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公开(公告)号：TWI523166B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101138060
申请日：2012-10-16
申请人： 日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人： 谷江尚史 , TANIE, HISASHI , 新谷寬 , SHINTANI, HIROSHI , 田中直敬 , TANAKA, NAOTAKA
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/83 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05011 , H01L2224/05016 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/11444 , H01L2224/1146 , H01L2224/13005 , H01L2224/13011 , H01L2224/13017 , H01L2224/13078 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27444 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29005 , H01L2224/29011 , H01L2224/29017 , H01L2224/29078 , H01L2224/2908 , H01L2224/30181 , H01L2224/32105 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/3701 , H01L2224/37147 , H01L2224/38 , H01L2224/40095 , H01L2224/40106 , H01L2224/40229 , H01L2224/4103 , H01L2224/41176 , H01L2224/73204 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2224/29155 , H01L2224/29147 , H01L2924/00012 , H01L2224/291 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TWI453831B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW099130417
申请日：2010-09-09
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/56 , H01L29/78
CPC分类号： H01L24/90 , H01L21/4825 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/38 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/83 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
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公开(公告)号：TWI426589B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW097137618
申请日：2008-09-30
发明人： 弗蘭茨娃 赫爾伯特 , FRANCOIS HEBERT , 安荷 叭剌 , ANUP BHALLA , 劉凱 , KAI LIU , 孫明 , MING SUN
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/64 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/4103 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/37099
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公开(公告)号：TW201442177A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102114292
申请日：2013-04-23
发明人： 龔玉平 , GONG, YUPING , 薛彥迅 , XUE, YAN XUN , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 黃平 , HUANG, PING , 魯軍 , LU, JUN , 耶爾馬茲 哈姆紮 , YILMAZ, HAMZA
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/36 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/41 , H01L2224/4103 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明一般涉及一種功率器件，尤其是涉及超薄型的功率器件及其製備方法，包括一基板，和貫穿基板厚度的開口，開口對準第二套接觸焊盤中的沒有與第一套接觸焊盤中任何接觸焊盤進行電性連接的一個接觸焊盤，一個晶片被安裝在開口中的，多個導電結構將晶片正面的多個電極分別相對應的電性連接到第一套接觸焊盤中的多個接觸焊盤上。
简体摘要： 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及超薄型的功率器件及其制备方法，包括一基板，和贯穿基板厚度的开口，开口对准第二套接触焊盘中的没有与第一套接触焊盘中任何接触焊盘进行电性连接的一个接触焊盘，一个芯片被安装在开口中的，多个导电结构将芯片正面的多个电极分别相对应的电性连接到第一套接触焊盘中的多个接触焊盘上。
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公开(公告)号：TW201225228A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100133434
申请日：2011-09-16
申请人： 東芝股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/4007 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 關於實施型態之半導體裝置係具備:基台、被實裝在該基台上之半導體元件、設置跟基台疏離之電極端子、接續半導體元件跟電極端子之接續構件、與接合材。接續構件,係在跟半導體元件接續之一端部設置複數個貫通孔。此外,接合材係介在半導體元件、跟接續構件之間,而且,深入複數個貫通孔內。
简体摘要： 关于实施型态之半导体设备系具备:基台、被实装在该基台上之半导体组件、设置跟基台疏离之电极端子、接续半导体组件跟电极端子之接续构件、与接合材。接续构件,系在跟半导体组件接续之一端部设置复数个贯通孔。此外,接合材系介在半导体组件、跟接续构件之间,而且,深入复数个贯通孔内。
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6.发明专利具有金屬化源極、閘極與汲極接觸區域的半導體封裝結構 WAFER-LEVEL METHOD FOR METALLIZING SOURCE, GATE AND DRAIN CONTACT AREAS OF A SEMICONDUCTOR DIE 有权具有金属化源极、闸极与汲极接触区域的半导体封装结构 WAFER-LEVEL METHOD FOR METALLIZING SOURCE, GATE AND DRAIN CONTACT AREAS OF A SEMICONDUCTOR DIE
公开(公告)号：TWI333246B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW095136363
申请日：2006-09-29
申请人： 萬里達半導體有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/49524 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40249 , H01L2224/4103 , H01L2224/73221 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 本發明係揭露一種金屬化半導體晶片之源極、閘極與汲極接觸區域的晶圓級方法，其包含有步驟(a)植入鎳於半導體晶片的源極、閘極與汲極接觸區域，並在完成步驟(a)之後，進行步驟(b)植入金於半導體晶片的源極、閘極與汲極接觸區域。另外，本發明也揭露一種半導體封裝結構，其包含有數個內連接層板(plate interconnections)，設置於導線架的數條導線與數個金屬化鈍化區域之間。
简体摘要： 本发明系揭露一种金属化半导体芯片之源极、闸极与汲极接触区域的晶圆级方法，其包含有步骤(a)植入镍于半导体芯片的源极、闸极与汲极接触区域，并在完成步骤(a)之后，进行步骤(b)植入金于半导体芯片的源极、闸极与汲极接触区域。另外，本发明也揭露一种半导体封装结构，其包含有数个内连接层板(plate interconnections)，设置于导线架的数条导线与数个金属化钝化区域之间。
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7.发明专利具有立體匹配互連板的緊密封裝半導體晶片 COMPACT CO-PACKAGED SEMICONDUCTOR DIES WITH ELEVATION-ADAPTIVE INTERCONNECTION PLATES 审中-公开具有三維匹配互连板的紧密封装半导体芯片 COMPACT CO-PACKAGED SEMICONDUCTOR DIES WITH ELEVATION-ADAPTIVE INTERCONNECTION PLATES
公开(公告)号：TW201007905A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098126649
申请日：2009-08-06
申请人： 萬國半導體股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/072 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/4103 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/37099
摘要： 一個半導體封裝，是對於一個電路基底上的兩個相鄰半導體晶片的封裝。晶片在沿著它們的縱向邊緣分開，並有一個內部晶片間距。一個立體匹配電連接連接第二晶片的頂部金屬接觸區和第一晶片的底部表面，立體匹配電連接適配表面之間的立體差，立體匹配電連接包括：a)一個L形電路路徑，該路徑是電路基底的一部分，從第一晶片的一條縱向邊緣橫向延伸並且將一個中間接觸區靠近第二晶片的一條縱向邊緣。b)一個互聯板連接第二晶片的頂部金屬接觸區面積和中間接觸區，適配兩個接觸面的立體高度差。因此，半導體封裝減少了晶片橫向邊緣之間的直接橫向電路路徑的內部晶片間距。
简体摘要： 一个半导体封装，是对于一个电路基底上的两个相邻半导体芯片的封装。芯片在沿着它们的纵向边缘分开，并有一个内部芯片间距。一个三維匹配电连接连接第二芯片的顶部金属接触区和第一芯片的底部表面，三維匹配电连接适配表面之间的三維差，三維匹配电连接包括：a)一个L形电路路径，该路径是电路基底的一部分，从第一芯片的一条纵向边缘横向延伸并且将一个中间接触区靠近第二芯片的一条纵向边缘。b)一个互联板连接第二芯片的顶部金属接触区面积和中间接触区，适配两个接触面的三維高度差。因此，半导体封装减少了芯片横向边缘之间的直接横向电路路径的内部芯片间距。
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8.发明专利用於低寄生阻抗封裝的頂部焊料加强的半導體裝置及方法 A SOLDER-TOP ENHANCED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR LOW PARASITIC IMPEDANCE PACKAGING 审中-公开用于低寄生阻抗封装的顶部焊料加强的半导体设备及方法 A SOLDER-TOP ENHANCED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR LOW PARASITIC IMPEDANCE PACKAGING
公开(公告)号：TW200919683A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097137618
申请日：2008-09-30
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/40 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/64 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/4103 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/37099
摘要： 本發明提出一種用於低寄生阻抗封裝的頂部焊料加强的半導體器件及方法。該頂部焊料器件包括帶有圖案化為接觸區域和接觸加强區域的頂部金屬層的器件晶片。至少一個接觸區域電連接到至少一個接觸加强區域。每一個接觸加强區域的頂部為用以增加複合厚度從而降低寄生阻抗的焊料層。製造頂部焊料器件的方法包括:a)通過光刻將頂部金屬層圖案化為接觸區域和接觸加强區域;b)使用範本印刷工藝在每一個接觸加强區域的頂部形成焊料層以增加複合厚度。本發明的優點在於所提供的器件和方法使用標準的晶片層級的加工工藝,可以有效降低成本。
简体摘要： 本发明提出一种用于低寄生阻抗封装的顶部焊料加强的半导体器件及方法。该顶部焊料器件包括带有图案化为接触区域和接触加强区域的顶部金属层的器件芯片。至少一个接触区域电连接到至少一个接触加强区域。每一个接触加强区域的顶部为用以增加复合厚度从而降低寄生阻抗的焊料层。制造顶部焊料器件的方法包括:a)通过光刻将顶部金属层图案化为接触区域和接触加强区域;b)使用范本印刷工艺在每一个接触加强区域的顶部形成焊料层以增加复合厚度。本发明的优点在于所提供的器件和方法使用标准的芯片层级的加工工艺,可以有效降低成本。
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9.发明专利具有薄板內連線之半導體封裝 SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING PLATE INTERCONNECTIONS 审中-公开具有薄板内连接之半导体封装 SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING PLATE INTERCONNECTIONS
公开(公告)号：TW200735299A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095133787
申请日：2006-09-13
发明人： 何約瑟 YUEH-SE HO , 劉凱 KAI LIU , 張曉天 XIAO TIAN ZHANG , 孫明 MING SUN , 石磊 LEI SHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40249 , H01L2224/4103 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 本發明係揭露一種半導體封裝,包括一具有汲極、源極、閘極引腳的導線架,一半導體晶粒耦合該導線架,半導體晶粒具有金屬化源極區域與閘極區域,其藉由一保護區域分開,一圖案化源極連接,其耦合源極引腳至半導體晶粒金屬化閘極區域,一半導體晶粒汲極區域耦合至汲極引腳,及一封裝體覆蓋半導體晶粒及汲極、源極與閘極引腳之至少一部分。
简体摘要： 本发明系揭露一种半导体封装,包括一具有汲极、源极、闸极引脚的导线架,一半导体晶粒耦合该导线架,半导体晶粒具有金属化源极区域与闸极区域,其借由一保护区域分开,一图案化源极连接,其耦合源极引脚至半导体晶粒金属化闸极区域,一半导体晶粒汲极区域耦合至汲极引脚,及一封装体覆盖半导体晶粒及汲极、源极与闸极引脚之至少一部分。
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10.发明专利半導體裝置及開關元件 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SWITCHING ELEMENT 审中-公开半导体设备及开关组件 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SWITCHING ELEMENT
公开(公告)号：TW200501414A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093114730
申请日：2004-05-25
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明提供一種半導體裝置及開關元件。由於習知之單晶片雙MOSFET係將兩個MOSFET之晶片並列，且使汲極電極短路之構造，因此有安裝面積大，且汲極電極間之電阻無法降低之問題，於市場要求的小型化、薄型化方面受到限制。本發明係將兩個MOSFET半導體晶片之汲極電極彼此直接連接，使兩個晶片重疊者。由於雙MOSFET中，無須將汲極電極導出外部，而僅為兩個閘極端子及兩個源極端子，因此藉由引線框架或導電圖案將該等四端子導出外部。藉此可達成裝置之小型化與低導通電阻化。
简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及开关组件。由于习知之单芯片双MOSFET系将两个MOSFET之芯片并列，且使汲极电极短路之构造，因此有安装面积大，且汲极电极间之电阻无法降低之问题，于市场要求的小型化、薄型化方面受到限制。本发明系将两个MOSFET半导体芯片之汲极电极彼此直接连接，使两个芯片重叠者。由于双MOSFET中，无须将汲极电极导出外部，而仅为两个闸极端子及两个源极端子，因此借由引线框架或导电图案将该等四端子导出外部。借此可达成设备之小型化与低导通电阻化。
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