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    鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    1.
    发明专利
    鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    钯被覆铜接合线、线接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW202030338A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW108104361

    申请日：2019-02-11

    申请人： 日商田中電子工業股份有限公司 ,  TANAKA DENSHI KOGYO K.K.

    发明人： 天野裕之 ,  AMANO, HIROYUKI ,  安徳優希 ,  ANTOKU, YUKI ,  桑原岳 ,  KUWAHARA, TAKESHI ,  市川司 ,  ICHIKAWA, TSUKASA

    IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C5/04 ,  B21C1/02 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C25D3/50 ,  C25D5/50 ,  C25D7/06 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

    摘要： 本發明提供一種鈀被覆銅接合線、其接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法，其在第一接合時不會產生縮孔，接合可靠度高，即使在高溫、高濕環境下亦可長期穩定地維持優良的接合可靠度。 本發明之線接合構造中，接合線係具有銅芯材與Pd層、且含有硫族元素的Pd被覆銅接合線；相對於銅、Pd與硫族元素的總和，Pd的濃度為1.0質量%~4.0質量%；硫族元素濃度共50質量ppm以下，S濃度為5質量ppm~2質量ppm，或是Se濃度為5質量ppm~20質量ppm，或是Te濃度為15質量ppm~50質量ppm以下；在半導體晶片上的包含Al之電極與球體接合部的接合面附近具有Pd濃化接合區域，其中該Pd濃化接合區域的Pd濃度相對於Al、銅與Pd的總和為2.0質量%以上。

    简体摘要： 本发明提供一种钯被覆铜接合线、其接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法，其在第一接合时不会产生缩孔，接合可靠度高，即使在高温、高湿环境下亦可长期稳定地维持优良的接合可靠度。 本发明之线接合构造中，接合线系具有铜芯材与Pd层、且含有硫族元素的Pd被覆铜接合线；相对于铜、Pd与硫族元素的总和，Pd的浓度为1.0质量%~4.0质量%；硫族元素浓度共50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm~2质量ppm，或是Se浓度为5质量ppm~20质量ppm，或是Te浓度为15质量ppm~50质量ppm以下；在半导体芯片上的包含Al之电极与球体接合部的接合面附近具有Pd浓化接合区域，其中该Pd浓化接合区域的Pd浓度相对于Al、铜与Pd的总和为2.0质量%以上。