公开(公告)号：TW201803170A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106102151

申请日：2017-01-20

申请人： 英特爾IP公司 ,  INTEL IP CORPORATION

发明人： 亞伯斯 史文 ,  ALBERS, SVEN ,  倫格魯伯 克勞斯 ,  REINGRUBER, KLAUS ,  吉瑟勒 克里斯坦 ,  GEISSLER, CHRISTIAN

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L27/08 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19101 ,  H05K1/162

摘要： 在此揭露的是具有設置在金屬化堆疊中的三維電容器之電子組件，以及相關方法及裝置。在某些實施例中，例如，一電子組件可包括：一金屬化堆疊及設置在該金屬化堆疊中之一電容器，其中該電容器包括具有多數凹部之一第一導電板、及具有多數突起之一第二導電板，其中該等多數突起中之個別突起延伸進入該等多數凹部中之對應個別凹部且未接觸該第一導電板。

简体摘要： 在此揭露的是具有设置在金属化堆栈中的三维电容器之电子组件，以及相关方法及设备。在某些实施例中，例如，一电子组件可包括：一金属化堆栈及设置在该金属化堆栈中之一电容器，其中该电容器包括具有多数凹部之一第一导电板、及具有多数突起之一第二导电板，其中该等多数突起中之个别突起延伸进入该等多数凹部中之对应个别凹部且未接触该第一导电板。

公开(公告)号：TW201721771A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105122581

申请日：2016-07-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  蔡豪益 ,  TSAI, HAO YI ,  余國寵 ,  YEE, KUO CHUNG ,  郭庭豪 ,  KUO, TIN HAO

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/83005

摘要： 一種方法包括自第一裝置晶粒之第一導電墊形成一貫穿通路。該第一導電墊位於該第一裝置晶粒之一頂表面處。第二裝置晶粒黏附至該第一裝置晶粒之該頂表面。該第二裝置晶粒具有一表面導電構件。該第二裝置晶粒及該貫穿通路包封於一包封材料中。平坦化該包封材料以顯露該貫穿通路及該表面導電構件。在該貫穿通路及該表面導電構件上方形成重佈線並電性耦接至該貫穿通路及該表面導電構件。

简体摘要： 一种方法包括自第一设备晶粒之第一导电垫形成一贯穿通路。该第一导电垫位于该第一设备晶粒之一顶表面处。第二设备晶粒黏附至该第一设备晶粒之该顶表面。该第二设备晶粒具有一表面导电构件。该第二设备晶粒及该贯穿通路包封于一包封材料中。平坦化该包封材料以显露该贯穿通路及该表面导电构件。在该贯穿通路及该表面导电构件上方形成重布线并电性耦接至该贯穿通路及该表面导电构件。

公开(公告)号：TW201625764A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104140874

申请日：2015-12-07

申请人： 東麗股份有限公司 ,  TORAY INDUSTRIES, INC.

发明人： 松村和行 ,  MATSUMURA, KAZUYUKI ,  藤丸浩一 ,  FUJIMARU, KOICHI ,  金森大典 ,  KANAMORI, DAISUKE

IPC分类号： C09J163/10 ,  H01L23/532 ,  H01L21/60

CPC分类号： C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J193/04 ,  C09J201/00 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2924/3512 ,  C08K3/36 ,  C08L93/04

摘要： 本發明的目的在於提供一種能夠識別對準標記、充分確保接合部的焊料的潤濕性、並且在抑制空隙產生的方面優異的接著劑組成物，本發明的接著劑組成物含有：（A）高分子化合物；（B）重量平均分子量為100以上且3,000以下的環氧化合物；（C）助焊劑；及（D）於表面具有含有苯基的烷氧基矽烷的、平均粒徑為30 nm～200 nm的無機粒子，所述接著劑組成物的特徵在於：（C）助焊劑含有酸改質松香。

简体摘要： 本发明的目的在于提供一种能够识别对准标记、充分确保接合部的焊料的润湿性、并且在抑制空隙产生的方面优异的接着剂组成物，本发明的接着剂组成物含有：（A）高分子化合物；（B）重量平均分子量为100以上且3,000以下的环氧化合物；（C）助焊剂；及（D）于表面具有含有苯基的烷氧基硅烷的、平均粒径为30 nm～200 nm的无机粒子，所述接着剂组成物的特征在于：（C）助焊剂含有酸改质松香。

公开(公告)号：TW201613038A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104117626

申请日：2015-06-01

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 戴斯潘迪 尼亭 ,  DESHPANDE, NITIN ,  馬哈吉 拉維V ,  MAHAJAN, RAVI V.

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/52 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： 一電子總成包括一第一電子裝置。該第一電子裝置包括一延伸至該第一電子裝置之背側的空穴。該電子總成更包括一第二電子裝置。該第二電子裝置被安裝至該第一電子裝置位在該第一電子裝置中的空穴之內。在該電子總成的一些範例態樣中，該第一電子裝置與該第二電子裝置各是為一晶粒。應要注意的是該電子總成的其他態樣是被考量，其中，該第一電子裝置與該第二電子裝置中之僅一者是為一晶粒。在該電子總成的一些態樣中，該第二電子裝置被銲接至該第一電子裝置。

简体摘要： 一电子总成包括一第一电子设备。该第一电子设备包括一延伸至该第一电子设备之背侧的空穴。该电子总成更包括一第二电子设备。该第二电子设备被安装至该第一电子设备位在该第一电子设备中的空穴之内。在该电子总成的一些范例态样中，该第一电子设备与该第二电子设备各是为一晶粒。应要注意的是该电子总成的其他态样是被考量，其中，该第一电子设备与该第二电子设备中之仅一者是为一晶粒。在该电子总成的一些态样中，该第二电子设备被焊接至该第一电子设备。

公开(公告)号：TWI508242B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW101145639

申请日：2012-12-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 麥可 德班拉 ,  MALLIK, DEBENDRA ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/11

公开(公告)号：TWI485787B

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：TW100140081

申请日：2008-11-05

申请人： 星科金朋有限公司 ,  STATS CHIPPAC LTD.

发明人： 鄒勝源 ,  CHOW, SENG GUAN ,  關協和 ,  KUAN, HEAP HOE ,  蔡佩燕 ,  CHUA, LINDA PEI EE

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/3185 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TW201230289A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100128697

申请日：2011-08-11

申请人： 奧瑞可國際公司

发明人： 哈瑞達 約翰 ,  道格拉斯 大衛 ,  多斯特 羅伯特

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G02B6/43 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014

摘要： 描述一種晶片封裝。此晶片封裝包括半導體晶粒或晶片之垂直堆疊,其係於水平方向被彼此偏移,藉此界定一步進階地(stepped terrace)。高頻寬的斜坡組件(其被設置幾乎平行於沿著步進階地)被機械式耦合至半導體晶粒。再者,斜坡組件包括:一光學波導,其傳遞光學信號;及一光學耦合組件,其係將光學信號光學地耦合至該些半導體晶粒之一,藉此促成半導體晶粒與斜坡組件間之光學信號的高頻寬通訊。

简体摘要： 描述一种芯片封装。此芯片封装包括半导体晶粒或芯片之垂直堆栈,其系于水平方向被彼此偏移,借此界定一步进阶地(stepped terrace)。高带宽的斜坡组件(其被设置几乎平行于沿着步进阶地)被机械式耦合至半导体晶粒。再者,斜坡组件包括:一光学波导,其传递光学信号;及一光学耦合组件,其系将光学信号光学地耦合至该些半导体晶粒之一,借此促成半导体晶粒与斜坡组件间之光学信号的高带宽通信。

公开(公告)号：TW201220464A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW100128698

申请日：2011-08-11

申请人： 奧瑞可國際公司

发明人： 哈瑞達 約翰 ,  多斯特 羅伯特 ,  道格拉斯 大衛

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/42 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19102

摘要： 描述一種組裝組件及一種使用該組裝組件以組裝晶片封裝之技術。此晶片封裝包括一組配置於垂直方向之一堆疊中的半導體晶粒,其係於水平方向被彼此偏移以界定一步進階地於垂直堆疊之一側上。此外,晶片封裝可使用組裝組件來組裝。特別地,組裝組件可包括一具有另一步進階地之殼體。此另一步進階地可包括垂直方向上的步進之一序列,其被彼此偏移於水平方向。再者,殼體可被組態成匹配與該組半導體晶粒,以致該組半導體晶粒被配置於垂直方向之堆疊中。例如,另一步進階地可幾乎為該步進階地之鏡像。

简体摘要： 描述一种组装组件及一种使用该组装组件以组装芯片封装之技术。此芯片封装包括一组配置于垂直方向之一堆栈中的半导体晶粒,其系于水平方向被彼此偏移以界定一步进阶地于垂直堆栈之一侧上。此外,芯片封装可使用组装组件来组装。特别地,组装组件可包括一具有另一步进阶地之壳体。此另一步进阶地可包括垂直方向上的步进之一串行,其被彼此偏移于水平方向。再者,壳体可被组态成匹配与该组半导体晶粒,以致该组半导体晶粒被配置于垂直方向之堆栈中。例如,另一步进阶地可几乎为该步进阶地之镜像。

公开(公告)号：TWI260097B

公开(公告)日：2006-08-11

申请号：TW094101499

申请日：2005-01-19

申请人： 威盛電子股份有限公司 VIA TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 許志行 HSU, CHI HSING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H05K1/023 ,  H05K1/145 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10734 ,  Y02P70/611 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： 一種被動元件電性連接結構，其包括一第一基板、一第二基板、多個導電塊與至少一被動元件，其中第二基板係配置於第一基板上。此外，這些導電塊與被動元件係配置第一基板與第二基板之間，其中第一基板係藉由這些導電塊與被動元件而電性連接至第二基板。

简体摘要： 一种被动组件电性连接结构，其包括一第一基板、一第二基板、多个导电块与至少一被动组件，其中第二基板系配置于第一基板上。此外，这些导电块与被动组件系配置第一基板与第二基板之间，其中第一基板系借由这些导电块与被动组件而电性连接至第二基板。

公开(公告)号：TWI249228B

公开(公告)日：2006-02-11

申请号：TW093108474

申请日：2004-03-29

申请人： 矽品精密工業股份有限公司 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 普翰屏 PU, HAN PING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L23/642 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 一種可降低寄生電容效應的半導體封裝製程及結構，其可應用於製造一覆晶型半導體封裝件；且其特點在於將被動元件的佈局位置設在半導體晶片的正下方，且將被動元件的二端直接藉由銲料而銲結至基板和晶片，亦即被動元件與基板之間以及被動元件與晶片之間均不設置延伸之導電跡線。此作法不只可大幅減少寄生電容效應而使得半導體晶片於高頻運作時可確保其操作效能，並可附帶地使得最後完成之封裝件的整體尺寸較先前技術更為小型化。

简体摘要： 一种可降低寄生电容效应的半导体封装制程及结构，其可应用于制造一覆晶型半导体封装件；且其特点在于将被动组件的布局位置设在半导体芯片的正下方，且将被动组件的二端直接借由焊料而焊结至基板和芯片，亦即被动组件与基板之间以及被动组件与芯片之间均不设置延伸之导电迹线。此作法不只可大幅减少寄生电容效应而使得半导体芯片于高频运作时可确保其操作性能，并可附带地使得最后完成之封装件的整体尺寸较先前技术更为小型化。