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1.半導體裝置、其電氣檢查方法及具備該裝置之電子機器 SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL INSPECTION METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题: 半导体设备、其电气检查方法及具备该设备之电子机器 SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL INSPECTION METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TW200603347A
公开(公告)日:2006-01-16
申请号:TW094110034
申请日:2005-03-30
发明人: 江川一郎 , 折幸久 YOKIHISA ORISAKA
IPC分类号: H01L
CPC分类号: G09G3/006 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2310/0283 , H01L22/32 , H01L2224/73204 , H01L2924/07811 , H01L2924/3011 , H05K1/0231 , H05K1/189 , Y10S257/924 , H01L2924/00
摘要: 本發明係作為將電壓VGL供應至LSI晶片用之VGL用配線,設有直接連接於LSI晶片之配線L1、及不直接連接於LSI晶片而連接於設在與電壓VGH用之配線之間之電容器之一方電極之配線LB1,在配線L1與配線LB1分別設有電壓輸入端子。藉此,在內建電容器之半導體裝置中,提供可縮短電氣篩選用之測試(最終測試)時間以謀求降低成本之半導體裝置、及其電氣檢查方法。
简体摘要: 本发明系作为将电压VGL供应至LSI芯片用之VGL用配线,设有直接连接于LSI芯片之配线L1、及不直接连接于LSI芯片而连接于设在与电压VGH用之配线之间之电容器之一方电极之配线LB1,在配线L1与配线LB1分别设有电压输入端子。借此,在内置电容器之半导体设备中,提供可缩短电气筛选用之测试(最终测试)时间以谋求降低成本之半导体设备、及其电气检查方法。
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2.具有增强調整範圍之微機電變容二極體 MICRO-ELECTROMECHANICAL VARACTOR WITH ENHANCED TUNING RANGE 有权
简体标题: 具有增强调整范围之微机电变容二极管 MICRO-ELECTROMECHANICAL VARACTOR WITH ENHANCED TUNING RANGE公开(公告)号:TWI232500B
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:TW092120800
申请日:2003-07-30
发明人: 阿尼爾K. 琴塔克金迪 ANIL K. CHINTHAKINDI , 羅伯特A. 葛羅弗斯 ROBERT A. GROVES , 康迺斯J. 史坦 KENNETH J. STEIN , 塞斯哈德里 蘇拔納 SESHADRI SUBBANNA , 理查P. 佛藍特 RICHARD P. VOLANT
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
摘要: 本發明揭示一種三維微機電(MEM)變容二極體,其中一可移動樑及固定電極係分別製造在彼此互相耦合之分開基材上。該可移動樑具有梳型驅動電極係製造在該"晶片側",而該固定底部電極係製造在一分開基材"載子側"上。一旦將該裝置製造在該基材之表面上,該晶片側裝置係被切割及"翻轉",對準及接合到該"載子"基材以形成該最後的裝置。梳型驅動(鰭狀)電極係用以驅動,當該電極之動作造成電容的變化時。由於所包含的是固定驅動力,因此可以獲得大範圍的電容調整。本裝置之三維方面係有益於大表面積。當提供大縱橫比特徵時,便可以使用較低的驅動電壓。一旦製造時,該MEMS裝置係完全地被封藏,而無須對該裝置要求額外的封裝。再者,因為對準及結合係以晶圓尺寸來完成(晶圓尺寸MEMS封裝),所以能夠以較低成本獲得改良後裝置良率。
简体摘要: 本发明揭示一种三维微机电(MEM)变容二极管,其中一可移动梁及固定电极系分别制造在彼此互相耦合之分开基材上。该可移动梁具有梳型驱动电极系制造在该"芯片侧",而该固定底部电极系制造在一分开基材"载子侧"上。一旦将该设备制造在该基材之表面上,该芯片侧设备系被切割及"翻转",对准及接合到该"载子"基材以形成该最后的设备。梳型驱动(鳍状)电极系用以驱动,当该电极之动作造成电容的变化时。由于所包含的是固定驱动力,因此可以获得大范围的电容调整。本设备之三维方面系有益于大表面积。当提供大纵横比特征时,便可以使用较低的驱动电压。一旦制造时,该MEMS设备系完全地被封藏,而无须对该设备要求额外的封装。再者,因为对准及结合系以晶圆尺寸来完成(晶圆尺寸MEMS封装),所以能够以较低成本获得改良后设备良率。
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3.具有增强調整範圍之微機電變容二極體 MICRO-ELECTROMECHANICAL VARACTOR WITH ENHANCED TUNING RANGE 审中-公开
简体标题: 具有增强调整范围之微机电变容二极管 MICRO-ELECTROMECHANICAL VARACTOR WITH ENHANCED TUNING RANGE公开(公告)号:TW200416833A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:TW092120800
申请日:2003-07-30
发明人: 阿尼爾K. 琴塔克金迪 ANIL K. CHINTHAKINDI , 羅伯特A. 葛羅弗斯 ROBERT A. GROVES , 康迺斯J. 史坦 KENNETH J. STEIN , 塞斯哈德里 蘇拔納 SESHADRI SUBBANNA , 理查P. 佛藍特 RICHARD P. VOLANT
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
摘要: 本發明揭示一種三維微機電(MEM)變容二極體,其中一可移動樑及固定電極係分別製造在彼此互相耦合之分開基材上。該可移動樑具有梳型驅動電極係製造在該“晶片側”,而該固定底部電極係製造在一分開基材“載子側”上。一旦將該裝置製造在該基材之表面上,該晶片側裝置係被切割及“翻轉”,對準及接合到該“載子”基材以形成該最後的裝置。梳型驅動(鰭狀)電極係用以驅動,當該電極之動作造成電容的變化時。由於所包含的是固定驅動力,因此可以獲得大範圍的電容調整。本裝置之三維方面係有益於大表面積。當提供大縱橫比特徵時,便可以使用較低的驅動電壓。一旦製造時,該MEMS裝置係完全地被封藏,而無須對該裝置要求額外的封裝。再者,因為對準及結合係以晶圓尺寸來完成(晶圓尺寸MEMS封裝),所以能夠以較低成本獲得改良後裝置良率。
简体摘要: 本发明揭示一种三维微机电(MEM)变容二极管,其中一可移动梁及固定电极系分别制造在彼此互相耦合之分开基材上。该可移动梁具有梳型驱动电极系制造在该“芯片侧”,而该固定底部电极系制造在一分开基材“载子侧”上。一旦将该设备制造在该基材之表面上,该芯片侧设备系被切割及“翻转”,对准及接合到该“载子”基材以形成该最后的设备。梳型驱动(鳍状)电极系用以驱动,当该电极之动作造成电容的变化时。由于所包含的是固定驱动力,因此可以获得大范围的电容调整。本设备之三维方面系有益于大表面积。当提供大纵横比特征时,便可以使用较低的驱动电压。一旦制造时,该MEMS设备系完全地被封藏,而无须对该设备要求额外的封装。再者,因为对准及结合系以晶圆尺寸来完成(晶圆尺寸MEMS封装),所以能够以较低成本获得改良后设备良率。
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公开(公告)号:TWI286040B
公开(公告)日:2007-08-21
申请号:TW095102675
申请日:2006-01-24
IPC分类号: H04R
CPC分类号: H04R19/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , Y10S257/924 , H01L2924/00014
摘要: 一種麥克風之封裝結構,至少包含基材、聲音處理單元與上蓋等元件。此基材設有至少一個溝槽,此溝槽與基材上的銲墊有一高度差,溝槽表面塗佈導電膠後,再與其餘元件進行組裝,此種封裝結構可有效避免因導電膠溢膠而形成短路。
简体摘要: 一种麦克风之封装结构,至少包含基材、声音处理单元与上盖等组件。此基材设有至少一个沟槽,此沟槽与基材上的焊垫有一高度差,沟槽表面涂布导电胶后,再与其余组件进行组装,此种封装结构可有效避免因导电胶溢胶而形成短路。
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5.半導體裝置、其電氣檢查方法及具備該裝置之電子機器 SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL INSPECTION METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题: 半导体设备、其电气检查方法及具备该设备之电子机器 SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL INSPECTION METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TWI271828B
公开(公告)日:2007-01-21
申请号:TW094110034
申请日:2005-03-30
发明人: 江川一郎 , 折幸久 YOKIHISA ORISAKA
IPC分类号: H01L
CPC分类号: G09G3/006 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2310/0283 , H01L22/32 , H01L2224/73204 , H01L2924/07811 , H01L2924/3011 , H05K1/0231 , H05K1/189 , Y10S257/924 , H01L2924/00
摘要: 本發明係作為將電壓VGL供應至LSI晶片用之VGL用配線,設有直接連接於LSI晶片之配線L1、及不直接連接於 LSI晶片而連接於設在與電壓VGH用之配線之間之電容器之一方電極之配線LB1,在配線L1與配線LB1分別設有電壓輸入端子。藉此,在內建電容器之半導體裝置中,提供可縮短電氣篩選用之測試(最終測試)時間以謀求降低成本之半導體裝置、及其電氣檢查方法。
简体摘要: 本发明系作为将电压VGL供应至LSI芯片用之VGL用配线,设有直接连接于LSI芯片之配线L1、及不直接连接于 LSI芯片而连接于设在与电压VGH用之配线之间之电容器之一方电极之配线LB1,在配线L1与配线LB1分别设有电压输入端子。借此,在内置电容器之半导体设备中,提供可缩短电气筛选用之测试(最终测试)时间以谋求降低成本之半导体设备、及其电气检查方法。
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6.可降低寄生電容效應的半導體封裝製程及結構 SEMICONDUCTOR PACKAGE STRUCTURE FOR IMPROVING ELECTRICAL PERFORMANCE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
简体标题: 可降低寄生电容效应的半导体封装制程及结构 SEMICONDUCTOR PACKAGE STRUCTURE FOR IMPROVING ELECTRICAL PERFORMANCE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME公开(公告)号:TW200532863A
公开(公告)日:2005-10-01
申请号:TW093108474
申请日:2004-03-29
发明人: 普翰屏 PU, HAN-PING
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L24/81 , H01L23/642 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/1703 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , Y10S257/924 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要: 一種可降低寄生電容效應的半導體封裝製程及結構,其可應用於製造一覆晶型半導體封裝件;且其特點在於將被動元件的佈局位置設在半導體晶片的正下方,且將被動元件的二端直接藉由銲料而銲結至基板和晶片,亦即被動元件與基板之間以及被動元件與晶片之間均不設置延伸之導電跡線。此作法不只可大幅減少寄生電容效應而使得半導體晶片於高頻運作時可確保其操作效能,並可附帶地使得最後完成之封裝件的整體尺寸較先前技術更為小型化。
简体摘要: 一种可降低寄生电容效应的半导体封装制程及结构,其可应用于制造一覆晶型半导体封装件;且其特点在于将被动组件的布局位置设在半导体芯片的正下方,且将被动组件的二端直接借由焊料而焊结至基板和芯片,亦即被动组件与基板之间以及被动组件与芯片之间均不设置延伸之导电迹线。此作法不只可大幅减少寄生电容效应而使得半导体芯片于高频运作时可确保其操作性能,并可附带地使得最后完成之封装件的整体尺寸较先前技术更为小型化。
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7.具內藏式被動裝置之導線架 LEAD FRAME WITH INCLUDED PASSIVE DEVICES 失效
简体标题: 具内藏式被动设备之导线架 LEAD FRAME WITH INCLUDED PASSIVE DEVICES公开(公告)号:TW200504983A
公开(公告)日:2005-02-01
申请号:TW093104345
申请日:2004-02-20
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49589 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/50 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/85207 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , Y10S257/924 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本發明揭露一種半導體裝置封裝(10),其包括電連接至一共用之導線架(17)之一半導體裝置(晶片)(12)與被動裝置(14)。該導線架(17)由壓印和/或蝕刻金屬結構所形成,而且包括複數個傳導引腳(16)與複數個內插器(20)。該被動裝置(14)電連接至該等內插器(20),而該晶片(12)之I/O墊(22)電連接至該等引腳(16)。以模封材料(28)封裝該晶片(12)、被動裝置(14)與導線架(17),以形成一封裝主體(30)。該等引腳(16)之底面(38)暴露於該封裝(10)之一底面(34)。
简体摘要: 本发明揭露一种半导体设备封装(10),其包括电连接至一共享之导线架(17)之一半导体设备(芯片)(12)与被动设备(14)。该导线架(17)由压印和/或蚀刻金属结构所形成,而且包括复数个传导引脚(16)与复数个内插器(20)。该被动设备(14)电连接至该等内插器(20),而该芯片(12)之I/O垫(22)电连接至该等引脚(16)。以模封材料(28)封装该芯片(12)、被动设备(14)与导线架(17),以形成一封装主体(30)。该等引脚(16)之底面(38)暴露于该封装(10)之一底面(34)。
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公开(公告)号:TW307909B
公开(公告)日:1997-06-11
申请号:TW085101573
申请日:1996-02-08
申请人: 三菱電機股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L23/057 , H01L23/13 , H01L23/642 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要: 一種半導體裝置,包含有基體,該基體具有中空洞穴用來將半導體元件安裝在其中,和在洞穴之周邊具有下級表面用來將晶片組件安裝在其上。半導體元件被安裝在該洞穴內和積層電容器被安裝到下級表面。該半導體元件和晶片組件經由電導體被連接到外部電路。將帽蓋附接到基體和將密封材料填入到帽蓋和基體之間之空間,用來密封該洞穴和用來包圍可以沿著洞穴之整個周邊延伸之下級表面上之晶片組件。該帽蓋可以包括有突出部用來銜接在下級表面之側壁,或另外一種方式,該下級表面可以包括有一個側壁具有突出部銜接到帽蓋之周邊。該半導體裝置可以更包含有散熱器附接到半導體元件。
简体摘要: 一种半导体设备,包含有基体,该基体具有中空洞穴用来将半导体组件安装在其中,和在洞穴之周边具有下级表面用来将芯片组件安装在其上。半导体组件被安装在该洞穴内和积层电容器被安装到下级表面。该半导体组件和芯片组件经由电导体被连接到外部电路。将帽盖附接到基体和将密封材料填入到帽盖和基体之间之空间,用来密封该洞穴和用来包围可以沿着洞穴之整个周边延伸之下级表面上之芯片组件。该帽盖可以包括有突出部用来衔接在下级表面之侧壁,或另外一种方式,该下级表面可以包括有一个侧壁具有突出部衔接到帽盖之周边。该半导体设备可以更包含有散热器附接到半导体组件。
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9.半導體發光元件之封裝以及半導體發光裝置 PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 失效
简体标题: 半导体发光组件之封装以及半导体发光设备 PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE公开(公告)号:TWI318012B
公开(公告)日:2009-12-01
申请号:TW094120476
申请日:2005-06-20
申请人: 東芝股份有限公司
发明人: 紺野邦明
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014
摘要: 在此揭示一種用於半導體發光元件之封裝。該封裝包括一第一金屬基板,其具有一杯狀凹口部分;一絕緣構件,其具有一第一杯狀開口,該絕緣構件被設置在該第一金屬基板上;及一第二金屬基板,其具有一第二杯狀開口,該第二金屬基板被設置在該絕緣構件上,且與該第一金屬基板電性地絕緣,該第二金屬基板具有一位在內表面中的凹腔。 A package for semiconductor light emitting element is described. The package includes a first metal substrate having a cup shaped recess portion, an insulating member having a first cup shaped opening, provided on the first metal substrate, and a second metal substrate having a second cup shaped opening, provided on the insulating member with being electrically insulated from the first metal substrate, having a cavity in the inner surface. 【創作特點】 本發明之一態樣係要解決上述之一或多個問題,藉此提供一種改良式的LED。
以下提供本發明之某些態樣的簡要概論。
本發明之一態樣係具有一種用於半導體發光元件之封裝。該封裝包含:一第一金屬基板,其具有一杯狀凹口部分;一絕緣構件,其具有一第一杯狀開口,該絕緣構件被設置在該第一金屬基板上;及一第二金屬基板,其具有一第二杯狀開口,該第二金屬基板被設置在該絕緣構件上,且與該第一金屬基板電性地絕緣,該第二金屬基板具有一位在內表面中的凹腔。
本發明之另一態樣係具有一半導體發光裝置,包含:一第一金屬基板,其具有一杯狀凹口部分;一絕緣構件,其具有一第一杯狀開口,該絕緣構件被設置在該第一金屬基板上;一第二金屬基板,其具有一第二杯狀凹口部分,該第二金屬基板被設置在該絕緣構件上,且與該第一金屬基板電性地絕緣,該第二金屬基板具有一位在該第二金屬基板之內表面中的凹腔;一發光元件,其被安裝在該第一金屬基板上,該發光元件之第一電極被電性地連接至該第一金屬基板;一接線,其連接該發光元件與該第二基板,該接線之一端被連接至該發光元件之第二電極,該接線之另一端被連接至第二金屬基板。
應瞭解,在以下說明中將闡述在元件之間的各種不同的連接。應瞭解,這些連接大體而言(且除非另有陳述)可以係直接或間接的,且本揭示內容在此方面並未予以限制。简体摘要: 在此揭示一种用于半导体发光组件之封装。该封装包括一第一金属基板,其具有一杯状凹口部分;一绝缘构件,其具有一第一杯状开口,该绝缘构件被设置在该第一金属基板上;及一第二金属基板,其具有一第二杯状开口,该第二金属基板被设置在该绝缘构件上,且与该第一金属基板电性地绝缘,该第二金属基板具有一位在内表面中的凹腔。 A package for semiconductor light emitting element is described. The package includes a first metal substrate having a cup shaped recess portion, an insulating member having a first cup shaped opening, provided on the first metal substrate, and a second metal substrate having a second cup shaped opening, provided on the insulating member with being electrically insulated from the first metal substrate, having a cavity in the inner surface. 【创作特点】 本发明之一态样系要解决上述之一或多个问题,借此提供一种改良式的LED。 以下提供本发明之某些态样的简要概论。 本发明之一态样系具有一种用于半导体发光组件之封装。该封装包含:一第一金属基板,其具有一杯状凹口部分;一绝缘构件,其具有一第一杯状开口,该绝缘构件被设置在该第一金属基板上;及一第二金属基板,其具有一第二杯状开口,该第二金属基板被设置在该绝缘构件上,且与该第一金属基板电性地绝缘,该第二金属基板具有一位在内表面中的凹腔。 本发明之另一态样系具有一半导体发光设备,包含:一第一金属基板,其具有一杯状凹口部分;一绝缘构件,其具有一第一杯状开口,该绝缘构件被设置在该第一金属基板上;一第二金属基板,其具有一第二杯状凹口部分,该第二金属基板被设置在该绝缘构件上,且与该第一金属基板电性地绝缘,该第二金属基板具有一位在该第二金属基板之内表面中的凹腔;一发光组件,其被安装在该第一金属基板上,该发光组件之第一电极被电性地连接至该第一金属基板;一接线,其连接该发光组件与该第二基板,该接线之一端被连接至该发光组件之第二电极,该接线之另一端被连接至第二金属基板。 应了解,在以下说明中将阐述在组件之间的各种不同的连接。应了解,这些连接大体而言(且除非另有陈述)可以系直接或间接的,且本揭示内容在此方面并未予以限制。
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10.具有經嵌入IC之卡片及電化學電池 CARD WITH EMBEDDED IC AND ELECTROCHEMICAL CELL 审中-公开
简体标题: 具有经嵌入IC之卡片及电化学电池 CARD WITH EMBEDDED IC AND ELECTROCHEMICAL CELL公开(公告)号:TW200505071A
公开(公告)日:2005-02-01
申请号:TW093113428
申请日:2004-05-12
申请人: 瑟利寇公司 SOLICORE, INC.
CPC分类号: H01M2/08 , H01M2/0207 , H01M2/0275 , H01M2/166 , H01M6/181 , H01M6/40 , H01M10/044 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0585 , H01M10/425 , H01M2300/0082 , H01M2300/0091 , Y10S257/924 , Y10T29/49108 , Y10T29/49112
摘要: 本發明之IC卡片包括至少一層塑膠層、一電池及至少一個嵌入該塑膠層之電子裝置。為對該裝置提供電源,電池係電連接到電子裝置。電池包括陽極、陰極及至少一個佈置於陽極和陰極間之聚合物基質電解質(PME)隔離器。PME隔離器包括完全相互混合的聚醯亞胺、至少一種鋰鹽及至少一種溶劑。PME係實質上光學透明,且對高溫度和壓力為穩定,如熱層合處理或注模所一般使用的處理條件。
简体摘要: 本发明之IC卡片包括至少一层塑胶层、一电池及至少一个嵌入该塑胶层之电子设备。为对该设备提供电源,电池系电连接到电子设备。电池包括阳极、阴极及至少一个布置于阳极和阴极间之聚合物基质电解质(PME)隔离器。PME隔离器包括完全相互混合的聚酰亚胺、至少一种锂盐及至少一种溶剂。PME系实质上光学透明,且对高温度和压力为稳定,如热层合处理或注模所一般使用的处理条件。
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