公开(公告)号：TW200721325A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095136363

申请日：2006-09-29

申请人： 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED

发明人： 何約瑟 YUEH-SE HO ,  孫明 MING SUN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本發明係揭露一種金屬化半導體晶片之源極、閘極與汲極接觸區域的晶圓級方法,其包含有步驟(a)植入鎳於半導體晶片的源極、閘極與汲極接觸區域,並在完成步驟(a)之後,進行步驟(b)植入金於半導體晶片的源極、閘極與汲極接觸區域。另外,本發明也揭露一種半導體封裝結構,其包含有數個內連接層板(plate interconnections),設置於導線架的數條導線與數個金屬化鈍化區域之間。

简体摘要： 本发明系揭露一种金属化半导体芯片之源极、闸极与汲极接触区域的晶圆级方法,其包含有步骤(a)植入镍于半导体芯片的源极、闸极与汲极接触区域,并在完成步骤(a)之后,进行步骤(b)植入金于半导体芯片的源极、闸极与汲极接触区域。另外,本发明也揭露一种半导体封装结构,其包含有数个内连接层板(plate interconnections),设置于导线架的数条导线与数个金属化钝化区域之间。

公开(公告)号：TW200607034A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：TW094122704

申请日：2005-07-05

申请人： 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 羅禮雄 LEESHAWN LUO ,  安荷叭剌 AUNP BHALLA ,  雷燮光 SIK K. LUI ,  何約瑟 YUEH-SE HO ,  張復興 MIKE F. CHANG ,  張曉天 XIAO TIAN ZHANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

摘要： 本發明係揭露一種半導體封裝，其具有一相對較厚的導線架，導線架包含有數個引腳與一第一導線架墊，而第一導線架墊上接合有一晶粒，材質為鋁的引線連接晶粒至數個引腳，並且以一樹脂體將晶粒、引線與至少一部份的導線架埋設於內。

简体摘要： 本发明系揭露一种半导体封装，其具有一相对较厚的导线架，导线架包含有数个引脚与一第一导线架垫，而第一导线架垫上接合有一晶粒，材质为铝的引线连接晶粒至数个引脚，并且以一树脂体将晶粒、引线与至少一部份的导线架埋设于内。

公开(公告)号：TW200603307A

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：TW094118318

申请日：2005-06-03

申请人： 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 羅禮雄 LEESHAWN LUO ,  安荷叭剌 AUNP BHALLA ,  雷燮光 SIK K. LUI ,  何約瑟 YUEH-SE HO ,  張復興 MIKE CHANG ,  張曉天 XIAO TIAN ZHANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本發明係揭露一種半導體封裝與裝配該半導體封裝的方法。半導體封裝包含有一安裝於一導線架上的第一元件與一安裝於同一導線架上的第二元件。導線架具有延伸至封裝外的引線。一可用來安裝一元件於封裝的砧板。砧板可包含有用以支撐封裝引線的兩邊緣部份，兩與該邊緣部份相連接的末端部分，以及一切除部分。

简体摘要： 本发明系揭露一种半导体封装与装配该半导体封装的方法。半导体封装包含有一安装于一导线架上的第一组件与一安装于同一导线架上的第二组件。导线架具有延伸至封装外的引线。一可用来安装一组件于封装的砧板。砧板可包含有用以支撑封装引线的两边缘部份，两与该边缘部份相连接的末端部分，以及一切除部分。

公开(公告)号：TW200735299A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW095133787

申请日：2006-09-13

申请人： 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED

发明人： 何約瑟 YUEH-SE HO ,  劉凱 KAI LIU ,  張曉天 XIAO TIAN ZHANG ,  孫明 MING SUN ,  石磊 LEI SHI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本發明係揭露一種半導體封裝,包括一具有汲極、源極、閘極引腳的導線架,一半導體晶粒耦合該導線架,半導體晶粒具有金屬化源極區域與閘極區域,其藉由一保護區域分開,一圖案化源極連接,其耦合源極引腳至半導體晶粒金屬化閘極區域,一半導體晶粒汲極區域耦合至汲極引腳,及一封裝體覆蓋半導體晶粒及汲極、源極與閘極引腳之至少一部分。

简体摘要： 本发明系揭露一种半导体封装,包括一具有汲极、源极、闸极引脚的导线架,一半导体晶粒耦合该导线架,半导体晶粒具有金属化源极区域与闸极区域,其借由一保护区域分开,一图案化源极连接,其耦合源极引脚至半导体晶粒金属化闸极区域,一半导体晶粒汲极区域耦合至汲极引脚,及一封装体覆盖半导体晶粒及汲极、源极与闸极引脚之至少一部分。

公开(公告)号：TW200713535A

公开(公告)日：2007-04-01

申请号：TW095130799

申请日：2006-08-22

申请人： 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED

发明人： 孫明 MING SUN ,  何約瑟 YUEH-SE HO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭露了一種含有垂直半導體晶片的電子封裝,其係藉由在多層層積板(Laminated Board)上分佈導線(Conductive Trace)並透過導孔接頭(Via Connector)互相搭接。該半導體晶片設有至少一個電極連接到分佈的導線使不同層的導線可以有電氣性連接,導孔接頭並同時具有消散由垂直半導體所產出的熱能。為了要安裝鑲埋在印刷電路板上所佈置的電子終端,一個球柵陣列(Ball Grid Array BGA)連接到該導孔接頭並作為在封裝底部表面的接觸,其中該層層積板設有一熱膨脹係數(thermal expansion coefiicient)並大致上與印刷電路板範圍値相同藉以讓球柵陣列與電子終端有更可靠的電性接觸。

简体摘要： 本发明揭露了一种含有垂直半导体芯片的电子封装,其系借由在多层层积板(Laminated Board)上分布导线(Conductive Trace)并透过导孔接头(Via Connector)互相搭接。该半导体芯片设有至少一个电极连接到分布的导线使不同层的导线可以有电气性连接,导孔接头并同时具有消散由垂直半导体所产出的热能。为了要安装镶埋在印刷电路板上所布置的电子终端,一个球栅数组(Ball Grid Array BGA)连接到该导孔接头并作为在封装底部表面的接触,其中该层层积板设有一热膨胀系数(thermal expansion coefiicient)并大致上与印刷电路板范围値相同借以让球栅数组与电子终端有更可靠的电性接触。

公开(公告)号：TW200633181A

公开(公告)日：2006-09-16

申请号：TW094146216

申请日：2005-12-23

申请人： 萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED

发明人： 孫明 MING SUN ,  劉凱 KAI LIU ,  張曉天 XIAO TIAN ZHANG ,  何約瑟 YUEH-SE HO ,  羅禮雄 LEESHAWN LUO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/39 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/37099

摘要： 本發明係揭露一種包含、防護與提供電性接點給功率電晶體的功率元件封裝。此功率元件封裝包含有一以供直接無凸塊依附於功率電晶體的頂面與底面引線架。功率電晶體依附於底面引線架上，如同一具有源極接觸點與閘極接觸點的覆晶直接無凸塊依附於底面引線架上。功率電晶體具有一依附於頂面引線架之底面汲極接觸點。頂面引線架更包含有一作為底面汲極電極的延伸部，其係與該底面引線架同側。在一具體實施例中，透過施加超音波，功率元件封裝更包含有一位於源極、閘極或汲極之元件金屬與頂面或底面引線架間的接合層。在另一具體實施例中，作為直接無凸塊依附該功率電晶體於該底面與該底面引線架上之傳導環氧樹脂層或者膠、焊錫膠、碳膠或者其它形式的附著媒介。

简体摘要： 本发明系揭露一种包含、防护与提供电性接点给功率晶体管的功率组件封装。此功率组件封装包含有一以供直接无凸块依附于功率晶体管的顶面与底面引线架。功率晶体管依附于底面引线架上，如同一具有源极接触点与闸极接触点的覆晶直接无凸块依附于底面引线架上。功率晶体管具有一依附于顶面引线架之底面汲极接触点。顶面引线架更包含有一作为底面汲极电极的延伸部，其系与该底面引线架同侧。在一具体实施例中，透过施加超音波，功率组件封装更包含有一位于源极、闸极或汲极之组件金属与顶面或底面引线架间的接合层。在另一具体实施例中，作为直接无凸块依附该功率晶体管于该底面与该底面引线架上之传导环氧树脂层或者胶、焊锡胶、碳胶或者其它形式的附着媒介。