申请日：2016-11-18

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 戴斯潘迪 尼亭 ,  DESHPANDE, NITIN ,  里夫 蕭娜 M. ,  LIFF, SHAWNA M. ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM ,  李 艾利克 ,  LI, ERIC ,  卡哈迪 歐姆卡 ,  KARHADE, OMKAR ,  高斯林 提摩西 A. ,  GOSSELIN, TIMOTHY A.

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種電子總成，其包括具有一上表面之一基材及包括一上表面之一橋接件。該橋接件係在該基材之該上表面中之一空腔內。一第一電子組件被附接至該橋接件之該上表面及該基材之該上表面及一第二電子組件被附接至該橋接件之該上表面及該基材之該上表面，其中，該橋接件使該第一電子組件電氣連接至該第二電子組件。

简体摘要： 一种电子总成，其包括具有一上表面之一基材及包括一上表面之一桥接件。该桥接件系在该基材之该上表面中之一空腔内。一第一电子组件被附接至该桥接件之该上表面及该基材之该上表面及一第二电子组件被附接至该桥接件之该上表面及该基材之该上表面，其中，该桥接件使该第一电子组件电气连接至该第二电子组件。

公开(公告)号：TW201701425A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105112019

申请日：2016-04-18

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 麥克馬漢 范瑪席 ,  MCMAHAN, VENMATHY ,  納加拉珍 西瓦庫瑪 ,  NAGARAJAN, SIVAKUMAR ,  波洛格 格拉耶里 伊拉 ,  BOZORG-GRAYELI, ELAH ,  麥可 安里塔 ,  MALLIK, AMRITA ,  朱光翰 ,  CHU, KUANG HAN ,  王力未 ,  WANG, LIWEI ,  阿南塔克里希南 尼夏 ,  ANANTHAKRISHNAN, NISHA ,  溫曼 科瑞格J ,  WEINMAN, CRAIG J. ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM

IPC分类号： H01L23/29

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/563 ,  H01L23/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

摘要： 一些實施例係關於一種電子封裝。該電子封裝包括一第一晶粒及堆疊至該第一晶粒上之一第二晶粒。一第一封裝物定位於該第一晶粒與該第二晶粒之間。該第一封裝物包括覆蓋該第一晶粒與該第二晶粒之間的一第一體積之一第一材料。一第二封裝物定位於該第一晶粒與該第二晶粒之間。該第二封裝物包括覆蓋該第一晶粒與該第二晶粒之間的一第二體積之一第二材料。該第一材料具有比該第二材料高之一熱導率，且與該第一材料相比，該第二材料更有效地促進該第一晶粒與該第二晶粒之間的電氣連接。

简体摘要： 一些实施例系关于一种电子封装。该电子封装包括一第一晶粒及堆栈至该第一晶粒上之一第二晶粒。一第一封装物定位于该第一晶粒与该第二晶粒之间。该第一封装物包括覆盖该第一晶粒与该第二晶粒之间的一第一体积之一第一材料。一第二封装物定位于该第一晶粒与该第二晶粒之间。该第二封装物包括覆盖该第一晶粒与该第二晶粒之间的一第二体积之一第二材料。该第一材料具有比该第二材料高之一热导率，且与该第一材料相比，该第二材料更有效地促进该第一晶粒与该第二晶粒之间的电气连接。