接合方法、接合構造、電子裝置、電子裝置之製造方法及電子零件
    10.
    发明专利
    接合方法、接合構造、電子裝置、電子裝置之製造方法及電子零件 审中-公开
    接合方法、接合构造、电子设备、电子设备之制造方法及电子零件

    公开(公告)号:TW201233485A

    公开(公告)日:2012-08-16

    申请号:TW100147807

    申请日:2011-12-21

    IPC: B23K

    Abstract: 本發明之課題在於提供一種確保充分之接合強度之同時,可接合第1金屬構件與第2金屬構件,且可抑制並防止溫度等級連接時之再回流焊等階段中之接合材料溢出的接合方法及接合構造等。於將至少表面包含第1金屬之第1金屬構件11a與至少表面包含第2金屬之第2金屬構件11b經由包含熔點低於第1及/或第2金屬之低熔點金屬的接合材料10進行接合時,將構成接合材料之低熔點金屬設為Sn或含有Sn之合金,並將第1及第2金屬之至少一方設為與構成接合材料之低熔點金屬之間生成金屬間化合物12之金屬或合金且與金屬間化合物之晶格常數差為50%以上之金屬或合金,且在第1金屬構件與第2金屬構件之間配置有接合材料之狀態下,以上述低熔點金屬進行熔融之溫度進行熱處理。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种确保充分之接合强度之同时,可接合第1金属构件与第2金属构件,且可抑制并防止温度等级连接时之再回流焊等阶段中之接合材料溢出的接合方法及接合构造等。于将至少表面包含第1金属之第1金属构件11a与至少表面包含第2金属之第2金属构件11b经由包含熔点低于第1及/或第2金属之低熔点金属的接合材料10进行接合时,将构成接合材料之低熔点金属设为Sn或含有Sn之合金,并将第1及第2金属之至少一方设为与构成接合材料之低熔点金属之间生成金属间化合物12之金属或合金且与金属间化合物之晶格常数差为50%以上之金属或合金,且在第1金属构件与第2金属构件之间配置有接合材料之状态下,以上述低熔点金属进行熔融之温度进行热处理。

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