公开(公告)号：TWI476823B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW101111999

申请日：2012-04-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許俊豪 ,  XU, JEFF J.

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L29/165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201314749A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101111999

申请日：2012-04-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許俊豪 ,  XU, JEFF J.

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L29/165 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明係提供一種具有金屬閘極之半導體裝置。此裝置包含一半導體基材，其包含複數個源極及汲極元件以形成p型通道及n型通道。此裝置亦包含一閘極堆疊設置於半導體基材上及插設在這些源極及汲極元件之間。閘極堆疊包含高介電常數介電層形成於半導體基材上。一拉伸應力高介電常數蓋層形成於此該介電常數介電層之頂部上，並鄰近於p型通道。一壓縮應力N型功函數金屬層形成於高介電常數介電層之頂部上，並鄰近於n型通道。一由金屬閘極層之堆疊沉積於該些蓋層上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种具有金属闸极之半导体设备。此设备包含一半导体基材，其包含复数个源极及汲极组件以形成p型信道及n型信道。此设备亦包含一闸极堆栈设置于半导体基材上及插设在这些源极及汲极组件之间。闸极堆栈包含高介电常数介电层形成于半导体基材上。一拉伸应力高介电常数盖层形成于此该介电常数介电层之顶部上，并邻近于p型信道。一压缩应力N型功函数金属层形成于高介电常数介电层之顶部上，并邻近于n型信道。一由金属闸极层之堆栈沉积于该些盖层上。

公开(公告)号：TWI329361B

公开(公告)日：2010-08-21

申请号：TW094100100

申请日：2005-01-03

Applicant: 萬國商業機器公司

Inventor： 辜維特 ,  史提根安 ,  萬杏真

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明提供一種用以製造一半導體元件中之單一金屬或雙金屬取代閘極結構的方法，其中該結構包括一接觸於閘極區域之矽化物接觸。一偽閘極結構與犧牲閘極介電質係被移除，以暴露出一部分基材；接著一閘極介電質係形成於其上方。一金屬層係形成於該閘極介電質與該介電質材料上方。該金屬層可利於做為一覆蓋住一裝置晶圓之覆蓋金屬層。接著，一矽層係形成於該金屬層上方，其中該矽層亦可以做為一覆蓋層。然後，執行一平坦化或回蝕刻製程，使得該介電質材料之頂部表面暴露出，而該金屬層之其他部分及該矽層殘留於閘極區域中並具有與該介電質材料之頂部表面共平面之表面。之後，形成一矽化物接觸，其中該矽化物接觸係接觸於閘極區域中之該金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造一半导体组件中之单一金属或双金属取代闸极结构的方法，其中该结构包括一接触于闸极区域之硅化物接触。一伪闸极结构与牺牲闸极介电质系被移除，以暴露出一部分基材；接着一闸极介电质系形成于其上方。一金属层系形成于该闸极介电质与该介电质材料上方。该金属层可利于做为一覆盖住一设备晶圆之覆盖金属层。接着，一硅层系形成于该金属层上方，其中该硅层亦可以做为一覆盖层。然后，运行一平坦化或回蚀刻制程，使得该介电质材料之顶部表面暴露出，而该金属层之其他部分及该硅层残留于闸极区域中并具有与该介电质材料之顶部表面共平面之表面。之后，形成一硅化物接触，其中该硅化物接触系接触于闸极区域中之该金属层。

公开(公告)号：TW200826239A

公开(公告)日：2008-06-16

申请号：TW095145340

申请日：2006-12-06

Applicant: 茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.

Inventor： 簡榮吾 CHIEN, JUNG WU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/28061 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/66583

Abstract: 一種閘極的製造方法。此方法為,先在基底上依序形成墊氧化層、墊導體層與介電層。然後,移除部分介電層,以形成一開口。接著,形成襯導體層,順應性地覆蓋介電層與墊導體層。之後,移除部分襯導體層與部分墊導體層,以於開口側壁形成導體間隙壁。繼之,移除開口底部之墊氧化層。然後,於基底上方順應性地形成閘氧化層。接著,於開口底部之閘氧化層上依序形成第一與第二閘極導體層,且第二閘極導體層表面高度低於介電層表面高度。繼之,移除部分閘氧化層,至閘氧化層表面高度低於第二閘極導體層表面高度。然後,於開口中填滿頂蓋層。

Abstract in simplified Chinese: 一种闸极的制造方法。此方法为,先在基底上依序形成垫氧化层、垫导体层与介电层。然后,移除部分介电层,以形成一开口。接着,形成衬导体层,顺应性地覆盖介电层与垫导体层。之后,移除部分衬导体层与部分垫导体层,以于开口侧壁形成导体间隙壁。继之,移除开口底部之垫氧化层。然后,于基底上方顺应性地形成闸氧化层。接着,于开口底部之闸氧化层上依序形成第一与第二闸极导体层,且第二闸极导体层表面高度低于介电层表面高度。继之,移除部分闸氧化层,至闸氧化层表面高度低于第二闸极导体层表面高度。然后,于开口中填满顶盖层。

公开(公告)号：TWI276700B

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：TW093104977

申请日：2004-02-26

Applicant: 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 約翰 康利二世 CONLEY, JR., JOHN F. ,  大野芳睦 ONO, YOSHI ,  瑞珍卓 史蘭奇 SOLANKI, RAJENDRA

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66583

Abstract: 本發明係提供一種可沉積氧化物奈米疊層薄膜之原子層沉積法。該方法係使用第一個前驅物中之硝酸鹽配位子做為第二個前驅物之氧化劑，如此即可形成氧化物奈米疊層膜。對閘極介電質或電容器介電質應用而言，該方法經由使用硝酸鉿前驅物及鋁前驅物，即可相當適於將高k值之二氧化鉿/氧化鋁奈米疊層膜沉積在氫-端基之矽表面上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种可沉积氧化物奈米叠层薄膜之原子层沉积法。该方法系使用第一个前驱物中之硝酸盐配位子做为第二个前驱物之氧化剂，如此即可形成氧化物奈米叠层膜。对闸极介电质或电容器介电质应用而言，该方法经由使用硝酸铪前驱物及铝前驱物，即可相当适于将高k值之二氧化铪/氧化铝奈米叠层膜沉积在氢-端基之硅表面上。

公开(公告)号：TWI257144B

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：TW093136514

申请日：2004-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉繼文 LIU, CHI WEN ,  曹榮志 TSAO, JUNG CHIH

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583

Abstract: 本發明提供一種積體電路元件的製造方法。包括提供具有開口的犧牲層於基底上。形成鑲嵌式構件於該開口中並且利用第一化學機械研磨平坦化該鑲嵌式構件。移除該犧牲層，露出該鑲嵌式構件及基底表面。形成一低介電常數(low-k)層於該基底上覆蓋該鑲嵌式構件，以及利用第二化學機械研磨平坦化該低介電常數(low-k)層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路组件的制造方法。包括提供具有开口的牺牲层于基底上。形成镶嵌式构件于该开口中并且利用第一化学机械研磨平坦化该镶嵌式构件。移除该牺牲层，露出该镶嵌式构件及基底表面。形成一低介电常数(low-k)层于该基底上覆盖该镶嵌式构件，以及利用第二化学机械研磨平坦化该低介电常数(low-k)层。

公开(公告)号：TW200537645A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：TW093136514

申请日：2004-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉繼文 LIU, CHI-WEN ,  曹榮志 TSAO, JUNG-CHIH

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583

Abstract: 本發明提供一種積體電路元件的製造方法。包括提供具有開口的犧牲層於基底上。形成鑲嵌式構件於該開口中並且利用第一化學機械研磨平坦化該鑲嵌式構件。移除該犧牲層，露出該鑲嵌式構件及基底表面。形成一低介電常數(low–k)層於該基底上覆蓋該鑲嵌式構件，以及利用第二化學機械研磨平坦化該低介電常數(low–k)層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路组件的制造方法。包括提供具有开口的牺牲层于基底上。形成镶嵌式构件于该开口中并且利用第一化学机械研磨平坦化该镶嵌式构件。移除该牺牲层，露出该镶嵌式构件及基底表面。形成一低介电常数(low–k)层于该基底上覆盖该镶嵌式构件，以及利用第二化学机械研磨平坦化该低介电常数(low–k)层。

公开(公告)号：TW200525750A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：TW094100100

申请日：2005-01-03

Applicant: 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 辜維特 KU, VICTOR ,  史提根安 STEEGEN, AN ,  萬杏真 WANN, HSING JEN C.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66583 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明提供一種用以製造一半導體元件中之單一金屬或雙金屬取代閘極結構的方法，其中該結構包括一接觸於閘極區域之矽化物接觸。一偽閘極結構與犧牲閘極介電質係被移除，以暴露出一部分基材；接著一閘極介電質係形成於其上方。一金屬層係形成於該閘極介電質與該介電質材料上方。該金屬層可利於做為一覆蓋住一裝置晶圓之覆蓋金屬層。接著，一矽層係形成於該金屬層上方，其中該矽層亦可以做為一覆蓋層。然後，執行一平坦化或回蝕刻製程，使得該介電質材料之頂部表面暴露出，而該金屬層之其他部分及該矽層殘留於閘極區域中並具有與該介電質材料之頂部表面共平面之表面。之後，形成一矽化物接觸，其中該矽化物接觸係接觸於閘極區域中之該金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造一半导体组件中之单一金属或双金属取代闸极结构的方法，其中该结构包括一接触于闸极区域之硅化物接触。一伪闸极结构与牺牲闸极介电质系被移除，以暴露出一部分基材；接着一闸极介电质系形成于其上方。一金属层系形成于该闸极介电质与该介电质材料上方。该金属层可利于做为一覆盖住一设备晶圆之覆盖金属层。接着，一硅层系形成于该金属层上方，其中该硅层亦可以做为一覆盖层。然后，运行一平坦化或回蚀刻制程，使得该介电质材料之顶部表面暴露出，而该金属层之其他部分及该硅层残留于闸极区域中并具有与该介电质材料之顶部表面共平面之表面。之后，形成一硅化物接触，其中该硅化物接触系接触于闸极区域中之该金属层。

公开(公告)号：TW200511572A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093123459

申请日：2004-08-05

Applicant: 美光科技股份有限公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 亞伯特 陶德R. ABBOTT, TODD R.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28052 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66583

Abstract: 說明一種形成一具有積集金屬矽化物電晶體閘極電極之電晶體於一半導體總成之方法。該電晶體閘極部分係經由金屬與磊晶矽反應同時駐在於溝渠來形成金屬矽化物製造。一電晶體閘極隔離覆蓋層形成於溝渠內及形成於金屬矽化物上。可增加選擇性溝渠隔件來減少指定製法之臨界緯度限制，如此形成一具有比臨界維度更不之特徵結構尺寸之電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 说明一种形成一具有积集金属硅化物晶体管闸极电极之晶体管于一半导体总成之方法。该晶体管闸极部分系经由金属与磊晶硅反应同时驻在于沟渠来形成金属硅化物制造。一晶体管闸极隔离覆盖层形成于沟渠内及形成于金属硅化物上。可增加选择性沟渠隔件来减少指定制法之临界纬度限制，如此形成一具有比临界维度更不之特征结构尺寸之晶体管。

公开(公告)号：TW200424348A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW093104977

申请日：2004-02-26

Applicant: 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 約翰 康利二世 CONLEY, JR., JOHN F. ,  大野芳睦 ONO, YOSHI ,  瑞珍卓 史蘭奇 SOLANKI, RAJENDRA

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66583

Abstract: 本發明係提供一種可沉積氧化物奈米疊層薄膜之原子層沉積法。該方法係使用第一個前驅物中之硝酸鹽配位子做為第二個前驅物之氧化劑，如此即可形成氧化物奈米疊層膜。對閘極介電質或電容器介電質應用而言，該方法經由使用硝酸鉿前驅物及鋁前驅物，即可相當適於將高k值之二氧化鉿／氧化鋁奈米疊層膜沉積在氫–端基之矽表面上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种可沉积氧化物奈米叠层薄膜之原子层沉积法。该方法系使用第一个前驱物中之硝酸盐配位子做为第二个前驱物之氧化剂，如此即可形成氧化物奈米叠层膜。对闸极介电质或电容器介电质应用而言，该方法经由使用硝酸铪前驱物及铝前驱物，即可相当适于将高k值之二氧化铪／氧化铝奈米叠层膜沉积在氢–端基之硅表面上。