公开(公告)号：TW201528351A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103135872

申请日：2014-10-16

申请人： 日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 高本尚英 ,  TAKAMOTO, NAOHIDE ,  花園博行 ,  HANAZONO, HIROYUKI ,  福井章洋 ,  FUKUI, AKIHIRO

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L25/50 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

摘要： 本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其可於自晶圓剝離支持構件後對晶圓進行清洗時，抑制片狀樹脂組合物之溶解，而良率良好地製造半導體裝置。本發明係一種半導體裝置之製造方法，其包括：步驟A，其準備晶圓；步驟B，其將上述晶圓之第2主面、與於支持體上形成有暫時固定層之支持構件，介隔該暫時固定層貼合；步驟C，其準備於切割帶上積層有紫外線硬化型之片狀樹脂組合物者；步驟D，其貼合上述晶圓之第1主面與上述片狀樹脂組合物；步驟E，其於上述步驟D之後，將上述支持構件自上述晶圓剝離；及步驟F，其於上述步驟E之後，對上述晶圓之第2主面進行清洗；進而，包含步驟S，其於上述步驟D之後且上述步驟F之前，藉由紫外線照射而使俯視下不與上述晶圓重複之上述片狀樹脂組合物之周緣部硬化。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备之制造方法，其可于自晶圆剥离支持构件后对晶圆进行清洗时，抑制片状树脂组合物之溶解，而良率良好地制造半导体设备。本发明系一种半导体设备之制造方法，其包括：步骤A，其准备晶圆；步骤B，其将上述晶圆之第2主面、与于支持体上形成有暂时固定层之支持构件，介隔该暂时固定层贴合；步骤C，其准备于切割带上积层有紫外线硬化型之片状树脂组合物者；步骤D，其贴合上述晶圆之第1主面与上述片状树脂组合物；步骤E，其于上述步骤D之后，将上述支持构件自上述晶圆剥离；及步骤F，其于上述步骤E之后，对上述晶圆之第2主面进行清洗；进而，包含步骤S，其于上述步骤D之后且上述步骤F之前，借由紫外线照射而使俯视下不与上述晶圆重复之上述片状树脂组合物之周缘部硬化。

公开(公告)号：TW201236073A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW101103276

申请日：2012-02-01

申请人： 漢克公司

发明人： 洪 吉娜 ,  金潤相 ,  古諾 羅絲

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02002 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68368 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68381

摘要： 本發明提供一種製備預施加底部填充料之半導體的方法，該方法包含：(a)提供薄化矽半導體晶圓，該半導體晶圓在其作用面上具有複數個金屬凸塊及視情況垂直貫穿該矽半導體晶圓之矽通孔；(b)在切割支撐膠帶上提供底部填充材料，其中將該底部填充材料預切割成該半導體晶圓之形狀；(c)使該切割支撐膠帶上之該底部填充材料與該半導體晶圓對準，並將該底部填充材料層壓至該半導體晶圓。

简体摘要： 本发明提供一种制备预施加底部填充料之半导体的方法，该方法包含：(a)提供薄化硅半导体晶圆，该半导体晶圆在其作用面上具有复数个金属凸块及视情况垂直贯穿该硅半导体晶圆之硅通孔；(b)在切割支撑胶带上提供底部填充材料，其中将该底部填充材料预切割成该半导体晶圆之形状；(c)使该切割支撑胶带上之该底部填充材料与该半导体晶圆对准，并将该底部填充材料层压至该半导体晶圆。

公开(公告)号：TW201214626A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100129513

申请日：2011-08-18

申请人： 史達晶片有限公司

发明人： 派蓋菈 瑞莎A ,  鄒勝原 ,  尹勝煜

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/22 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/186 ,  H05K3/007 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一種半導體裝置具有安裝於一載體上之第一半導體晶粒。在一中介物框架中具有一開口且複數個導電柱形成於該中介物框架上。該中介物係安裝在該載體及具有該些導電柱環繞第一晶粒放置之該晶粒上。一凹洞可被形成於該中介物框架內以容納一部分第一晶粒。一密封劑係透過該中介物框架中之開口來沉積於該載體及第一晶粒上。或者是，該密封劑被沉積於該載體及第一晶粒上，並將該中介物框架壓向該密封劑。多餘密封劑透過該中介物框架內之開口釋出。該載體被移除。一內連線結構係形成於該密封劑及第一晶粒上。一第二半導體晶粒可被安裝於該第一晶粒或該中介物框架上。

简体摘要： 一种半导体设备具有安装于一载体上之第一半导体晶粒。在一中介物框架中具有一开口且复数个导电柱形成于该中介物框架上。该中介物系安装在该载体及具有该些导电柱环绕第一晶粒放置之该晶粒上。一凹洞可被形成于该中介物框架内以容纳一部分第一晶粒。一密封剂系透过该中介物框架中之开口来沉积于该载体及第一晶粒上。或者是，该密封剂被沉积于该载体及第一晶粒上，并将该中介物框架压向该密封剂。多余密封剂透过该中介物框架内之开口发佈。该载体被移除。一内连接结构系形成于该密封剂及第一晶粒上。一第二半导体晶粒可被安装于该第一晶粒或该中介物框架上。

公开(公告)号：TW201630153A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104126109

申请日：2015-08-11

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李 凱文 ,  LEE, KEVIN J. ,  沙拉史瓦 路奇爾 ,  SARASWAT, RUCHIR ,  紀曼 伍威 ,  ZILLMANN, UWE ,  拉歐 瓦路里 ,  RAO, VALLURI BOB ,  魯納森 托爾 ,  LUND-LARSEN, TOR ,  考利 尼可拉斯 ,  COWLEY, NICHOLAS PAUL

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/52 ,  B81B7/02

CPC分类号： H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83688 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/166 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304

摘要： 本揭露之實施例描述使用矽通孔(TSV)之有整合麥克風裝置的晶粒及相關技術及組態。在一實施例中，設備包括包含半導體基板之設備，半導體基板具有第一側及置於第一側對面之第二側、形成於半導體基板之第一側上之互連層、經形成穿越半導體基板並經組配用以於半導體基板之第一側及半導體基板之第二側之間按路線發送電信號之矽通孔(TSV)、及形成於半導體基板之第二側上並與TSV電耦接之麥克風裝置。 可描述及/或主張其他實施例。

简体摘要： 本揭露之实施例描述使用硅通孔(TSV)之有集成麦克风设备的晶粒及相关技术及组态。在一实施例中，设备包括包含半导体基板之设备，半导体基板具有第一侧及置于第一侧对面之第二侧、形成于半导体基板之第一侧上之互连层、经形成穿越半导体基板并经组配用以于半导体基板之第一侧及半导体基板之第二侧之间按路线发送电信号之硅通孔(TSV)、及形成于半导体基板之第二侧上并与TSV电耦接之麦克风设备。 可描述及/或主张其他实施例。

公开(公告)号：TW201500507A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103114770

申请日：2014-04-24

申请人： 日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

发明人： 宍戸雄一郎 ,  SHISHIDO, YUICHIRO ,  三隅貞仁 ,  MISUMI, SADAHITO ,  大西謙司 ,  ONISHI, KENJI

IPC分类号： C09J7/00 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  H01L23/538 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004

摘要： 本發明提供可以以良好的良率製造高品質的半導體裝置的接著膜以及使用該接著膜的半導體裝置的製造方法、以及由該製造方法得到的半導體裝置。本發明的接著膜為用於包埋固定在被黏接體上的第一半導體元件並且將與該第一半導體元件不同的第二半導體元件固定到被黏接體上的接著膜，該接著膜含有熱塑性樹脂和熱固性樹脂，以下述式表示的熱塑性樹脂存在比為10%以上且30%以下。 熱塑性樹脂存在比(%)={A/(A+B)}×100 式中，A為熱塑性樹脂的重量，B為熱固性樹脂的重量。

简体摘要： 本发明提供可以以良好的良率制造高品质的半导体设备的接着膜以及使用该接着膜的半导体设备的制造方法、以及由该制造方法得到的半导体设备。本发明的接着膜为用于包埋固定在被黏接体上的第一半导体组件并且将与该第一半导体组件不同的第二半导体组件固定到被黏接体上的接着膜，该接着膜含有热塑性树脂和热固性树脂，以下述式表示的热塑性树脂存在比为10%以上且30%以下。 热塑性树脂存在比(%)={A/(A+B)}×100 式中，A为热塑性树脂的重量，B为热固性树脂的重量。

公开(公告)号：TW201125948A

公开(公告)日：2011-08-01

申请号：TW099138871

申请日：2010-11-11

申请人： 日立化成工業股份有限公司

发明人： 滿倉一行 ,  川守崇司 ,  增子崇 ,  加藤木茂樹 ,  藤井真二郎

IPC分类号： C09J ,  H01L

CPC分类号： H01L24/27 ,  C08F220/30 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/31935 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明提供一種半導體裝置的製造方法,包括以下步驟:於半導體晶圓的與電路面為相反側的面上將黏著劑組成物成膜而形成黏著劑層;藉由光照射使黏著劑層B-階段化;將半導體晶圓與經B-階段化的上述黏著劑層一起切割,切分成多個半導體晶片;以及於半導體晶片與支撐部件或其他半導體晶片之間夾持黏著劑層並進行壓接,藉此加以黏著。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备的制造方法,包括以下步骤:于半导体晶圆的与电路面为相反侧的面上将黏着剂组成物成膜而形成黏着剂层;借由光照射使黏着剂层B-阶段化;将半导体晶圆与经B-阶段化的上述黏着剂层一起切割,切分成多个半导体芯片;以及于半导体芯片与支撑部件或其他半导体芯片之间夹持黏着剂层并进行压接,借此加以黏着。

公开(公告)号：TW201730992A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105134420

申请日：2016-10-25

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 李 艾利克 ,  LI, ERIC ,  高斯林 提摩西 ,  GOSSELIN, TIMOTHY ,  富田佳宏 ,  TOMITA, YOSHIHIRO ,  里夫 蕭娜 ,  LIFF, SHAWNA ,  艾登 安蘭 ,  EITAN, AMRAM ,  薩塔斯 馬克 ,  SALTAS, MARK

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27

摘要： 一種微電子結構包括：微電子基板，該微電子基板具有第一表面及自該微電子基板第一表面延伸至該基板中之空腔；第一微電子裝置及第二微電子裝置，該等裝置附接至該微電子基板第一表面；以及微電子橋，該微電子橋設置於該微電子基板空腔內且附接至該第一微電子裝置及該第二微電子裝置。在一個實施例中，該微電子裝置可包括：重構晶圓，該重構晶圓由該第一微電子裝置及該第二微電子裝置形成。在另一實施例中，助熔劑材料可在該第一微電子裝置與該微電子橋之間及在該第二微電子裝置與該微電子橋之間延伸。

简体摘要： 一种微电子结构包括：微电子基板，该微电子基板具有第一表面及自该微电子基板第一表面延伸至该基板中之空腔；第一微电子设备及第二微电子设备，该等设备附接至该微电子基板第一表面；以及微电子桥，该微电子桥设置于该微电子基板空腔内且附接至该第一微电子设备及该第二微电子设备。在一个实施例中，该微电子设备可包括：重构晶圆，该重构晶圆由该第一微电子设备及该第二微电子设备形成。在另一实施例中，助熔剂材料可在该第一微电子设备与该微电子桥之间及在该第二微电子设备与该微电子桥之间延伸。

公开(公告)号：TWI562218B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW101141054

申请日：2012-11-05

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 市原誠一 ,  ICHIHARA, SEIICHI ,  中村壽雄 ,  NAKAMURA, HISAO

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/552 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201604994A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104118366

申请日：2015-06-05

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 類維生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  帕帕那詹姆士S ,  PAPANU, JAMES S. ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/38

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明描述切割半導體晶圓之方法，每一晶圓上具有複數個積體電路。在一實例中，切割晶圓之方法涉及提供前側上具有積體電路且積體電路上安置有晶圓級底部填料材料層之半導體晶圓。該方法亦涉及自半導體晶圓之背側雷射輻射半導體晶圓以沿半導體晶圓之切割劃道產生缺陷，該等切割劃道經定向處於積體電路之間。方法亦涉及在雷射輻射後沿切割劃道機械切單積體電路。

简体摘要： 本发明描述切割半导体晶圆之方法，每一晶圆上具有复数个集成电路。在一实例中，切割晶圆之方法涉及提供前侧上具有集成电路且集成电路上安置有晶圆级底部填料材料层之半导体晶圆。该方法亦涉及自半导体晶圆之背侧激光辐射半导体晶圆以沿半导体晶圆之切割划道产生缺陷，该等切割划道经定向处于集成电路之间。方法亦涉及在激光辐射后沿切割划道机械切单集成电路。

公开(公告)号：TW201203337A

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：TW100106917

申请日：2011-03-02

申请人： 東芝股份有限公司

发明人： 芳村淳 ,  種泰雄

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： [解決手段]關於實施形態之半導體裝置，係具備基材，與隔著接合層而接合於前述基材之半導體元件的半導體裝置。前述接合層，係具有第1層，與具有比第1層的接合溫度之黏度還低之黏度的第2層。前述第1層，係具有前述第1層的端部比前述半導體元件的端部更進入內側的部分。前述進入內側之部分的至少一部份，係藉由從前述第1層的周緣被往外側推出之前述第2層的一部份來填充。

简体摘要： [解决手段]关于实施形态之半导体设备，系具备基材，与隔着接合层而接合于前述基材之半导体组件的半导体设备。前述接合层，系具有第1层，与具有比第1层的接合温度之黏度还低之黏度的第2层。前述第1层，系具有前述第1层的端部比前述半导体组件的端部更进入内侧的部分。前述进入内侧之部分的至少一部份，系借由从前述第1层的周缘被往外侧推出之前述第2层的一部份来填充。