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公开(公告)号：TW201907036A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107118524
申请日：2018-05-30
发明人： 維瑟爾 羅伯特詹 , VISSER, ROBERT JAN , 葛拉迪亞 皮耶納 , GORADIA, PRERNA , 查卡柏地 坦帕許 , CHAKRABORTY, TAPASH , 阿奈巴里 蘭卡拉歐 , ARNEPALLI, RANGA RAO , 薩卡雷 達桑 , THAKARE, DARSHAN , 班傑 葛堤卡 , BAJAJ, GEETIKA
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/448 , C23F1/00 , H01L21/288
摘要： 本揭示的實施例係關於選擇性沉積導電材料或從基板蝕刻導電材料之方法，該基板包含導電材料以及非導電材料。更具體言之，本揭示的實施例涉及使用電偏壓及氣溶膠輔助化學氣相沉積在導電金屬柱狀體上沉積金屬之方法。本揭示的額外實施例係關於使用電偏壓及氣溶膠輔助化學氣相沉積從導電金屬柱狀體蝕刻金屬之方法。
简体摘要： 本揭示的实施例系关于选择性沉积导电材料或从基板蚀刻导电材料之方法，该基板包含导电材料以及非导电材料。更具体言之，本揭示的实施例涉及使用电偏压及气溶胶辅助化学气相沉积在导电金属柱状体上沉积金属之方法。本揭示的额外实施例系关于使用电偏压及气溶胶辅助化学气相沉积从导电金属柱状体蚀刻金属之方法。
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公开(公告)号：TWI531682B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW098119284
申请日：2009-06-09
申请人： 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 史蒂文生 湯姆 , STEVENSON, TOM , 漢沙 羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45565 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32605 , H01L21/67069
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公开(公告)号：TW201534764A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104101165
申请日：2015-01-14
申请人： 沙琛公司 , SACHEM, INC.
发明人： 斐梅雷恩 保羅 , VERMEULEN, PAUL , 雅倫 克雷格 , ALLEN, CRAIG
IPC分类号： C23F1/00 , H01L21/027 , H01L21/34 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/44 , C23F1/34 , C23F1/36 , C23F1/38 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本發明提供一種用於相對於氧化物半導體膜來選擇性地蝕刻鉬或鈦之製程，其包括：提供基板，該基板包含氧化物半導體層及在該氧化物半導體層上之包含鉬或鈦之層；藉由將光阻劑層施加於包含鉬或鈦之該層上方且接著圖案化及顯影該光阻劑層以形成包含鉬或鈦之該層之一經曝露部分來製備該基板；提供包含氨或氫氧化銨、氫氧化四級銨及過氧化物之組成物；及將該組成物施加至該經曝露部分歷時足以蝕刻及移除包含鉬或鈦之該層之該經曝露部分的一時間，其中該蝕刻相對於該氧化物半導體來選擇性地移除該鉬或鈦。
简体摘要： 本发明提供一种用于相对于氧化物半导体膜来选择性地蚀刻钼或钛之制程，其包括：提供基板，该基板包含氧化物半导体层及在该氧化物半导体层上之包含钼或钛之层；借由将光阻剂层施加于包含钼或钛之该层上方且接着图案化及显影该光阻剂层以形成包含钼或钛之该层之一经曝露部分来制备该基板；提供包含氨或氢氧化铵、氢氧化四级铵及过氧化物之组成物；及将该组成物施加至该经曝露部分历时足以蚀刻及移除包含钼或钛之该层之该经曝露部分的一时间，其中该蚀刻相对于该氧化物半导体来选择性地移除该钼或钛。
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公开(公告)号：TWI454592B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW095147512
申请日：2006-12-18
申请人： 泛林股份有限公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 阿諾德 柯勒登柯 , KHOLODENKO, ARNOLD , 安渥 休森 , HUSAIN, ANWAR
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32055 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32458 , H01J37/32559 , H01J37/32577 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/67069
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公开(公告)号：TWI435664B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW096126202
申请日：2007-07-18
申请人： 藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： 愛力克司 瑪拉坦夫 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 拉金德 汀沙 , DHINDSA, RAJINDER , 艾瑞克 修德森 , HUDSON, ERIC , 安德瑞亞 非區爾 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H05H1/46 , C23F1/00 , C23C16/00 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32091 , H01J2237/03
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公开(公告)号：TWM457730U
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW101216939
申请日：2012-09-03
发明人： 法蘭茲克 尤爾 , FRANZKE, JOERG , 尼塞 瑪帝亞斯 , NIESE, MATTHIAS , 史威肯迪克 喬根 , SCHWECKENDIEK, JUERGEN
IPC分类号： C23F1/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67126
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公开(公告)号：TWI386968B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097144639
申请日：2008-11-19
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD
发明人： 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 李東錫 , LEE, DONGSEOK , 文熙錫 , MOON, HEESEOK , 朴根周 , PARK, KUNJOO , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN , 李元默 , LEE, WEONMOOK
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/505 , H01J37/32009 , H01J37/32082
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公开(公告)号：TWI549809B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW099120968
申请日：2010-06-25
发明人： 張新倍 , CHANG, HSIN PEI , 陳文榮 , CHEN, WEN RONG , 蔣煥梧 , CHIANG, HUAN WU , 陳正士 , CHEN, CHENG SHI , 吳柏川 , WU, PO CHUAN , 孫代育 , SUN, DAI-YU , 馮源源 , FENG, YUAN-YUAN
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公开(公告)号：TW201500584A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103107032
申请日：2014-03-03
发明人： 安瑟斯傑佛瑞W , ANTHIS, JEFFREY W. , 史密格班哲明 , SCHMIEGE, BENJAMIN , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID
IPC分类号： C23F1/00 , C23F4/00 , H01L21/321 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F1/00 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01J37/32715 , H01J37/32862 , H01L21/32135
摘要： 本發明提供用於蝕刻包含過渡金屬的膜之方法。一些方法涉及以下步驟：活化包含至少一種過渡金屬之基板表面，其中基板表面之活化包含以下步驟：曝露基板表面至熱量、電漿、氧化環境或鹵化物轉移劑以提供經活化基板表面；以及曝露經活化基板表面至包含路易士鹼或π酸之試劑以提供包含配位至來自試劑之一或更多個配位體之過渡金屬之一或更多個原子的氣相配位錯合物。一些其他方法提供自包含Co層、Cu層及Ni層中之二或更多者之多層基板之選擇性蝕刻。
简体摘要： 本发明提供用于蚀刻包含过渡金属的膜之方法。一些方法涉及以下步骤：活化包含至少一种过渡金属之基板表面，其中基板表面之活化包含以下步骤：曝露基板表面至热量、等离子、氧化环境或卤化物转移剂以提供经活化基板表面；以及曝露经活化基板表面至包含路易士碱或π酸之试剂以提供包含配位至来自试剂之一或更多个配位体之过渡金属之一或更多个原子的气相配位错合物。一些其他方法提供自包含Co层、Cu层及Ni层中之二或更多者之多层基板之选择性蚀刻。
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