公开(公告)号：TWI508242B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW101145639

申请日：2012-12-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 麥可 德班拉 ,  MALLIK, DEBENDRA ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/11

公开(公告)号：TW201347053A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102106656

申请日：2013-02-26

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 潘斯 拉簡德拉D ,  PENDSE, RAJENDRA D.

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種具有複數個第一半導體晶粒的半導體裝置，其有沉積在該第一半導體晶粒的第一表面上方和該第一半導體晶粒周圍的一囊封劑。一絕緣層被形成在該囊封劑上方和與第一表面反向之該第一半導體晶粒的第二表面上方。該絕緣層包含位於該第一半導體晶粒上方的多個開口。一第一導體層被形成在該等開口裡面的該第一半導體晶粒上方。一第二導體層被形成在該第一導體層上方，以便形成垂直導體穿孔。一第二半導體晶粒被設置在該第一半導體晶粒上方並且被電連接至該第一導體層。一凸塊被形成在該第一半導體晶粒之覆蓋區外面的該第二導體層上方。該第二半導體晶粒被設置在該第一半導體晶粒之主動表面或背表面上方。

简体摘要： 本发明提供一种具有复数个第一半导体晶粒的半导体设备，其有沉积在该第一半导体晶粒的第一表面上方和该第一半导体晶粒周围的一囊封剂。一绝缘层被形成在该囊封剂上方和与第一表面反向之该第一半导体晶粒的第二表面上方。该绝缘层包含位于该第一半导体晶粒上方的多个开口。一第一导体层被形成在该等开口里面的该第一半导体晶粒上方。一第二导体层被形成在该第一导体层上方，以便形成垂直导体穿孔。一第二半导体晶粒被设置在该第一半导体晶粒上方并且被电连接至该第一导体层。一凸块被形成在该第一半导体晶粒之覆盖区外面的该第二导体层上方。该第二半导体晶粒被设置在该第一半导体晶粒之主动表面或背表面上方。

公开(公告)号：TW200713613A

公开(公告)日：2007-04-01

申请号：TW094132399

申请日：2005-09-20

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 普翰屏 PU, HAN-PING ,  黃建屏 HUANG, CHIEN PING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014

摘要： 一種半導體封裝件及其製法,係置備一晶片以及一具有複數導腳之導線架,於該晶片之作用表面中心定義至少一中心區域以及一環周區域,並於該環周區域對應於該導腳處植接第一導電凸塊及該中心區域植接第二導電凸塊,以將該晶片接置於導線架上,而後形成一用以包覆該晶片、該第一、第二導電凸塊以及該導線架之封裝膠體,並使該導腳及第二導電凸塊底部外露於封裝膠體外,以作為該封裝件直接對外之電性連接端點,可令該封裝件除了具有複數個導腳作為電性連接端點外,復可利用該第二導電凸塊做為額外諸如輸入/輸出電性連接端點,以增加該封裝件電性連接端點目。

简体摘要： 一种半导体封装件及其制法,系置备一芯片以及一具有复数导脚之导线架,于该芯片之作用表面中心定义至少一中心区域以及一环周区域,并于该环周区域对应于该导脚处植接第一导电凸块及该中心区域植接第二导电凸块,以将该芯片接置于导线架上,而后形成一用以包覆该芯片、该第一、第二导电凸块以及该导线架之封装胶体,并使该导脚及第二导电凸块底部外露于封装胶体外,以作为该封装件直接对外之电性连接端点,可令该封装件除了具有复数个导脚作为电性连接端点外,复可利用该第二导电凸块做为额外诸如输入/输出电性连接端点,以增加该封装件电性连接端点目。

公开(公告)号：TWI249228B

公开(公告)日：2006-02-11

申请号：TW093108474

申请日：2004-03-29

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 普翰屏 PU, HAN PING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L23/642 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一種可降低寄生電容效應的半導體封裝製程及結構，其可應用於製造一覆晶型半導體封裝件；且其特點在於將被動元件的佈局位置設在半導體晶片的正下方，且將被動元件的二端直接藉由銲料而銲結至基板和晶片，亦即被動元件與基板之間以及被動元件與晶片之間均不設置延伸之導電跡線。此作法不只可大幅減少寄生電容效應而使得半導體晶片於高頻運作時可確保其操作效能，並可附帶地使得最後完成之封裝件的整體尺寸較先前技術更為小型化。

简体摘要： 一种可降低寄生电容效应的半导体封装制程及结构，其可应用于制造一覆晶型半导体封装件；且其特点在于将被动组件的布局位置设在半导体芯片的正下方，且将被动组件的二端直接借由焊料而焊结至基板和芯片，亦即被动组件与基板之间以及被动组件与芯片之间均不设置延伸之导电迹线。此作法不只可大幅减少寄生电容效应而使得半导体芯片于高频运作时可确保其操作性能，并可附带地使得最后完成之封装件的整体尺寸较先前技术更为小型化。

公开(公告)号：TW511189B

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：TW089127851

申请日：2000-12-26

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 作山誠樹 ,  山岸康男 ,  水越正孝

IPC分类号： H01L ,  B23K

CPC分类号： H05K3/3484 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1532 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/0266 ,  H05K2201/10477 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0568 ,  H05K2203/0574 ,  H05K2203/0577 ,  H05K2203/0769

摘要： 本發明係有關一種凸塊形成方法，係包含有一於設置有複數電極墊之基板上，設置一可對應複數電極墊而形成有複數開口部之罩體的步驟；一於開口部內填充焊錫膏之步驟；及，一對焊錫膏進行加熱處理之步驟。而，該焊錫膏係含有焊錫粉末。又，該焊錫粉末係使用粒徑大於罩體厚度且小於罩體厚度之1.5倍者。且，焊錫粉末宜使用粒徑為開口部之開口徑40%以下的比例為10重量%以下者或粒徑為開口部之開口徑40~100%的比例為30重量%以上者。

简体摘要： 本发明系有关一种凸块形成方法，系包含有一于设置有复数电极垫之基板上，设置一可对应复数电极垫而形成有复数开口部之罩体的步骤；一于开口部内填充焊锡膏之步骤；及，一对焊锡膏进行加热处理之步骤。而，该焊锡膏系含有焊锡粉末。又，该焊锡粉末系使用粒径大于罩体厚度且小于罩体厚度之1.5倍者。且，焊锡粉末宜使用粒径为开口部之开口径40%以下的比例为10重量%以下者或粒径为开口部之开口径40~100%的比例为30重量%以上者。

公开(公告)号：TWI546932B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW103124500

申请日：2014-07-17

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 江政嘉 ,  CHIANG, CHENG CHIA ,  林欣達 ,  LIN, HSIN TA ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG ,  王愉博 ,  WANG, YU PO ,  王隆源 ,  WANG, LUNG YUAN ,  徐逐崎 ,  HSU, CHU CHI ,  施嘉凱 ,  SHIH, CHIA KAI

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06132 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201543641A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104112639

申请日：2015-04-21

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEX INC.

发明人： 姚皓然 ,  YIU, HO YIN ,  溫英男 ,  WEN, YING NAN ,  劉建宏 ,  LIU, CHIEN HUNG ,  楊惟中 ,  YANG, WEI CHUNG

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭露一種晶片封裝體，包括一第一基底，其中第一基底內包括一感測裝置。一第二基底貼附於第一基底上，其中第二基底內包括一積體電路裝置。一第一導電結構透過設置於第一基底上的重佈線層電性連接感測裝置及積體電路裝置。一絕緣層覆蓋第一基底、第二基底及重佈線層，其中絕緣層內具有孔洞。一第二導電結構設置於孔洞的底部下方。本發明亦揭露一種晶片封裝體的製造方法。

简体摘要： 本发明揭露一种芯片封装体，包括一第一基底，其中第一基底内包括一传感设备。一第二基底贴附于第一基底上，其中第二基底内包括一集成电路设备。一第一导电结构透过设置于第一基底上的重布线层电性连接传感设备及集成电路设备。一绝缘层覆盖第一基底、第二基底及重布线层，其中绝缘层内具有孔洞。一第二导电结构设置于孔洞的底部下方。本发明亦揭露一种芯片封装体的制造方法。

公开(公告)号：TW201440187A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：TW103113345

申请日：2014-04-11

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEX INC.

发明人： 黃玉龍 ,  HUANG, YU LUNG ,  張恕銘 ,  CHANG, SHU MING ,  劉滄宇 ,  LIU, TSANG YU ,  何彥仕 ,  HO, YEN SHIH

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14145 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/14146 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11

摘要： 本發明實施例係提供一種晶片封裝體，包括：一封裝基材；一晶片；以及複數個銲球，設於此封裝基材及此晶片之間，以將此晶片接合至此封裝基材上，其中這些銲球包含一第一尺寸及不同於此第一尺寸之第二尺寸。

简体摘要： 本发明实施例系提供一种芯片封装体，包括：一封装基材；一芯片；以及复数个焊球，设于此封装基材及此芯片之间，以将此芯片接合至此封装基材上，其中这些焊球包含一第一尺寸及不同于此第一尺寸之第二尺寸。

公开(公告)号：TW201405742A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102125170

申请日：2013-07-15

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 莊曜群 ,  CHUANG, YAO CHUN ,  莊其達 ,  CHUANG, CHITA ,  郭正錚 ,  KUO, CHEN CHENG ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN SHIEN

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種封裝結構，包括：一晶粒封裝體，具有一包括一銅柱之連接結構，其中前述銅柱包括一第一表面區域；一基板，具有一焊料層填入一金屬墊之上的開口之，其中前述焊料層直接接觸於前述金屬墊，其中前述開口具有一第二表面區域，其中前述金屬墊具有一第三表面區域，其中前述第一、前述第二、前述第三表面區域至少其一具有一拉長的形狀，其中前述第三表面區域寬於前述第二表面區域；以及其中前述焊料層與前述晶粒封裝體上之前述連接結構形成一接合結構。

简体摘要： 本发明提供一种封装结构，包括：一晶粒封装体，具有一包括一铜柱之连接结构，其中前述铜柱包括一第一表面区域；一基板，具有一焊料层填入一金属垫之上的开口之，其中前述焊料层直接接触于前述金属垫，其中前述开口具有一第二表面区域，其中前述金属垫具有一第三表面区域，其中前述第一、前述第二、前述第三表面区域至少其一具有一拉长的形状，其中前述第三表面区域宽于前述第二表面区域；以及其中前述焊料层与前述晶粒封装体上之前述连接结构形成一接合结构。

公开(公告)号：TW201126665A

公开(公告)日：2011-08-01

申请号：TW099138748

申请日：2010-11-10

申请人： 羅姆股份有限公司

发明人： 奧村弘守

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明之半導體裝置包括:半導體晶片,其具有表面及背面;密封樹脂層,其係積層於上述半導體晶片之上述表面上;接線柱,其係沿厚度方向貫穿上述密封樹脂層,且具有與上述密封樹脂層之側面成同一平面之側面以及與上述密封樹脂層之表面成同一平面之前端面;以及外部連接端子,其係設於上述接線柱之上述前端面。

简体摘要： 本发明之半导体设备包括:半导体芯片,其具有表面及背面;密封树脂层,其系积层于上述半导体芯片之上述表面上;接线柱,其系沿厚度方向贯穿上述密封树脂层,且具有与上述密封树脂层之侧面成同一平面之侧面以及与上述密封树脂层之表面成同一平面之前端面;以及外部连接端子,其系设于上述接线柱之上述前端面。