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    鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    1.
    发明专利
    鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    钯被覆铜接合线、线接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW202030338A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW108104361

    申请日：2019-02-11

    申请人： 日商田中電子工業股份有限公司 ,  TANAKA DENSHI KOGYO K.K.

    发明人： 天野裕之 ,  AMANO, HIROYUKI ,  安徳優希 ,  ANTOKU, YUKI ,  桑原岳 ,  KUWAHARA, TAKESHI ,  市川司 ,  ICHIKAWA, TSUKASA

    IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C5/04 ,  B21C1/02 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C25D3/50 ,  C25D5/50 ,  C25D7/06 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

    摘要： 本發明提供一種鈀被覆銅接合線、其接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法，其在第一接合時不會產生縮孔，接合可靠度高，即使在高溫、高濕環境下亦可長期穩定地維持優良的接合可靠度。 本發明之線接合構造中，接合線係具有銅芯材與Pd層、且含有硫族元素的Pd被覆銅接合線；相對於銅、Pd與硫族元素的總和，Pd的濃度為1.0質量%~4.0質量%；硫族元素濃度共50質量ppm以下，S濃度為5質量ppm~2質量ppm，或是Se濃度為5質量ppm~20質量ppm，或是Te濃度為15質量ppm~50質量ppm以下；在半導體晶片上的包含Al之電極與球體接合部的接合面附近具有Pd濃化接合區域，其中該Pd濃化接合區域的Pd濃度相對於Al、銅與Pd的總和為2.0質量%以上。

    简体摘要： 本发明提供一种钯被覆铜接合线、其接合构造、半导体设备及半导体设备的制造方法，其在第一接合时不会产生缩孔，接合可靠度高，即使在高温、高湿环境下亦可长期稳定地维持优良的接合可靠度。 本发明之线接合构造中，接合线系具有铜芯材与Pd层、且含有硫族元素的Pd被覆铜接合线；相对于铜、Pd与硫族元素的总和，Pd的浓度为1.0质量%~4.0质量%；硫族元素浓度共50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm~2质量ppm，或是Se浓度为5质量ppm~20质量ppm，或是Te浓度为15质量ppm~50质量ppm以下；在半导体芯片上的包含Al之电极与球体接合部的接合面附近具有Pd浓化接合区域，其中该Pd浓化接合区域的Pd浓度相对于Al、铜与Pd的总和为2.0质量%以上。

    超音波接合用純銅合金線的剖面構造
    9.
    发明专利
    超音波接合用純銅合金線的剖面構造 审中-公开
    超音波接合用纯铜合金线的剖面构造

    公开(公告)号：TW201602367A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW103124224

    申请日：2014-07-15

    申请人： 田中電子工業股份有限公司 ,  TANAKA DENSHI KOGYO K.K.

    发明人： 三上道孝 ,  MIKAMI, MICHITAKA ,  天野裕之 ,  AMANO, HIROYUKI ,  濱本拓也 ,  HAMAMOTO, TAKUYA ,  三苫修一 ,  MITOMA, SYUICHI ,  執行裕之 ,  SHIGYOU, HIROYUKI ,  中島伸一郎 ,  NAKASHIMA, SHINICHIRO ,  劉斌 ,  LIU, BIN

    IPC分类号： C22C9/00 ,  B23K20/10 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

    CPC分类号： H01L2224/43 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01203

    摘要： 本發明提供一種線材，即使是純銅合金連接線，在因為大氣中的氧而使得線材表面的銅氧化物層為未飽和之銅氧化物(Cu2-xO)的期間，亦可藉由形成其厚度為不使該氧化物層還原之程度的有機碳層，使得超音波接合的製程容許度(process window)變得廣泛。該線材的成分組成，係鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋅(Zn)及錫(Sn)中的至少1種卑金屬(base metal)為40質量ppm以上、未滿100質量ppm(以下簡記為「40~100質量ppm」)，以及剩餘部分由純度99.990~99.996質量%的銅(Cu)所構成；該線材的剖面構造，係該線材表面因鑽石伸線模而縮徑的伸線加工面，該線材表面的整個面上，形成總有機碳量(TOC值)為50~3,000μg/m2的有機碳層，該線材剖面的最外層，形成氧未飽和之銅氧化物(Cu2-xO)所構成之厚度為2~20奈米的銅氧化物層，該銅氧化物層的內側所存在的上述卑金屬，係為未被內部氧化的狀態。

    简体摘要： 本发明提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因为大气中的氧而使得线材表面的铜氧化物层为未饱和之铜氧化物(Cu2-xO)的期间，亦可借由形成其厚度为不使该氧化物层还原之程度的有机碳层，使得超音波接合的制程容许度(process window)变得广泛。该线材的成分组成，系钛(Ti)、锆(Zr)、锌(Zn)及锡(Sn)中的至少1种卑金属(base metal)为40质量ppm以上、未满100质量ppm(以下简记为“40~100质量ppm”)，以及剩余部分由纯度99.990~99.996质量%的铜(Cu)所构成；该线材的剖面构造，系该线材表面因钻石伸线模而缩径的伸线加工面，该线材表面的整个面上，形成总有机碳量(TOC值)为50~3,000μg/m2的有机碳层，该线材剖面的最外层，形成氧未饱和之铜氧化物(Cu2-xO)所构成之厚度为2~20奈米的铜氧化物层，该铜氧化物层的内侧所存在的上述卑金属，系为未被内部氧化的状态。