利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

54 条记录 (耗时 0.017 秒)

    方法
    1.
    发明专利
    方法 审中-公开

    公开(公告)号：TW201816130A

    公开(公告)日：2018-05-01

    申请号：TW106127944

    申请日：2017-08-17

    申请人： 美商強生麥特公司 ,  JOHNSON MATTHEY PUBLIC LIMITED COMPANY

    发明人： 威爾金森 羅傑 ,  WILKINSON, ROGER

    IPC分类号： C22C5/04 ,  C22F1/14 ,  G01K7/02 ,  G01K7/14

    摘要： 本發明係關於Pt對RhPt熱電偶(諸如R型或S型熱電偶)及關於當在使用中時，其電性質之改良。更具體而言，提供當Pt對RhPt熱電偶係於氧化環境中使用時，用於減少該熱電偶之漂移之方法，其中該熱電偶之Pt分支為包含有效量之一或多種選自由釔、鋯及釤組成之群之摻雜劑之摻雜鉑。

    简体摘要： 本发明系关于Pt对RhPt热电偶(诸如R型或S型热电偶)及关于当在使用中时，其电性质之改良。更具体而言，提供当Pt对RhPt热电偶系于氧化环境中使用时，用于减少该热电偶之漂移之方法，其中该热电偶之Pt分支为包含有效量之一或多种选自由钇、锆及钐组成之群之掺杂剂之掺杂铂。

    以鈀為主的合金
    5.
    发明专利
    以鈀為主的合金 审中-公开
    以钯为主的合金

    公开(公告)号：TW201726929A

    公开(公告)日：2017-08-01

    申请号：TW106100264

    申请日：2017-01-05

    申请人： 德林傑奈股份有限公司 ,  DERINGER-NEY, INC.

    发明人： 克蘭 亞瑟 S. ,  KLEIN, ARTHUR S. ,  史密斯三世 愛德華 F. ,  SMITH III, EDWARD F. ,  維斯瓦那森 史里那斯 ,  VISWANATHAN, SRINATH

    IPC分类号： C22C5/04 ,  G01R1/067

    CPC分类号： C22C5/04 ,  G01R1/06755

    摘要： 以鈀為主之三元或更多元合金包括約45-55 wt%之鈀、約32-42 wt%之銅、約8-15 wt%之銀、約0-5 wt%之錸及至多1.0 wt%之視情況存在之一或多種改質元素。該等合金可時效硬化，提供超過350 HK之硬度(努普，100 g負載)，具有高於19.5% IACS之電導率(國際退火銅標準)，具有在高達480℉(250℃)之溫度下高於100 ksi之高溫強度，且在其可充分時效硬化之狀態下保持延展性(拉伸伸長率＞2%)。該等合金可用於靜態及可移動電接觸及探針應用中。

    简体摘要： 以钯为主之三元或更多元合金包括约45-55 wt%之钯、约32-42 wt%之铜、约8-15 wt%之银、约0-5 wt%之铼及至多1.0 wt%之视情况存在之一或多种改质元素。该等合金可时效硬化，提供超过350 HK之硬度(努普，100 g负载)，具有高于19.5% IACS之电导率(国际退火铜标准)，具有在高达480℉(250℃)之温度下高于100 ksi之高温强度，且在其可充分时效硬化之状态下保持延展性(拉伸伸长率＞2%)。该等合金可用于静态及可移动电接触及探针应用中。

    鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    9.
    发明专利
    鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    钯被覆铜接合线、线接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW202030338A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW108104361

    申请日：2019-02-11

    申请人： 日商田中電子工業股份有限公司 ,  TANAKA DENSHI KOGYO K.K.

    发明人： 天野裕之 ,  AMANO, HIROYUKI ,  安徳優希 ,  ANTOKU, YUKI ,  桑原岳 ,  KUWAHARA, TAKESHI ,  市川司 ,  ICHIKAWA, TSUKASA

    IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C5/04 ,  B21C1/02 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C25D3/50 ,  C25D5/50 ,  C25D7/06 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

    摘要： 本發明提供一種鈀被覆銅接合線、其接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法，其在第一接合時不會產生縮孔，接合可靠度高，即使在高溫、高濕環境下亦可長期穩定地維持優良的接合可靠度。 本發明之線接合構造中，接合線係具有銅芯材與Pd層、且含有硫族元素的Pd被覆銅接合線；相對於銅、Pd與硫族元素的總和，Pd的濃度為1.0質量%~4.0質量%；硫族元素濃度共50質量ppm以下，S濃度為5質量ppm~2質量ppm，或是Se濃度為5質量ppm~20質量ppm，或是Te濃度為15質量ppm~50質量ppm以下；在半導體晶片上的包含Al之電極與球體接合部的接合面附近具有Pd濃化接合區域，其中該Pd濃化接合區域的Pd濃度相對於Al、銅與Pd的總和為2.0質量%以上。

    简体摘要： 本发明提供一种钯被覆铜接合线、其接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法，其在第一接合时不会产生缩孔，接合可靠度高，即使在高温、高湿环境下亦可长期稳定地维持优良的接合可靠度。 本发明之线接合构造中，接合线系具有铜芯材与Pd层、且含有硫族元素的Pd被覆铜接合线；相对于铜、Pd与硫族元素的总和，Pd的浓度为1.0质量%~4.0质量%；硫族元素浓度共50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm~2质量ppm，或是Se浓度为5质量ppm~20质量ppm，或是Te浓度为15质量ppm~50质量ppm以下；在半导体芯片上的包含Al之电极与球体接合部的接合面附近具有Pd浓化接合区域，其中该Pd浓化接合区域的Pd浓度相对于Al、铜与Pd的总和为2.0质量%以上。