公开(公告)号：TW201733051A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105137011

申请日：2016-11-14

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  賽德曼 格奧爾格 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  沃特 安德烈亞斯 ,  WOLTER, ANDREAS ,  倫格魯伯 克勞斯 ,  REINGRUBER, KLAUS ,  華格納 湯瑪斯 ,  WAGNER, THOMAS ,  迪特斯 馬克 ,  DITTES, MARC

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752

摘要： 一種方法，其包含下列步驟：使一引線對齊有一接觸墊的一封裝體本體，以及使該引線移動穿過該封裝體本體以與該接觸墊形成電性接觸。

简体摘要： 一种方法，其包含下列步骤：使一引线对齐有一接触垫的一封装体本体，以及使该引线移动穿过该封装体本体以与该接触垫形成电性接触。

公开(公告)号：TWI701781B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW105137611

申请日：2016-11-17

申请人： 美商英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  賽德曼 格奧爾格 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  沃特 安德烈亞斯 ,  WOLTER, ANDREAS ,  倫格魯伯 克勞斯 ,  REINGRUBER, KLAUS ,  華格納 湯瑪斯 ,  WAGNER, THOMAS ,  迪特斯 馬克 ,  DITTES, MARC

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW201733063A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105135242

申请日：2016-10-31

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 倫格魯伯 克勞斯 J. ,  REINGRUBER, KLAUS JURGEN ,  亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  吉瑟勒 克里斯坦 G. ,  GEISSLER, CHRISTIAN GEORG ,  賽德曼 格奧爾格 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  韋德哈斯 伯納德 ,  WAIDHAS, BERND ,  華格納 湯瑪斯 ,  WAGNER, THOMAS ,  迪特斯 馬克 ,  DITTES, MARC

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/525 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/528 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/111 ,  H05K1/115

摘要： 在此說明具有可變的重分佈層厚度之半導體封裝體。在一例子中，一半導體封裝體包括在一介電層上之一重分佈層，且該重分佈層包括具有一第一厚度之多數第一傳導跡線及具有一第二厚度之多數第二傳導跡線。該第一厚度可與該第二厚度不同，例如，該第一厚度可小於該第二厚度。

简体摘要： 在此说明具有可变的重分布层厚度之半导体封装体。在一例子中，一半导体封装体包括在一介电层上之一重分布层，且该重分布层包括具有一第一厚度之多数第一传导迹线及具有一第二厚度之多数第二传导迹线。该第一厚度可与该第二厚度不同，例如，该第一厚度可小于该第二厚度。

公开(公告)号：TW201733052A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105137611

申请日：2016-11-17

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  賽德曼 格奧爾格 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  沃特 安德烈亞斯 ,  WOLTER, ANDREAS ,  倫格魯伯 克勞斯 ,  REINGRUBER, KLAUS ,  華格納 湯瑪斯 ,  WAGNER, THOMAS ,  迪特斯 馬克 ,  DITTES, MARC

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105

摘要： 一種系統級封裝裝置包括佈置在一共同封裝中的至少三個電氣裝置組件。一第一電氣裝置組件包括一第一垂直尺寸、一第二電氣裝置組件包括一第二垂直尺寸以及一第三電氣裝置組件包括一第三垂直尺寸。該第一電氣裝置組件及該第二電氣裝置組件被並排佈置在該共同封裝中。再者，該第三電氣裝置組件被佈置在該共同封裝中該第一電氣裝置組件之上。該第三電氣裝置組件的至少一部份被垂直地佈置在該第二電氣裝置組件的一正面位準面與該第二電氣裝置組件之一背面位準面之間。

简体摘要： 一种系统级封装设备包括布置在一共同封装中的至少三个电气设备组件。一第一电气设备组件包括一第一垂直尺寸、一第二电气设备组件包括一第二垂直尺寸以及一第三电气设备组件包括一第三垂直尺寸。该第一电气设备组件及该第二电气设备组件被并排布置在该共同封装中。再者，该第三电气设备组件被布置在该共同封装中该第一电气设备组件之上。该第三电气设备组件的至少一部份被垂直地布置在该第二电气设备组件的一正面位准面与该第二电气设备组件之一背面位准面之间。

公开(公告)号：TW201803066A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106105552

申请日：2017-02-20

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 賽德曼 格奧爾格 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  華格納 湯瑪斯 ,  WAGNER, THOMAS ,  迪特斯 馬克 ,  DITTES, MARC ,  倫格魯伯 克勞斯 ,  REINGRUBER, KLAUS ,  沃特 安德烈亞斯 ,  WOLTER, ANDREAS ,  裴頓 理查 ,  PATTEN, RICHARD

IPC分类号： H01L23/522 ,  G02B6/42 ,  G02B6/30 ,  G02B6/132 ,  G02B6/122

CPC分类号： G02B6/428 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1221 ,  G02B6/132 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4232 ,  G02B6/4238 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12197

摘要： 所揭示的是一種封裝體，該封裝體包含具有帶有光學接觸區域之圖案化表面的基體、光學重分佈層(oRDL)特徵，及在該基體之該圖案化表面上方且在該等oRDL特徵之部分周圍延伸的堆積材料。在一些實施例中，該封裝體包含遮覆該等oRDL特徵的襯墊。在一些實施例中，該oRDL特徵延伸穿過該堆積材料之外表面中的開口且形成自該外表面向外延伸的柱桿。在一些實施例中，該封裝體包含電氣重分佈層(eRDL)特徵，該電氣重分佈層(eRDL)特徵之至少一些部分重疊該oRDL特徵之至少一些部分。在一些實施例中，該封裝體包含光纖，該光纖耦合至該等oRDL特徵。

简体摘要： 所揭示的是一种封装体，该封装体包含具有带有光学接触区域之图案化表面的基体、光学重分布层(oRDL)特征，及在该基体之该图案化表面上方且在该等oRDL特征之部分周围延伸的堆积材料。在一些实施例中，该封装体包含遮覆该等oRDL特征的衬垫。在一些实施例中，该oRDL特征延伸穿过该堆积材料之外表面中的开口且形成自该外表面向外延伸的柱杆。在一些实施例中，该封装体包含电气重分布层(eRDL)特征，该电气重分布层(eRDL)特征之至少一些部分重叠该oRDL特征之至少一些部分。在一些实施例中，该封装体包含光纤，该光纤耦合至该等oRDL特征。

公开(公告)号：TW201733006A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105138089

申请日：2016-11-21

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN ,  亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  賽德曼 格奧爾格 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  沃特 安德烈亞斯 ,  WOLTER, ANDREAS ,  倫格魯伯 克勞斯 ,  REINGRUBER, KLAUS ,  華格納 湯瑪斯 ,  WAGNER, THOMAS ,  迪特斯 馬克 ,  DITTES, MARC

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252

摘要： 一種電子裝置包括一重佈層結構、一互擴散材料接觸結構及位於該重佈層結構與該互擴散材料接觸結構之間的一垂直導電結構。該垂直導電結構包括鄰近於該互擴散材料接觸結構而定位之一擴散障壁結構。此外，該擴散障壁結構與該重佈層結構包含不同橫向尺寸。

简体摘要： 一种电子设备包括一重布层结构、一互扩散材料接触结构及位于该重布层结构与该互扩散材料接触结构之间的一垂直导电结构。该垂直导电结构包括邻近于该互扩散材料接触结构而定位之一扩散障壁结构。此外，该扩散障壁结构与该重布层结构包含不同横向尺寸。

公开(公告)号：TW201841321A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106139465

申请日：2017-11-15

申请人： 美商英特爾智財公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 湯瑪士 偉勒 ,  WAGNER, THOMAS ,  賽德曼 喬治 ,  SEIDEMANN, GEORG ,  瓦特 安卓斯 ,  WOLTER, ANDREAS

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/525 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60

摘要： 一種微電子封裝，包含至少二半導體晶粒，一晶粒至少部分疊於另一晶粒上方。至少上晶粒的導向為它的主動表面面對重分配結構的方向，且一或更多導線耦合以從此主動表面上的接觸延伸進入重分配結構中的導電結構。

简体摘要： 一种微电子封装，包含至少二半导体晶粒，一晶粒至少部分叠于另一晶粒上方。至少上晶粒的导向为它的主动表面面对重分配结构的方向，且一或更多导线耦合以从此主动表面上的接触延伸进入重分配结构中的导电结构。