公开(公告)号：TW541688B

公开(公告)日：2003-07-11

申请号：TW091109537

申请日：2002-05-07

Applicant: NEC電子股份有限公司

Inventor： 宮洋一

IPC: H01L

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31691

Abstract: 本發明旨在提供一種使用可實現低電壓動作之陶瓷電容器之半導體裝置之製造方法。本發明之具有電介質電容器的半導體裝置之製造方法，包含：第1製程，形成下部電極；第2製程，於該下部電極上，形成表面具有凹凸之多結晶之電介質薄膜；第3製程，藉由進行急熱/急冷，直至該電介質薄膜中之預定膜厚之表層部溶化為止，使其表面平坦化；及第4製程，於該電介質薄膜上形成上部電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明旨在提供一种使用可实现低电压动作之陶瓷电容器之半导体设备之制造方法。本发明之具有电介质电容器的半导体设备之制造方法，包含：第1制程，形成下部电极；第2制程，于该下部电极上，形成表面具有凹凸之多结晶之电介质薄膜；第3制程，借由进行急热/急冷，直至该电介质薄膜中之预定膜厚之表层部溶化为止，使其表面平坦化；及第4制程，于该电介质薄膜上形成上部电极。

公开(公告)号：TW200633060A

公开(公告)日：2006-09-16

申请号：TW095104778

申请日：2006-02-13

Applicant: 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  蘇妮股份有限公司 SONY CORPORATION ,  蘇妮電子股份有限公司 SONY ELECTRONICS, INC.

Inventor： 蓋葉尚V NGUYEN, SON V. ,  藍莎拉L LANE, SARAH L. ,  李嘉 LEE, JIA ,  井田謙作 IDA, KENSAKU ,  野上武 NOGAMI, TAKESHI ,  雷斯台諾達立爾D RESTAINO, DARRYL D.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本發明提供一種多孔性低k值或超低k值介電薄膜，其含有形成共價鍵結之立體網狀結構的矽(Si)、碳(C)、氧(O)與氫(H)原子(以下簡稱SiCOH)，且相較於習知的SiCOH介電材料而言，本發明之SiCOH具有低於約3.0的介電常數、較高的晶體鍵結度(drgree of crystalline bonding interaction)、更多作為末端甲基團(methyl termination groups)的碳以及較少的亞甲基交聯基團(–CH2–)。該SiCOH介電材料之特徵在於其FTIR光譜圖包含一波鋒面積低於約1.40的CH3＋CH2拉伸波峰、一波鋒面積低於約0.20的SiH拉伸波峰、一波鋒面積大於約2.0的SiCH3鍵結波峰、一波鋒面積大於約60％之Si–O–Si鍵結波峰以及大於約20％的孔隙度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种多孔性低k值或超低k值介电薄膜，其含有形成共价键结之三維网状结构的硅(Si)、碳(C)、氧(O)与氢(H)原子(以下简称SiCOH)，且相较于习知的SiCOH介电材料而言，本发明之SiCOH具有低于约3.0的介电常数、较高的晶体键结度(drgree of crystalline bonding interaction)、更多作为末端甲基团(methyl termination groups)的碳以及较少的亚甲基交联基团(–CH2–)。该SiCOH介电材料之特征在于其FTIR光谱图包含一波锋面积低于约1.40的CH3＋CH2拉伸波峰、一波锋面积低于约0.20的SiH拉伸波峰、一波锋面积大于约2.0的SiCH3键结波峰、一波锋面积大于约60％之Si–O–Si键结波峰以及大于约20％的孔隙度。

公开(公告)号：TWI512794B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW099110779

申请日：2010-04-07

Applicant: 歐洲雷射系統解決方案公司 ,  LASER SYSTEMS & SOLUTIONS OF EUROPE

Inventor： 溫特維尼 茱利安 ,  VENTURINI, JULIEN ,  都泰斯 希瑞爾 ,  DUTEMS, CYRIL ,  布奇亞 馬克 ,  BUCCHIA, MARC ,  高達德 布魯諾 ,  GODARD, BRUNO

IPC: H01L21/263 ,  B23K26/06

CPC classification number: B23K26/0066 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/04 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/56 ,  G03F7/70383 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/268 ,  H01L23/5258

公开(公告)号：TW200641177A

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：TW095107313

申请日：2006-03-03

Applicant: 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  蘇妮股份有限公司 SONY CORPORATION ,  蘇妮電子股份有限公司 SONY ELECTRONICS, INC.

Inventor： 蓋葉尚樊 NGUYEN, SON V. ,  連恩莎拉L LANE, SARAH L. ,  林尼格艾立克吉拉德 LINIGER, ERIC G. ,  井田謙作 IDA, KENSAKU ,  雷斯坦諾達林D RESTAINO, DARRYL D.

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種具有約3.0或更低之有效介電常數的低k介電堆疊層(low k dielectric stack)，其中，該堆疊層的機械性質可藉著在該介電堆疊層中導入至少一奈米層而獲得改善。在不顯著提高該堆疊層中之該等薄膜之介電常數，且無需對該介電堆疊層做任何後續處理步驟的情況下，即可達到機械性質的改善。更明確而言，本發明提供一種低k介電堆疊層，其包含至少一低k介電材料，以及至少一層存在於該至少一低k介電材料中的奈米層。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有约3.0或更低之有效介电常数的低k介电堆栈层(low k dielectric stack)，其中，该堆栈层的机械性质可借着在该介电堆栈层中导入至少一奈米层而获得改善。在不显着提高该堆栈层中之该等薄膜之介电常数，且无需对该介电堆栈层做任何后续处理步骤的情况下，即可达到机械性质的改善。更明确而言，本发明提供一种低k介电堆栈层，其包含至少一低k介电材料，以及至少一层存在于该至少一低k介电材料中的奈米层。

公开(公告)号：TW201543572A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104109218

申请日：2015-03-23

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 薛瑪雪恩克 ,  SHARMA, SHASHANK ,  陳昭君 ,  CHEN, JAU-JIUN ,  亞德霍德沃夫剛R ,  ADERHOLD, WOLFGANG R. ,  吳凱 ,  NG, KAI ,  葛勞伊候達 ,  GRAOUI, HOUDA ,  繆修克里斯南山卡爾 ,  MUTHUKRISHNAN, SHANKAR ,  梅爾艾伯希拉許J ,  MAYUR, ABHILASH J. ,  范佳 ,  PHAM, GIA

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02337 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28202

Abstract: 本發明實施例係關於處理基板的方法。在一實施例中，方法包括在基板上面形成介電層，其中介電層的介電值為約3.9或以上、利用燈具或置於處理腔室內的基板支撐件的加熱器，加熱基板達約600℃或以下的第一溫度，及在處理腔室中，以約600℃至約1400℃的第二溫度，在大氣氮環境中，退火處理介電層，以將氮併入介電層，其中退火步驟係按毫秒級進行。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于处理基板的方法。在一实施例中，方法包括在基板上面形成介电层，其中介电层的介电值为约3.9或以上、利用灯具或置于处理腔室内的基板支撑件的加热器，加热基板达约600℃或以下的第一温度，及在处理腔室中，以约600℃至约1400℃的第二温度，在大气氮环境中，退火处理介电层，以将氮并入介电层，其中退火步骤系按毫秒级进行。

公开(公告)号：TWI458018B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW098103529

申请日：2009-02-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  大槻高志 ,  OHTSUKI, TAKASHI ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  C23C16/02 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13

公开(公告)号：TWI414623B

公开(公告)日：2013-11-11

申请号：TW095107313

申请日：2006-03-03

Applicant: 萬國商業機器公司 ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  蘇妮股份有限公司 ,  SONY CORPORATION ,  蘇妮電子股份有限公司 ,  SONY ELECTRONICS, INC.

Inventor： 蓋葉尚樊 ,  NGUYEN, SON V. ,  連恩莎拉L ,  LANE, SARAH L. ,  林尼格艾立克吉拉德 ,  LINIGER, ERIC G. ,  井田謙作 ,  IDA, KENSAKU ,  雷斯坦諾達林D ,  RESTAINO, DARRYL D.

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201730923A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105140669

申请日：2016-12-08

Applicant: 蘇斯微科光電系統股份有限公司 ,  SUSS MICROTEC PHOTONIC SYSTEMS INC.

Inventor： 西奇里 哈比 ,  HICHRI, HABIB

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/142 ,  B23K26/36 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0084 ,  B23K26/0087 ,  B23K26/08 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/359 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2201/34 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/56 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144

Abstract: 對於一實施例，一種自一晶圓移除雷射後碎屑之方法包括：在一待圖案化層上方形成一犧牲層；使用雷射燒蝕圖案化該犧牲層及該待圖案化層；及用水移除該犧牲層及沈積在該犧牲層上之碎屑。該犧牲層包括一水溶性黏合劑及一水溶性紫外光(UV)吸收劑。亦描述用於移除該雷射後碎屑之系統。

Abstract in simplified Chinese: 对于一实施例，一种自一晶圆移除激光后碎屑之方法包括：在一待图案化层上方形成一牺牲层；使用激光烧蚀图案化该牺牲层及该待图案化层；及用水移除该牺牲层及沉积在该牺牲层上之碎屑。该牺牲层包括一水溶性黏合剂及一水溶性紫外光(UV)吸收剂。亦描述用于移除该激光后碎屑之系统。

公开(公告)号：TWI585230B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105103876

申请日：2016-02-04

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  卡希爾 柯克 史考特 ,  CUTHILL, KIRK SCOTT ,  馬里卡裘南 艾紐帕馬 ,  MALLIKARJUNAN, ANUPAMA ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  麥當勞 馬修 R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 馬乎卡 巴斯卡拉 ,  RAO, MADHUKAR BHASKARA ,  李建恒 ,  LI, JIANHENG

IPC: C23C16/30 ,  C07F7/12 ,  C07F7/10 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354

公开(公告)号：TW201629255A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW105103876

申请日：2016-02-04

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  卡希爾 柯克 史考特 ,  CUTHILL, KIRK SCOTT ,  馬里卡裘南 艾紐帕馬 ,  MALLIKARJUNAN, ANUPAMA ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  麥當勞 馬修 R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 馬乎卡 巴斯卡拉 ,  RAO, MADHUKAR BHASKARA ,  李建恒 ,  LI, JIANHENG

IPC: C23C16/30 ,  C07F7/12 ,  C07F7/10 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354

Abstract: 本文所述的是用於沉積製程中形成含矽膜例如，但不限於，摻碳的氧化矽膜、摻碳的氮化矽、摻碳的氧氮化矽膜之組合物及其方法。在一態樣中，該組合物至少包含具有至少一Si-C-Si鍵聯及至少一錨定基團(anchoring group)的環狀碳矽烷，該至少一錨定基團係選自鹵素原子、胺基及其組合。

Abstract in simplified Chinese: 本文所述的是用于沉积制程中形成含硅膜例如，但不限于，掺碳的氧化硅膜、掺碳的氮化硅、掺碳的氧氮化硅膜之组合物及其方法。在一态样中，该组合物至少包含具有至少一Si-C-Si键联及至少一锚定基团(anchoring group)的环状碳硅烷，该至少一锚定基团系选自卤素原子、胺基及其组合。