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1.发明专利傳送電路、傳送器、接收器以及測試裝置 TRANSMITTING CIRCUIT, TRANSMITTER, RECEIVER AND TESTING DEVICE 失效发送电路、发送器、接收器以及测试设备 TRANSMITTING CIRCUIT, TRANSMITTER, RECEIVER AND TESTING DEVICE
公开(公告)号：TWI378248B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW097133627
申请日：2008-09-02
Applicant: 愛德萬測試股份有限公司
CPC classification number: H03F3/45085 , G01R31/31715 , H03F3/245 , H03F3/45659 , H03F2200/423 , H03F2200/543 , H03F2203/45521
Abstract: 一種傳送電路，具備輸出傳送信號的傳送器以及接收傳送信號的接收器，接收器對傳送器供給反饋信號，該反饋信號用於對傳送器輸出的傳送信號的共用位準進行控制，傳送器根據自接收器所接收的反饋信號，對所輸出的傳送信號的共用位準進行控制。接收器具有：對應於傳送信號而動作的接收部；生成基準位準的基準位準生成部，該基準位準是輸入至接收部的傳送信號作為共用位準而應具有的基準位準；以及比較部，對輸入至接收部的傳送信號的共用位準與基準位準進行比較，並生成與比較結果相應的反饋信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种发送电路，具备输出发送信号的发送器以及接收发送信号的接收器，接收器对发送器供给反馈信号，该反馈信号用于对发送器输出的发送信号的共享位准进行控制，发送器根据自接收器所接收的反馈信号，对所输出的发送信号的共享位准进行控制。接收器具有：对应于发送信号而动作的接收部；生成基准位准的基准位准生成部，该基准位准是输入至接收部的发送信号作为共享位准而应具有的基准位准；以及比较部，对输入至接收部的发送信号的共享位准与基准位准进行比较，并生成与比较结果相应的反馈信号。
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2.发明专利傳送電路、傳送器、接收器以及測試裝置 TRANSMITTING CIRCUIT, TRANSMITTER, RECEIVER AND TESTING DEVICE 失效发送电路、发送器、接收器以及测试设备 TRANSMITTING CIRCUIT, TRANSMITTER, RECEIVER AND TESTING DEVICE
公开(公告)号：TW200916807A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097133627
申请日：2008-09-02
Applicant: 愛德萬測試股份有限公司 ADVANTEST CORPORATION
Inventor： 渡邊大輔 WATANABE, DAISUKE , 岡安俊幸 OKAYASU, TOSHIYUKI
CPC classification number: H03F3/45085 , G01R31/31715 , H03F3/245 , H03F3/45659 , H03F2200/423 , H03F2200/543 , H03F2203/45521
Abstract: 一種傳送電路,具備輸出傳送信號的傳送器以及接收傳送信號的接收器,接收器對傳送器供給反饋信號,該反饋信號用於對傳送器輸出的傳送信號的共用位準進行控制,傳送器根據自接收器所接收的反饋信號,對所輸出的傳送信號的共用位準進行控制。接收器具有:對應於傳送信號而動作的接收部;生成基準位準的基準位準生成部,該基準位準是輸入至接收部的傳送信號作為共用位準而應具有的基準位準;以及比較部,對輸入至接收部的傳送信號的共用位準與基準位準進行比較,並生成與比較結果相應的反饋信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种发送电路,具备输出发送信号的发送器以及接收发送信号的接收器,接收器对发送器供给反馈信号,该反馈信号用于对发送器输出的发送信号的共享位准进行控制,发送器根据自接收器所接收的反馈信号,对所输出的发送信号的共享位准进行控制。接收器具有:对应于发送信号而动作的接收部;生成基准位准的基准位准生成部,该基准位准是输入至接收部的发送信号作为共享位准而应具有的基准位准;以及比较部,对输入至接收部的发送信号的共享位准与基准位准进行比较,并生成与比较结果相应的反馈信号。
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公开(公告)号：TW431065B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW085105982
申请日：1996-05-21
Applicant: 止境公司
Inventor： 克立佛德A.摩溫可
IPC: H03F
CPC classification number: H01L23/66 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/16 , H01L2224/81801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/0106 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15174 , H01L2924/1903 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H03F3/265 , H03F3/604 , H03F2200/372 , H03F2200/451 , H03F2200/543 , H01L2924/00
Abstract: 一種連接複數個本質上相同之主動裝置的方法被提出以用於多功能及多功能操作之目的。這些安裝於一晶片上之裝置被倒裝於一具多量被動元件之電路母板上。一推挽式放大器作為一實例被提出，其中多功能操作為其主動裝置位於一單晶片上之放大器的組合。電磁耦合、阻抗匹配與信號傳輸各不相同地藉由使用帶線、槽襯、共平面波導與轉換到一共平面波導之槽襯來提供。
Abstract in simplified Chinese: 一种连接复数个本质上相同之主动设备的方法被提出以用于多功能及多功能操作之目的。这些安装于一芯片上之设备被倒装于一具多量被动组件之电路母板上。一推挽式放大器作为一实例被提出，其中多功能操作为其主动设备位于一单芯片上之放大器的组合。电磁耦合、阻抗匹配与信号传输各不相同地借由使用带线、槽衬、共平面波导与转换到一共平面波导之槽衬来提供。
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公开(公告)号：TWI376871B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW098107870
申请日：2009-03-11
Applicant: 聯發科技股份有限公司
Inventor： 賴玠瑋
IPC: H03F
CPC classification number: H01F27/2804 , H03F3/602 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2200/543 , H04B1/0483
Abstract: 本發明涉及一種變壓器功率合成器，變壓器功率合成器包含多個輸入端以及一輸出端，還包含多個主繞阻導體，分別電性連接至多個輸入端，其中多個主繞阻導體之每一主繞阻導體電性連接於一對應輸入端之正端與負端之間；以及多個次繞阻導體，分別磁性耦接至多個主繞阻導體，其中，多個次繞阻導體配置為拓撲結構，拓撲結構包含輸出端之正端以及負端之間之串聯以及並聯。
Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种变压器功率合成器，变压器功率合成器包含多个输入端以及一输出端，还包含多个主绕阻导体，分别电性连接至多个输入端，其中多个主绕阻导体之每一主绕阻导体电性连接于一对应输入端之正端与负端之间；以及多个次绕阻导体，分别磁性耦接至多个主绕阻导体，其中，多个次绕阻导体配置为拓扑结构，拓扑结构包含输出端之正端以及负端之间之串联以及并联。
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公开(公告)号：TW200939617A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW098107870
申请日：2009-03-11
Applicant: 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC.
Inventor： 賴玠瑋 LAI, JIE WEI
IPC: H03F
CPC classification number: H01F27/2804 , H03F3/602 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2200/543 , H04B1/0483
Abstract: 本發明涉及一種變壓器功率合成器,變壓器功率合成器包含多個輸入端以及一輸出端,還包含多個主繞阻導體,分別電性連接至多個輸入端,其中多個主繞阻導體之每一主繞阻導體電性連接於一對應輸入端之正端與負端之間;以及多個次繞阻導體,分別磁性耦接至多個主繞阻導體,其中,多個次繞阻導體配置為拓撲結構,拓撲結構包含輸出端之正端以及負端之間之串聯以及並聯。
Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种变压器功率合成器,变压器功率合成器包含多个输入端以及一输出端,还包含多个主绕阻导体,分别电性连接至多个输入端,其中多个主绕阻导体之每一主绕阻导体电性连接于一对应输入端之正端与负端之间;以及多个次绕阻导体,分别磁性耦接至多个主绕阻导体,其中,多个次绕阻导体配置为拓扑结构,拓扑结构包含输出端之正端以及负端之间之串联以及并联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI298580B
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW094111375
申请日：2005-04-11
Applicant: 阿爾普士電氣股份有限公司 ALPS ELECTRIC CO., LTD.
Inventor： 佐藤桂一郎
IPC: H03F
CPC classification number: H03F3/602 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F2200/543
Abstract: 本發明係提供一種高頻放大器,係在高頻放大器的內部設為不需反饋結合的配置構成,進行抑制異常震盪的產生而使之穩定的放大動作。
配置形成於電路基板10上,具有第1半導體放大元件的第1高頻放大電路部1;具有第2半導體放大元件的第2高頻放大電路部2;藉由導電帶連接第1高頻放大電路部1與第2高頻放大電路部2之連接部4;封閉第1高頻放大電路部1、連接部4、及第2高頻放大電路部2的封閉框體6,與封閉框體6相對向配置的側壁6(1)、6(2)形成有內部間隔為4mm以上5mm以下的寬度較窄部分7(1)、7(2)、8(1)、8(2)。Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种高频放大器,系在高频放大器的内部设为不需反馈结合的配置构成,进行抑制异常震荡的产生而使之稳定的放大动作。 配置形成于电路基板10上,具有第1半导体放大组件的第1高频放大电路部1;具有第2半导体放大组件的第2高频放大电路部2;借由导电带连接第1高频放大电路部1与第2高频放大电路部2之连接部4;封闭第1高频放大电路部1、连接部4、及第2高频放大电路部2的封闭框体6,与封闭框体6相对向配置的侧壁6(1)、6(2)形成有内部间隔为4mm以上5mm以下的宽度较窄部分7(1)、7(2)、8(1)、8(2)。
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公开(公告)号：TWI571048B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW105119050
申请日：2016-06-17
Applicant: 國立暨南國際大學 , NATIONAL CHI NAN UNIVERSITY
Inventor： 林佑昇 , LIN, YO-SHENG , 阮 文堅 , NGUYEN, VAN-KIEN
CPC classification number: H03F3/607 , H03F1/342 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/451 , H03F2200/543
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公开(公告)号：TW200614659A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094111375
申请日：2005-04-11
Applicant: 阿爾普士電氣股份有限公司 ALPS ELECTRIC CO., LTD.
Inventor： 佐藤桂一郎
IPC: H03F
CPC classification number: H03F3/602 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F2200/543
Abstract: 本發明係提供一種高頻放大器，係在高頻放大器的內部設為不需反饋結合的配置構成，進行抑制異常震盪的產生而使之穩定的放大動作。配置形成於電路基板10上，具有第1半導體放大元件的第1高頻放大電路部1；具有第2半導體放大元件的第2高頻放大電路部2；藉由導電帶連接第1高頻放大電路部1與第2高頻放大電路部2之連接部4；封閉第1高頻放大電路部1、連接部4、及第2高頻放大電路部2的封閉框體6，與封閉框體6相對向配置的側壁6(1)、6(2)形成有內部間隔為4mm以上5mm以下的寬度較窄部分7(1)、7(2)、8(1)、8(2)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种高频放大器，系在高频放大器的内部设为不需反馈结合的配置构成，进行抑制异常震荡的产生而使之稳定的放大动作。配置形成于电路基板10上，具有第1半导体放大组件的第1高频放大电路部1；具有第2半导体放大组件的第2高频放大电路部2；借由导电带连接第1高频放大电路部1与第2高频放大电路部2之连接部4；封闭第1高频放大电路部1、连接部4、及第2高频放大电路部2的封闭框体6，与封闭框体6相对向配置的侧壁6(1)、6(2)形成有内部间隔为4mm以上5mm以下的宽度较窄部分7(1)、7(2)、8(1)、8(2)。
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公开(公告)号：TW473882B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW088110698
申请日：1999-06-25
Applicant: 日立製作所股份有限公司 , 日立東部半導體股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/04 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45669 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48799 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4912 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15173 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/19032 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/604 , H03F2200/12 , H03F2200/168 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/543 , H03H7/383 , H05K1/0243 , H05K1/0298 , H05K1/183 , H05K3/403 , H01L2924/05432 , H01L2924/2065 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本發明之半導體裝置，係為了謀求半導體裝置(高頻功率放大器模組)之小型化，而將形成有複數個放大裝置的半導體晶片5搭載於配線基板1之一主面側，且利用金屬線電氣連接半導體晶片之電極和配線基板之電極者，而連接有其電位被固定在基準電位之金屬線7C的基板側搭接用電極2C，係配置在比連接有輸出用金屬線7B之基板側輸出用電極2B還遠離前述半導體晶片5之一邊5X的位置上。連接有輸入用金屬線7A的基板側輸入用電極2A，係配置在自前述半導體晶片5之一邊5X起之距離大致與前述基板側輸出用電極2B相同的位置上，或是配置在比前述基板側搭接用電極2C還遠離前述半導體晶片5之一邊5X的位置上。
又，設置其於配線基板上具有多級放大級電晶體之半導體晶片的高頻功率放大器模組，係藉由將第一輔助線和第二輔助線所成的角度設在72~180度，而將搭接用輸入電極102a和搭接用輸入電極103b之搭接部的間隔設在0.3mm以上0.8mm以下，以謀求功率放大器模組之高頻特性之提高及小型化。前述第一輔助線係用以連結輸入搭按金屬線105之兩端的搭接部彼此之間，而前述輸入搭按金屬線105係用以連接對應於某一個放大級電晶體5之搭接用輸入電極102a和配線基板121者。又，前述第二輔助線係用以連結輸出搭按金屬線108之兩端的搭接部彼此之間，而前述輸出搭按金屬線108係用以連接對應於位在此一放大級電晶體之次級放大級電晶體103之搭接用輸出電極103b和配線基板124者。Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体设备，系为了谋求半导体设备(高频功率放大器模块)之小型化，而将形成有复数个放大设备的半导体芯片5搭载于配线基板1之一主面侧，且利用金属线电气连接半导体芯片之电极和配线基板之电极者，而连接有其电位被固定在基准电位之金属线7C的基板侧搭接用电极2C，系配置在比连接有输出用金属线7B之基板侧输出用电极2B还远离前述半导体芯片5之一边5X的位置上。连接有输入用金属线7A的基板侧输入用电极2A，系配置在自前述半导体芯片5之一边5X起之距离大致与前述基板侧输出用电极2B相同的位置上，或是配置在比前述基板侧搭接用电极2C还远离前述半导体芯片5之一边5X的位置上。 又，设置其于配线基板上具有多级放大级晶体管之半导体芯片的高频功率放大器模块，系借由将第一辅助线和第二辅助线所成的角度设在72~180度，而将搭接用输入电极102a和搭接用输入电极103b之搭接部的间隔设在0.3mm以上0.8mm以下，以谋求功率放大器模块之高频特性之提高及小型化。前述第一辅助线系用以链接输入搭按金属线105之两端的搭接部彼此之间，而前述输入搭按金属线105系用以连接对应于某一个放大级晶体管5之搭接用输入电极102a和配线基板121者。又，前述第二辅助线系用以链接输出搭按金属线108之两端的搭接部彼此之间，而前述输出搭按金属线108系用以连接对应于位在此一放大级晶体管之次级放大级晶体管103之搭接用输出电极103b和配线基板124者。
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公开(公告)号：TW201801469A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119050
申请日：2016-06-17
Applicant: 國立暨南國際大學 , NATIONAL CHI NAN UNIVERSITY
Inventor： 林佑昇 , LIN, YO-SHENG , 阮 文堅 , NGUYEN, VAN-KIEN
CPC classification number: H03F3/607 , H03F1/342 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/451 , H03F2200/543
Abstract: 一種射頻功率放大器，包含至少一第一放大級，包括一反相放大單元及一回授單元，反相放大單元接收一第一輸入信號及一回授信號且加總成一加總信號，且將加總信號進行相位反相與振幅放大，而產生一反相信號並將之輸出，回授單元接收反相信號，並將反相信號的相位進行反相以產生回授信號，回授信號的相位等同於第一輸入信號的相位，且回授單元輸出一大小正比於反相信號的第一輸出信號；藉由回授單元將反相信號進行反相，並輸出正比於反相信號的第一輸出信號，以致於第一輸出信號與第一輸入信號之比形成高增益，進而達到高功率附加效率。
Abstract in simplified Chinese: 一种射频功率放大器，包含至少一第一放大级，包括一反相放大单元及一回授单元，反相放大单元接收一第一输入信号及一回授信号且加总成一加总信号，且将加总信号进行相位反相与振幅放大，而产生一反相信号并将之输出，回授单元接收反相信号，并将反相信号的相位进行反相以产生回授信号，回授信号的相位等同于第一输入信号的相位，且回授单元输出一大小正比于反相信号的第一输出信号；借由回授单元将反相信号进行反相，并输出正比于反相信号的第一输出信号，以致于第一输出信号与第一输入信号之比形成高增益，进而达到高功率附加效率。
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