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公开(公告)号：TWI602477B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105139197
申请日：2016-11-29
发明人： 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI , 周信宏 , CHOU, HSIN-HUNG , 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH
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公开(公告)号：TWI653896B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106104352
申请日：2017-02-10
发明人： 謝明宏 , HSIEH, MING-HUNG , 何羽軒 , HO, YU-HSUAN , 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH , 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI
IPC分类号： H04R25/00
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公开(公告)号：TW201827815A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106102330
申请日：2017-01-23
发明人： 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH , 何羽軒 , HO, YU-HSUAN , 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI , 謝明宏 , HSIEH, MING-HUNG
IPC分类号： G01N27/07
摘要： 本發明提出一種氧化還原反應感測裝置及其製造方法。氧化還原反應感測裝置包括第一電極、至少一感測結構以及第二電極。第一電極位於基底上。至少一感測結構位於第一電極與基底上。至少一感測結構包括金屬奈米線層與金屬氧化物層。金屬奈米線層配置於第一電極與基底上。金屬氧化物層包覆金屬奈米線層。第二電極位於至少一感測結構上。
简体摘要： 本发明提出一种氧化还原反应传感设备及其制造方法。氧化还原反应传感设备包括第一电极、至少一传感结构以及第二电极。第一电极位于基底上。至少一传感结构位于第一电极与基底上。至少一传感结构包括金属奈米线层与金属氧化物层。金属奈米线层配置于第一电极与基底上。金属氧化物层包覆金属奈米线层。第二电极位于至少一传感结构上。
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公开(公告)号：TW202018897A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107139156
申请日：2018-11-05
发明人： 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI , 吳金能 , WU, JIN-NENG , 周信宏 , CHOU, HSIN-HUNG , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG
摘要： 一種重佈線層結構，包括：基底、接墊、介電層、自對準結構、導電層以及導電連接件。接墊配置在基底上。介電層配置在基底上，且暴露出部分接墊。自對準結構配置在介電層上。導電層自接墊延伸且共形覆蓋自對準結構的表面。導電連接件配置在自對準結構上。另提供一種重佈線層結構的製造方法。
简体摘要： 一种重布线层结构，包括：基底、接垫、介电层、自对准结构、导电层以及导电连接件。接垫配置在基底上。介电层配置在基底上，且暴露出部分接垫。自对准结构配置在介电层上。导电层自接垫延伸且共形覆盖自对准结构的表面。导电连接件配置在自对准结构上。另提供一种重布线层结构的制造方法。
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公开(公告)号：TW202018862A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107138777
申请日：2018-11-01
发明人： 吳金能 , WU, JIN-NENG , 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/283 , B29C64/106 , B29C64/20
摘要： 一種線路結構，包括：基底、接墊、介電層、導電層、黏著層以及導電凸塊。接墊配置在基底上。介電層配置在基底上，且暴露出部分接墊。導電層接觸接墊且自接墊延伸覆蓋介電層的頂面。黏著層配置在介電層與導電層之間。導電凸塊自導電層的頂面向上延伸。導電凸塊與導電層為一體成型。另提供一種線路結構的製造方法。
简体摘要： 一种线路结构，包括：基底、接垫、介电层、导电层、黏着层以及导电凸块。接垫配置在基底上。介电层配置在基底上，且暴露出部分接垫。导电层接触接垫且自接垫延伸覆盖介电层的顶面。黏着层配置在介电层与导电层之间。导电凸块自导电层的顶面向上延伸。导电凸块与导电层为一体成型。另提供一种线路结构的制造方法。
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公开(公告)号：TW201827816A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106101344
申请日：2017-01-16
发明人： 謝明宏 , HSIEH, MING-HUNG , 何羽軒 , HO, YU-HSUAN , 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH , 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一種氣體感測裝置，其適於貼附於一體表並包括一基板、一半導體層、一發光元件、一第一電極及一第二電極。基板由多個疊構層彼此堆疊而成，且基板的材料包括奈米纖維素，基板是以3D列印技術形成，以使基板的一接觸表面與體表緊密貼合。半導體層以3D列印技術形成於基板上。發光元件設置於基板上。第一電極耦接半導體層及發光元件。第二電極耦接半導體層及一接地電極。第二電極與第一電極共同設置於半導體層上，且第二電極與第一電極之間維持一間距。半導體層的一電阻值會依據一特定氣體的一濃度而改變。
简体摘要： 一种气体传感设备，其适于贴附于一体表并包括一基板、一半导体层、一发光组件、一第一电极及一第二电极。基板由多个叠构层彼此堆栈而成，且基板的材料包括奈米纤维素，基板是以3D打印技术形成，以使基板的一接触表面与体表紧密贴合。半导体层以3D打印技术形成于基板上。发光组件设置于基板上。第一电极耦接半导体层及发光组件。第二电极耦接半导体层及一接地电极。第二电极与第一电极共同设置于半导体层上，且第二电极与第一电极之间维持一间距。半导体层的一电阻值会依据一特定气体的一浓度而改变。
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公开(公告)号：TW201820941A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105139197
申请日：2016-11-29
发明人： 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI , 周信宏 , CHOU, HSIN-HUNG , 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH
摘要： 本發明提出用於電子元件的圖案結構及其製造方法。圖案結構包括圖案層、阻擋結構、懸臂結構以及連接結構。圖案層配置於基底上。阻擋結構配置於圖案層的一側的基底上，其中阻擋結構的厚度小於圖案層的厚度。懸臂結構連接於圖案層與阻擋結構之間。連接結構連接於圖案層與其一側的基底之間，且位於懸臂結構與阻擋結構上。
简体摘要： 本发明提出用于电子组件的图案结构及其制造方法。图案结构包括图案层、阻挡结构、悬臂结构以及连接结构。图案层配置于基底上。阻挡结构配置于图案层的一侧的基底上，其中阻挡结构的厚度小于图案层的厚度。悬臂结构连接于图案层与阻挡结构之间。连接结构连接于图案层与其一侧的基底之间，且位于悬臂结构与阻挡结构上。
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公开(公告)号：TWI668829B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107139156
申请日：2018-11-05
发明人： 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI , 吳金能 , WU, JIN-NENG , 周信宏 , CHOU, HSIN-HUNG , 林俊宏 , LIN, CHUN-HUNG
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公开(公告)号：TW201821792A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105141009
申请日：2016-12-12
发明人： 謝明宏 , HSIEH, MING-HUNG , 何羽軒 , HO, YU-HSUAN , 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH , 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI
摘要： 一種感測裝置，用於感測溶液中的離子濃度，其包括第一基底、第二基底、感測層及兩個電極。第一基底，其材料包括纖維素。第二基底位於第一基底上。感測層位於第二基底上。兩個電極分開配置於感測層上，以暴露出感測層，使溶液接觸感測層，以量測溶液的電阻值，而經換算為溶液中的離子的濃度。
简体摘要： 一种传感设备，用于传感溶液中的离子浓度，其包括第一基底、第二基底、传感层及两个电极。第一基底，其材料包括纤维素。第二基底位于第一基底上。传感层位于第二基底上。两个电极分开配置于传感层上，以暴露出传感层，使溶液接触传感层，以量测溶液的电阻值，而经换算为溶液中的离子的浓度。
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公开(公告)号：TWI617806B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105141009
申请日：2016-12-12
发明人： 謝明宏 , HSIEH, MING-HUNG , 何羽軒 , HO, YU-HSUAN , 蔡明志 , TSAI, MING-CHIH , 朱彥瑞 , CHU, YEN-JUI
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