公开(公告)号：TW473882B

公开(公告)日：2002-01-21

申请号：TW088110698

申请日：1999-06-25

Applicant: 日立製作所股份有限公司 ,  日立東部半導體股份有限公司

Inventor： 神代岩道 ,  菊池榮 ,  布川 康弘 ,  近藤靜雄 ,  安達 徹朗 ,  加賀谷修 ,  關根健治

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/12 ,  H03F2200/168 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/543 ,  H03H7/383 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/183 ,  H05K3/403 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明之半導體裝置，係為了謀求半導體裝置(高頻功率放大器模組)之小型化，而將形成有複數個放大裝置的半導體晶片5搭載於配線基板1之一主面側，且利用金屬線電氣連接半導體晶片之電極和配線基板之電極者，而連接有其電位被固定在基準電位之金屬線7C的基板側搭接用電極2C，係配置在比連接有輸出用金屬線7B之基板側輸出用電極2B還遠離前述半導體晶片5之一邊5X的位置上。連接有輸入用金屬線7A的基板側輸入用電極2A，係配置在自前述半導體晶片5之一邊5X起之距離大致與前述基板側輸出用電極2B相同的位置上，或是配置在比前述基板側搭接用電極2C還遠離前述半導體晶片5之一邊5X的位置上。
又，設置其於配線基板上具有多級放大級電晶體之半導體晶片的高頻功率放大器模組，係藉由將第一輔助線和第二輔助線所成的角度設在72~180度，而將搭接用輸入電極102a和搭接用輸入電極103b之搭接部的間隔設在0.3mm以上0.8mm以下，以謀求功率放大器模組之高頻特性之提高及小型化。前述第一輔助線係用以連結輸入搭按金屬線105之兩端的搭接部彼此之間，而前述輸入搭按金屬線105係用以連接對應於某一個放大級電晶體5之搭接用輸入電極102a和配線基板121者。又，前述第二輔助線係用以連結輸出搭按金屬線108之兩端的搭接部彼此之間，而前述輸出搭按金屬線108係用以連接對應於位在此一放大級電晶體之次級放大級電晶體103之搭接用輸出電極103b和配線基板124者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体设备，系为了谋求半导体设备(高频功率放大器模块)之小型化，而将形成有复数个放大设备的半导体芯片5搭载于配线基板1之一主面侧，且利用金属线电气连接半导体芯片之电极和配线基板之电极者，而连接有其电位被固定在基准电位之金属线7C的基板侧搭接用电极2C，系配置在比连接有输出用金属线7B之基板侧输出用电极2B还远离前述半导体芯片5之一边5X的位置上。连接有输入用金属线7A的基板侧输入用电极2A，系配置在自前述半导体芯片5之一边5X起之距离大致与前述基板侧输出用电极2B相同的位置上，或是配置在比前述基板侧搭接用电极2C还远离前述半导体芯片5之一边5X的位置上。 又，设置其于配线基板上具有多级放大级晶体管之半导体芯片的高频功率放大器模块，系借由将第一辅助线和第二辅助线所成的角度设在72~180度，而将搭接用输入电极102a和搭接用输入电极103b之搭接部的间隔设在0.3mm以上0.8mm以下，以谋求功率放大器模块之高频特性之提高及小型化。前述第一辅助线系用以链接输入搭按金属线105之两端的搭接部彼此之间，而前述输入搭按金属线105系用以连接对应于某一个放大级晶体管5之搭接用输入电极102a和配线基板121者。又，前述第二辅助线系用以链接输出搭按金属线108之两端的搭接部彼此之间，而前述输出搭按金属线108系用以连接对应于位在此一放大级晶体管之次级放大级晶体管103之搭接用输出电极103b和配线基板124者。

公开(公告)号：TW536805B

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：TW090101158

申请日：2001-01-18

Applicant: 日立製作所股份有限公司 ,  秋田電子股份有限公司 ,  日立東部半導體股份有限公司

Inventor： 京極敏彥 ,  神津正 ,  望月清春 ,  菊池榮 ,  石津昭夫 ,  小林義彥 ,  丸山昌志 ,  神代岩道

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/645 ,  H01F17/02 ,  H01F27/292 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F3/24 ,  H03F3/602 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/429 ,  H03F2203/7236 ,  H04B2001/0408 ,  H05K1/181 ,  H05K13/028 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本發明係關於半導體裝置及其製造方法、以及半導體製造裝置，例如係關於適用在半導體裝置之多段串接接續複數之放大器(半導體放大元件)之多段構成的高頻電力放大裝置(高頻電力放大模組)之製造技術、以及組裝該高頻電力放大裝置之行動電話機等之無線電通訊裝置(電子裝置)有效之技術。高頻電力放大裝置具有2個之放大系統。放大系統成為串列接續複數之放大段之構成，電源電壓端子成為2端子，一方之電源電壓端子分別被接續於一方之放大系統之初段放大段與另一方之放大系統之剩餘之放大段，另一方之電源電壓端子分別被接續於另一方之放大系統之初段放大段與一方之放大系統之剩餘之放大段。螺旋狀緊密捲繞0.1mm程度之直線的銅線之直流電阻小之空心線圈串列被接續於各放大系統之最終放大段與電源電壓端子之間。各放大系統由於沒有由最終放大段之對初段放大段之信號之洩漏、空心線圈之直流電阻小，振盪裕度被改善。空心線圈便宜，能夠謀求高頻電力放大裝置之低成本化。空心線圈以散裝物供料器所供給被搭載於模組基板。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于半导体设备及其制造方法、以及半导体制造设备，例如系关于适用在半导体设备之多段串接接续复数之放大器(半导体放大组件)之多段构成的高频电力放大设备(高频电力放大模块)之制造技术、以及组装该高频电力放大设备之移动电话机等之无线电通信设备(电子设备)有效之技术。高频电力放大设备具有2个之放大系统。放大系统成为串行接续复数之放大段之构成，电源电压端子成为2端子，一方之电源电压端子分别被接续于一方之放大系统之初段放大段与另一方之放大系统之剩余之放大段，另一方之电源电压端子分别被接续于另一方之放大系统之初段放大段与一方之放大系统之剩余之放大段。螺旋状紧密卷绕0.1mm程度之直线的铜线之直流电阻小之空心线圈串行被接续于各放大系统之最终放大段与电源电压端子之间。各放大系统由于没有由最终放大段之对初段放大段之信号之泄漏、空心线圈之直流电阻小，振荡裕度被改善。空心线圈便宜，能够谋求高频电力放大设备之低成本化。空心线圈以散装物供料器所供给被搭载于模块基板。

公开(公告)号：TW594888B

公开(公告)日：2004-06-21

申请号：TW091110785

申请日：2002-05-22

Applicant: 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. ,  日立東部半導體股份有限公司 HITACHI, TOHBU SEMICONDUCTOR, LTD.

Inventor： 伊田勤 ,  小林義彥 ,  橋詰 正和 MASAKAZU HASHIZUME ,  鹽川吉則 ,  菊池榮

IPC: H01L

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L23/13 ,  H01L23/66 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00012

Abstract: 目的在於達成多段放大器之最終段電晶體之輸出端子側之寄生電感之誤差之降低。
解決方法為，為降低最終段電晶體之汲極側之寄生電感之誤差，使形成最終段電晶體之半導體晶片之一邊頂接於配線基板上設置之四角形凹部之內側壁，俾將半導體晶片能高精確度地固定於凹部之底部，使汲極導線之長度經常保持一定。晶片上面設置之汲極被配列之晶片邊緣部分接觸於汲極用接合焊墊側之凹部之內側壁(一邊)。於凹部之底部令與晶片相同尺寸之金屬層形成接觸於上述內側壁，之後將特定量之熔融接合材供給於金屬層上，之後令熔融接合材回流、融化，藉由融化之熔融接合材之表面張力及自動對準作用使晶片之一邊接觸於上述內側壁之一邊。

Abstract in simplified Chinese: 目的在于达成多段放大器之最终段晶体管之输出端子侧之寄生电感之误差之降低。 解决方法为，为降低最终段晶体管之汲极侧之寄生电感之误差，使形成最终段晶体管之半导体芯片之一边顶接于配线基板上设置之四角形凹部之内侧壁，俾将半导体芯片能高精确度地固定于凹部之底部，使汲极导线之长度经常保持一定。芯片上面设置之汲极被配列之芯片边缘部分接触于汲极用接合焊垫侧之凹部之内侧壁(一边)。于凹部之底部令与芯片相同尺寸之金属层形成接触于上述内侧壁，之后将特定量之熔融接合材供给于金属层上，之后令熔融接合材回流、融化，借由融化之熔融接合材之表面张力及自动对准作用使芯片之一边接触于上述内侧壁之一边。

公开(公告)号：TW575892B

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：TW090106793

申请日：2001-03-22

Applicant: 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. ,  日立東部半導體股份有限公司 ,  秋田電子股份有限公司

Inventor： 京極敏彥 ,  神津正 ,  望月清春 ,  菊池榮 ,  石津昭夫 ,  小林義彥 ,  丸山昌志 ,  神代岩道 ,  佐藤勸

IPC: H01L

CPC classification number: H01F17/02 ,  H01F27/292 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19104 ,  H05K1/181 ,  H05K13/028 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00

Abstract: 高頻電力放大裝置有兩個放大系統。放大系統具有縱列連接多數放大級之架構，電源電壓端子具有兩個端子，一方之電源電壓端子連接在一方之放大系統之初級放大級與另一方之放大系統之其餘放大級，另一方之電源電壓端子則連接在另一方之放大系統之初級放大級與一方之放大系統之其餘放大級。在各放大系統之最後放大級與電源電壓端子之間，成串聯連接有將直徑0.1mm左右之銅線緊密捲成螺旋狀，其直流電阻很小之空芯線圈。各放大系統因不會有信號從最後放大級洩漏至初級放大級，同時因空芯線圈之直流電阻小，因此可以改善振盪邊際(margin)。空芯線圈之價格低廉，因此可以降低高頻電力放大裝置之成本。空芯線圈由散粒物供料器(bulk feeder)供給，而搭載於模組基板。

Abstract in simplified Chinese: 高频电力放大设备有两个放大系统。放大系统具有纵列连接多数放大级之架构，电源电压端子具有两个端子，一方之电源电压端子连接在一方之放大系统之初级放大级与另一方之放大系统之其余放大级，另一方之电源电压端子则连接在另一方之放大系统之初级放大级与一方之放大系统之其余放大级。在各放大系统之最后放大级与电源电压端子之间，成串联连接有将直径0.1mm左右之铜线紧密卷成螺旋状，其直流电阻很小之空芯线圈。各放大系统因不会有信号从最后放大级泄漏至初级放大级，同时因空芯线圈之直流电阻小，因此可以改善振荡边际(margin)。空芯线圈之价格低廉，因此可以降低高频电力放大设备之成本。空芯线圈由散粒物供料器(bulk feeder)供给，而搭载于模块基板。

公开(公告)号：TWI280650B

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：TW091134508

申请日：2002-11-27

Applicant: 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.

Inventor： 三浦俊廣 ,  神代岩道 ,  菊池榮

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20651 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 由在主面(2b)形成有複數個銲墊(2a)的半導體晶片(2)，與在兩端形成有連接端子的晶片零件，與搭載有半導體晶片(2)與該晶片零件的模組基板(4)，與藉由銲錫連接該晶片零件與模組基板(4)的端子(4a)以及半導體晶片(2)與模組基板(4)的銲錫連接部(5)，與連接半導體晶片(2)的銲墊(2a)與對應此銲墊(2a)的模組基板(4)的端子(4a)的金線(8)，與覆蓋半導體晶片(2)、該晶片零件、銲錫連接部(5)以及金線(8)，並且由絕緣性的聚矽氧樹脂等的彈性樹脂形成的密封部構成，藉由令配線高度(H)為0.2mm以下，配線長度(L)為1.5mm以下，可防止金線(8)的斷線。

Abstract in simplified Chinese: 由在主面(2b)形成有复数个焊垫(2a)的半导体芯片(2)，与在两端形成有连接端子的芯片零件，与搭载有半导体芯片(2)与该芯片零件的模块基板(4)，与借由焊锡连接该芯片零件与模块基板(4)的端子(4a)以及半导体芯片(2)与模块基板(4)的焊锡连接部(5)，与连接半导体芯片(2)的焊垫(2a)与对应此焊垫(2a)的模块基板(4)的端子(4a)的金线(8)，与覆盖半导体芯片(2)、该芯片零件、焊锡连接部(5)以及金线(8)，并且由绝缘性的聚硅氧树脂等的弹性树脂形成的密封部构成，借由令配线高度(H)为0.2mm以下，配线长度(L)为1.5mm以下，可防止金线(8)的断线。

公开(公告)号：TW200409321A

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：TW091134508

申请日：2002-11-27

Applicant: 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.

Inventor： 三浦俊廣 ,  神代岩道 ,  菊池榮

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20651 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 由在主面(2b)形成有複數個銲墊(2a)的半導體晶片(2)，與在兩端形成有連接端子的晶片零件，與搭載有半導體晶片(2)與該晶片零件的模組基板(4)，與藉由銲錫連接該晶片零件與模組基板(4)的端子(4a)以及半導體晶片(2)與模組基板(4)的銲錫連接部(5)，與連接半導體晶片(2)的銲墊(2a)與對應此銲墊(2a)的模組基板(4)的端子(4a)的金線(8)，與覆蓋半導體晶片(2)、該晶片零件、銲錫連接部(5)以及金線(8)，並且由絕緣性的矽樹脂等的彈性樹脂形成的密封部構成，藉由令配線高度(H)為0.2mm以下，配線長度(L)為1.5mm以下，可防止金線(8)的斷線。

Abstract in simplified Chinese: 由在主面(2b)形成有复数个焊垫(2a)的半导体芯片(2)，与在两端形成有连接端子的芯片零件，与搭载有半导体芯片(2)与该芯片零件的模块基板(4)，与借由焊锡连接该芯片零件与模块基板(4)的端子(4a)以及半导体芯片(2)与模块基板(4)的焊锡连接部(5)，与连接半导体芯片(2)的焊垫(2a)与对应此焊垫(2a)的模块基板(4)的端子(4a)的金线(8)，与覆盖半导体芯片(2)、该芯片零件、焊锡连接部(5)以及金线(8)，并且由绝缘性的硅树脂等的弹性树脂形成的密封部构成，借由令配线高度(H)为0.2mm以下，配线长度(L)为1.5mm以下，可防止金线(8)的断线。